SiC beläggning grafit MOCVD Wafer bärare, grafit susceptorer för SiC epitaxi,
Kol levererar susceptorer, epitaxisusceptorer, Grafit levererar susceptorer, Graphite Wafer Susceptorer,

CVD-SiC-beläggning har egenskaperna för enhetlig struktur, kompakt material, hög temperaturbeständighet, oxidationsbeständighet, hög renhet, syra- och alkalibeständighet och organiskt reagens, med stabila fysikaliska och kemiska egenskaper.

Jämfört med högrent grafitmaterial börjar grafit oxidera vid 400C, vilket kommer att orsaka en förlust av pulver på grund av oxidation, vilket resulterar i miljöföroreningar till perifera enheter och vakuumkammare, och ökar föroreningarna i miljön med hög renhet.

SiC-beläggning kan dock bibehålla fysisk och kemisk stabilitet vid 1600 grader. Den används ofta i modern industri, särskilt inom halvledarindustrin.

Vårt företag tillhandahåller SiC-beläggningsprocesstjänster med CVD-metod på ytan av grafit, keramik och andra material, så att speciella gaser som innehåller kol och kisel reagerar vid hög temperatur för att erhålla SiC-molekyler med hög renhet, molekyler avsatta på ytan av de belagda materialen, bildar SIC-skyddsskikt. Den bildade SIC är fast bunden till grafitbasen, vilket ger grafitbasen speciella egenskaper, vilket gör grafitens yta kompakt, porositetsfri, hög temperaturbeständighet, korrosionsbeständighet och oxidationsbeständighet.

Huvudfunktioner:

1. Högtemperaturoxidationsbeständighet:

oxidationsmotståndet är fortfarande mycket bra när temperaturen är så hög som 1700 C.

2. Hög renhet: tillverkad av kemisk ångavsättning under högtemperaturkloreringsförhållanden.

3. Erosionsbeständighet: hög hårdhet, kompakt yta, fina partiklar.

4. Korrosionsbeständighet: syra, alkali, salt och organiska reagenser.

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggningar:

Försörjningsförmåga:

10 000 stycken/stycken per månad
Förpackning och leverans:
Förpackning: Standard och stark förpackning
Polypåse + Box + Kartong + Pall
Hamn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Ledtid: