Нархи пасттарин барои Чин гармкунаки графити баландсифат барои оташдонҳои поликристалии кремний

Нархи пасттарин барои Чин Графити гармкунаки босифати фармоишӣ барои оташдонҳои поликристалии кремний

Тавсифи кӯтоҳ:

тозагӣ < 5ppm
‣ Якхелаи хуби допинг
‣ Зичии баланд ва пайвастшавӣ
‣ Муқовимати хуби зидди зангзанӣ ва карбон

‣ Мутобиқсозии касбӣ
‣ Мӯҳлати кӯтоҳ
‣ Таъминоти устувор
‣ Назорати сифат ва такмили пайваста

Эпитаксияи GaN дар Sapphire(RGB/Mini/Micro LED);Эпитаксияи GaN дар Substrate Si(UVC);Эпитаксияи GaN дар Substrate Si(дастгоҳи электронӣ);Эпитаксияи Си дар субстрати Си(Схемаи интегралӣ);Эпитаксияи SiC дар Substrate SiC(субстрат);Эпитаксияи InP дар InP

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Мо қарорҳо ва хидмати худро афзоиш додан ва такмил доданро идома медиҳем. At the same time, we working actively to do research and improvement for Lowest Price for China High Quality Customized Graphite Heater for Polycrystalline Slicon Ingot Cournace, Корхонаи мо ба зудӣ дар ҳаҷм ва маъруфияти аз сабаби бахшидани мутлақи он ба истеҳсоли сифати баланд, нархи баланди маҳсулот ва провайдери муштариёни афсонавӣ.
Мо қарорҳо ва хидмати худро афзоиш додан ва такмил доданро идома медиҳем. Ҳамзамон, мо барои гузаронидани тадқиқот ва такмилдиҳӣ фаъолона кор мекунемТанӯри гармидиҳии графити Чин, Майдони гармии графит, Танҳо барои иҷрои маҳсулоти хушсифат барои қонеъ кардани талаботи муштарӣ, ҳама маҳсулот ва ҳалли мо пеш аз фиристодан ба таври қатъӣ тафтиш карда шуданд. Мо ҳамеша дар бораи савол дар тарафи муштариён фикр мекунем, зеро шумо ғолиб мешавед, мо ғолиб мешавем!

2022 Susceptor-и баландсифати MOCVD дар Чин онлайн харед

Зичии намоён:	1,85 г/см3
Муқовимати барқ:	11 мкм
Қувваи флексия:	49 МПа (500кгф/см2)
Сахтии соҳил:	58
Аш:	<5 саҳм
Қобилияти гармидиҳӣ:	116 Вт/мК (100 ккал/мсоат-℃)

Вафли як буридаи кремнийи ғафсии тақрибан 1 миллиметр аст, ки ба туфайли расмиёти аз ҷиҳати техникӣ хеле серталаб сатҳи хеле ҳамвор дорад. Истифодаи минбаъда муайян мекунад, ки кадом тартиби парвариши кристалл бояд истифода шавад. Масалан, дар процесси Чочральский кремнийи поликристалиро гудохта, ба кремнийи гудохта кристалли тухмии тунуки қалам тар карда мешавад. Пас аз он кристали тухмӣ гардиш карда, оҳиста ба боло кашида мешавад. Як колосси хеле вазнин, як кристалл, натиҷа медиҳад. Бо илова кардани воҳидҳои хурди допантҳои тозаи баланд хосиятҳои электрикии монокристаллро интихоб кардан мумкин аст. Кристаллҳо мувофиқи мушаххасоти муштарӣ допинг карда мешаванд ва сипас сайқал дода, ба бурида бурида мешаванд. Пас аз марҳилаҳои гуногуни истеҳсолӣ, муштарӣ вафли мушаххаси худро дар бастабандии махсус қабул мекунад, ки ба фармоишгар имкон медиҳад, ки вафлиро фавран дар хати истеҳсоли худ истифода барад.

Вафли пеш аз он ки барои истифода дар дастгоҳҳои электронӣ омода шавад, бояд аз якчанд марҳила гузарад. Яке аз равандҳои муҳим ин эпитаксияи кремний мебошад, ки дар он вафлиҳо дар ҳассосҳои графит гузаронида мешаванд. Хусусиятҳо ва сифати суссепторҳо ба сифати қабати эпитаксиалии вафель таъсири ҳалкунанда доранд.

Барои марҳилаҳои таҳшиншавии филми тунук, ба монанди эпитаксия ё MOCVD, VET таҷҳизоти ултра тозаи графитро таъмин мекунад, ки барои дастгирии субстратҳо ё "вафлиҳо" истифода мешаванд. Дар асоси раванд, ин таҷҳизот, ҳассосиятҳои эпитаксия ё платформаҳои моҳвораӣ барои MOCVD, аввал ба муҳити таҳшинкунӣ дучор мешаванд:

Ҳарорати баланд.
Вакууми баланд.
Истифодаи прекурсорҳои газии хашмгин.
Ифлосшавии сифр, набудани пӯст.
Муқовимат ба кислотаҳои қавӣ ҳангоми амалиёти тозакунӣ