2022 högkvalitativ MOCVD Susceptor Köp online i Kina, Sic Graphite epitaxi susceptorer,
Grafitstödsubstrat, Grafitsusceptorer, Grafitsusceptorer för SiC-epitaxi, Grafitsusceptorer för kisel, Grafitsusceptorer med kiselkarbidbeläggning, GRAFITVERKTYG I HALVLEDARE Grafitbrickor Graphit Wafer Susceptorer HÖG RENHET GRAFITVERKTYG Optoelektronik, satellitplattformar för MOCVD, SiC-belagda grafitsatellitplattformar för MOCVD,
Särskilda fördelar med våra SiC-belagda grafitsusceptorer inkluderar extremt hög renhet, homogen beläggning och en utmärkt livslängd. De har också hög kemisk beständighet och termiska stabilitetsegenskaper.
SiC-beläggning av grafitsubstrat för halvledarapplikationer ger en del med överlägsen renhet och motståndskraft mot oxiderande atmosfär.
CVD SiC eller CVI SiC appliceras på grafit av enkla eller komplexa designdelar. Beläggning kan appliceras i varierande tjocklekar och på mycket stora delar.
Drag:
· Utmärkt motståndskraft mot termisk stöt
· Utmärkt fysisk stöttålighet
· Utmärkt kemisk beständighet
· Superhög renhet
· Tillgänglighet i komplex form
· Användbar under oxiderande atmosfär
Typiska egenskaper för basgrafitmaterial:
Skenbar densitet: | 1,85 g/cm3 |
Elektrisk resistivitet: | 11 μΩm |
Böjstyrka: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Shore hårdhet: | 58 |
Aska: | <5 ppm |
Värmeledningsförmåga: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Carbon levererar susceptorer och grafitkomponenter till alla nuvarande epitaxireaktorer. Vår portfölj inkluderar fatsusceptorer för applicerade och LPE-enheter, pannkakssusceptorer för LPE-, CSD- och Gemini-enheter, och single-wafer-susceptorer för applicerade och ASM-enheter. Genom att kombinera starka partnerskap med ledande OEM-tillverkare, materialexpertis och tillverkningskunnande, erbjuder den optimala designen för din applikation.