SiC Coated Graphite Halfmoon Sehemuis a ufunguosehemu inayotumika katika michakato ya utengenezaji wa semiconductor, haswa kwa vifaa vya SiC epitaxial.Tunatumia teknolojia yetu iliyoidhinishwa kufanya sehemu ya nusu mweziusafi wa hali ya juu sana,nzurimipakousawana maisha bora ya huduma, vilevileupinzani wa juu wa kemikali na mali ya utulivu wa joto.
Nishati ya VET ni yamtengenezaji halisi wa bidhaa zilizobinafsishwa za grafiti na silicon na mipako ya CVD,inaweza ugavimbalimbalisehemu zilizobinafsishwa kwa tasnia ya semiconductor na photovoltaic. Otimu ya ufundi ya ur inatoka kwa taasisi za juu za utafiti wa ndani, inaweza kutoa masuluhisho ya nyenzo za kitaalamu zaidikwa ajili yako.
Tunaendeleza michakato ya hali ya juu ili kutoa nyenzo za hali ya juu zaidi,nawametengeneza teknolojia ya kipekee iliyo na hati miliki, ambayo inaweza kufanya muunganiko kati ya mipako na mkatetaka kuwa mgumu zaidi na kukabiliwa na kizuizi.
FMatunda ya bidhaa zetu:
1. Upinzani wa oxidation ya joto la juu hadi 1700℃.
2. Usafi wa juu nausawa wa joto
3. Upinzani bora wa kutu: asidi, alkali, chumvi na vitendanishi vya kikaboni.
4. Ugumu wa juu, uso wa compact, chembe nzuri.
5. Maisha ya huduma ya muda mrefu na ya kudumu zaidi
CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifa za kimsingi za CVD SiCmipako | |
性质 / Mali | 典型数值 / Thamani ya Kawaida |
晶体结构 / Muundo wa Kioo | FCC awamu ya β多晶,主要為(111)取向 |
密度 / Msongamano | 3.21 g/cm³ |
硬度 / Ugumu | 2500 维氏硬度 (mzigo wa 500g) |
晶粒大小 / Nafaka SiZe | 2 ~ 10μm |
纯度 / Usafi wa Kemikali | 99.99995% |
热容 / Uwezo wa Joto | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Usablimishaji Joto | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Nguvu ya Flexural | 415 MPa RT 4-pointi |
杨氏模量 / Modulus ya Vijana | 430 Gpa 4pt bend, 1300 ℃ |
导热系数 / ThermalUendeshaji | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Upanuzi wa Joto(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Karibu sana utembelee kiwanda chetu, tufanye majadiliano zaidi!