6 Inci N Tipe SiC Wafer ieu direkayasa pikeun kinerja ditingkatkeun dina kondisi ekstrim, sahingga hiji pilihan idéal pikeun aplikasi merlukeun kakuatan tinggi na lalawanan suhu. Produk konci anu aya hubunganana sareng wafer ieu kalebet Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, sareng Substrat SiN. Bahan-bahan ieu ngajamin kinerja optimal dina rupa-rupa prosés manufaktur semikonduktor, ngamungkinkeun alat-alat anu hémat énergi sareng awét.
Pikeun perusahaan anu damel sareng Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, atanapi AlN Wafer, VET Energy's 6 Inch N Type SiC Wafer nyayogikeun pondasi anu dipikabutuh pikeun pangwangunan produk inovatif. Naha éta dina éléktronika kakuatan tinggi atawa panganyarna dina téhnologi RF, wafers ieu mastikeun konduktivitas alus teuing jeung résistansi termal minimal, ngadorong wates efisiensi jeung kinerja.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=n-tipe Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Barang | 8-Inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Ruku (GF3YFCD) -Niley Absolute | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Tepi | Beveling |
Beungeut bérés
*n-Pm=n-tipe Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Barang | 8-Inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Surface Finish | Ganda sisi Polandia optik, Si- Nyanghareupan CMP | ||||
Kakasaran Permukaan | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Raray Ra≤0.2nm | |||
Ujung Chips | Henteu Diidinan (panjang sareng lebar ≥0.5mm) | ||||
Indents | Taya Diijinkeun | ||||
Goresan (Si-Raray) | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | ||
Rengkak | Taya Diijinkeun | ||||
Pangaluaran Tepi | 3 mm |