SiC కోటెడ్ గ్రాఫైట్ హాఫ్‌మూన్ పార్ట్is a కీసెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలలో ఉపయోగించే భాగం, ముఖ్యంగా SiC ఎపిటాక్సియల్ పరికరాల కోసం.హాఫ్‌మూన్ పార్ట్ చేయడానికి మేము మా పేటెంట్ టెక్నాలజీని ఉపయోగిస్తాముచాలా అధిక స్వచ్ఛత,మంచిపూతఏకరూపతమరియు అద్భుతమైన సేవా జీవితం, అలాగేఅధిక రసాయన నిరోధకత మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వం లక్షణాలు.
VET శక్తి ఉంది దిCVD పూతతో అనుకూలీకరించిన గ్రాఫైట్ మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ ఉత్పత్తుల యొక్క నిజమైన తయారీదారు,సరఫరా చేయవచ్చువివిధసెమీకండక్టర్ మరియు ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమ కోసం అనుకూలీకరించిన భాగాలు. Oమీ సాంకేతిక బృందం అగ్ర దేశీయ పరిశోధనా సంస్థల నుండి వచ్చింది, మరింత ప్రొఫెషనల్ మెటీరియల్ పరిష్కారాలను అందించగలదుమీ కోసం.
మేము మరింత అధునాతన పదార్థాలను అందించడానికి అధునాతన ప్రక్రియలను నిరంతరం అభివృద్ధి చేస్తాము,మరియుప్రత్యేకమైన పేటెంట్ టెక్నాలజీని రూపొందించారు, ఇది పూత మరియు ఉపరితల మధ్య బంధాన్ని మరింత గట్టిగా మరియు నిర్లిప్తతకు తక్కువ అవకాశంగా చేస్తుంది.
Fమా ఉత్పత్తుల తినుబండారాలు:
1. 1700 వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత℃.
2. అధిక స్వచ్ఛత మరియుఉష్ణ ఏకరూపత
3. అద్భుతమైన తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
4. అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, చక్కటి కణాలు.
5. సుదీర్ఘ సేవా జీవితం మరియు మరింత మన్నికైనది
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలుపూత | |
| 性质 / ఆస్తి | 典型数值 / సాధారణ విలువ |
| 晶体结构 / క్రిస్టల్ నిర్మాణం | FCC β దశ多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / సాంద్రత | 3.21 గ్రా/సెం³ |
| 硬度 / కాఠిన్యం | 2500 维氏硬度 (500g లోడ్) |
| 晶粒大小 / ధాన్యం పరిమాణం | 2~10μm |
| 纯度 / రసాయన స్వచ్ఛత | 99.99995% |
| 热容 / హీట్ కెపాసిటీ | 640 J·kg-1·కె-1 |
| 升华温度 / సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ఫ్లెక్సురల్ స్ట్రెంత్ | 415 MPa RT 4-పాయింట్ |
| 杨氏模量 / యంగ్స్ మాడ్యులస్ | 430 Gpa 4pt బెండ్, 1300℃ |
| 导热系数 / థర్మాఎల్వాహకత | 300W·m-1·కె-1 |
| 热膨胀系数 / థర్మల్ విస్తరణ(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
మా ఫ్యాక్టరీని సందర్శించడానికి మిమ్మల్ని హృదయపూర్వకంగా స్వాగతించండి, మరింత చర్చిద్దాం!
