VET ఎనర్జీ యొక్క ఉత్పత్తి శ్రేణి SiC వేఫర్లపై GaNకి మాత్రమే పరిమితం కాలేదు. మేము Si Wafer, SiC సబ్స్ట్రేట్, SOI వేఫర్, SiN సబ్స్ట్రేట్, Epi వేఫర్ మొదలైన అనేక రకాల సెమీకండక్టర్ సబ్స్ట్రేట్ మెటీరియల్లను కూడా అందిస్తాము. అదనంగా, మేము Gallium Oxide Ga2O3 మరియు AlN వంటి కొత్త విస్తృత బ్యాండ్గ్యాప్ సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్లను కూడా చురుకుగా అభివృద్ధి చేస్తున్నాము. వేఫర్, అధిక పనితీరు పరికరాల కోసం భవిష్యత్తులో పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ పరిశ్రమ యొక్క డిమాండ్ను తీర్చడానికి.
VET శక్తి అనువైన అనుకూలీకరణ సేవలను అందిస్తుంది మరియు కస్టమర్ల నిర్దిష్ట అవసరాలకు అనుగుణంగా వివిధ మందాలు, వివిధ రకాల డోపింగ్ మరియు వేర్వేరు పొర పరిమాణాల GaN ఎపిటాక్సియల్ పొరలను అనుకూలీకరించవచ్చు. అదనంగా, మేము అధిక-పనితీరు గల పవర్ ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలను త్వరగా అభివృద్ధి చేయడంలో కస్టమర్లకు సహాయం చేయడానికి ప్రొఫెషనల్ టెక్నికల్ సపోర్ట్ మరియు అమ్మకాల తర్వాత సేవను కూడా అందిస్తాము.
వేఫరింగ్ స్పెసిఫికేషన్లు
*n-Pm=n-రకం Pm-గ్రేడ్,n-Ps=n-రకం Ps-గ్రేడ్,Sl=సెమీ-ల్సులేటింగ్
అంశం | 8-అంగుళాల | 6-అంగుళాల | 4-అంగుళాల | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
విల్లు(GF3YFCD)-సంపూర్ణ విలువ | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
వార్ప్(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
వేఫర్ ఎడ్జ్ | బెవిలింగ్ |
ఉపరితల ముగింపు
*n-Pm=n-రకం Pm-గ్రేడ్,n-Ps=n-రకం Ps-గ్రేడ్,Sl=సెమీ-ల్సులేటింగ్
అంశం | 8-అంగుళాల | 6-అంగుళాల | 4-అంగుళాల | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
ఉపరితల ముగింపు | డబుల్ సైడ్ ఆప్టికల్ పోలిష్, Si- ఫేస్ CMP | ||||
ఉపరితల కరుకుదనం | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
ఎడ్జ్ చిప్స్ | ఏదీ అనుమతించబడలేదు (పొడవు మరియు వెడల్పు≥0.5 మిమీ) | ||||
ఇండెంట్లు | ఏదీ అనుమతించబడలేదు | ||||
గీతలు (Si-Face) | Qty.≤5,సంచితం | Qty.≤5,సంచితం | Qty.≤5,సంచితం | ||
పగుళ్లు | ఏదీ అనుమతించబడలేదు | ||||
ఎడ్జ్ మినహాయింపు | 3మి.మీ |