SiC కోటెడ్ సస్సెట్‌పోర్ అనేది వివిధ సెమీకండక్టర్ తయారీ ప్రక్రియలలో ఉపయోగించే కీలక భాగం. మేము SiC కోటెడ్ సస్సెట్‌పోర్‌ను అత్యంత అధిక స్వచ్ఛత, మంచి పూత ఏకరూపత మరియు అద్భుతమైన సేవా జీవితం, అలాగే అధిక రసాయన నిరోధకత మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వ లక్షణాలతో తయారు చేయడానికి మా పేటెంట్ సాంకేతికతను ఉపయోగిస్తాము.
మా ఉత్పత్తుల యొక్క లక్షణాలు:
1. 1700℃ వరకు అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత.
2. అధిక స్వచ్ఛత మరియు ఉష్ణ ఏకరూపత
3. అద్భుతమైన తుప్పు నిరోధకత: యాసిడ్, క్షార, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.
4. అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, చక్కటి కణాలు.
5. సుదీర్ఘ సేవా జీవితం మరియు మరింత మన్నికైనది
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC యొక్క ప్రాథమిక భౌతిక లక్షణాలుపూత | |
| 性质 / ఆస్తి | 典型数值 / సాధారణ విలువ |
| 晶体结构 / క్రిస్టల్ నిర్మాణం | FCC β దశ多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / సాంద్రత | 3.21 గ్రా/సెం³ |
| 硬度 / కాఠిన్యం | 2500 维氏硬度 (500g లోడ్) |
| 晶粒大小 / ధాన్యం పరిమాణం | 2~10μm |
| 纯度 / రసాయన స్వచ్ఛత | 99.99995% |
| 热容 / హీట్ కెపాసిటీ | 640 J·kg-1·కె-1 |
| 升华温度 / సబ్లిమేషన్ ఉష్ణోగ్రత | 2700℃ |
| 抗弯强度 / ఫ్లెక్సురల్ స్ట్రెంత్ | 415 MPa RT 4-పాయింట్ |
| 杨氏模量 / యంగ్స్ మాడ్యులస్ | 430 Gpa 4pt బెండ్, 1300℃ |
| 导热系数 / థర్మాఎల్వాహకత | 300W·m-1·కె-1 |
| 热膨胀系数 / థర్మల్ విస్తరణ(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
మా ఫ్యాక్టరీని సందర్శించడానికి మిమ్మల్ని హృదయపూర్వకంగా స్వాగతించండి, మరింత చర్చిద్దాం!
