Сусептори эпитаксиалии эпи графити баррел

Сусептори эпитаксиалии эпи графити баррел

Сусептори эпитаксиалии эпи графити барреляк дастгоҳи махсус тарҳрезишуда ва гармидиҳӣ мебошад, ки барои нигоҳдорӣ ва гарм кардани субстратҳои нимноқил ҳангоми равандҳои истеҳсолӣ, ба монанди равандҳои депозитсия ё эпитаксия истифода мешавад.

Сохтори он маъмулан силиндрӣ ё каме бочкашакл буда, дорои хусусиятҳои рӯизаминӣ якчанд ҷайбҳо ё платформаҳо барои ҷойгир кардани вафлиҳо мебошад, вобаста аз усули гармидиҳӣ метавонад тарҳи сахт ё холӣ бошад.

Вазифаҳои асосии ҳассосияти баррел эпитаксиалӣ:

-Дастгирии субстрат: вафли чанд нимноқилро бехатар нигоҳ медорад;
-Манбаи гармӣ: ҳарорати баландро барои афзоиш тавассути гармкунӣ таъмин мекунад;
-Ягонагии њарорат: гармшавии якхелаи субстратњоро таъмин мекунад;
-Ротатсия: одатан ҳангоми афзоиш барои беҳтар кардани якрангии ҳарорат ва тақсимоти газ давр мезанад.

Принсипи кори ҳассосияти баррели Epi графит:
- Дар реактори эпитаксиалӣ, ҳассосияти бочка то ҳарорати зарурӣ гарм карда мешавад (одатан 1000℃-1200℃ барои эпитаксияи кремний);
-Ссептори баррел барои таъмини тақсимоти якхелаи ҳарорат ва ҷараёни газ давр мезанад;
-Газҳои реактивӣ дар ҳарорати баланд таҷзия шуда, дар сатҳи субстрат қабатҳои эпитаксиалӣ ба вуҷуд меоянд.

Барномаҳо:
-Асосан барои афзоиши эпитаксиали кремний истифода мешавад
-Инчунин барои эпитаксияи дигар маводи нимноқил ба монанди GaAs, InP ва ғайра татбиқ мешавад.

VET Energy барои баланд бардоштани устувории кимиёвӣ графити тозаи баландро бо рӯйпӯши CVD-SiC истифода мебарад:

Бартариҳои VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- устувории ҳарорати баланд;
- якрангии хуби гармӣ;
-Метавонад дар як вақт якчанд субстратҳоро коркард карда, самаранокии истеҳсолотро баланд бардорад;
-Аз ҷиҳати кимиёвӣ ғайрифаъол, нигоҳ доштани муҳити тозагии баланд.