O le augatupulaga muamua o mea semiconductor o loʻo faʻatusalia e le silikoni masani (Si) ma le germanium (Ge), o le faʻavae lea mo le gaosiga faʻatasi. E masani ona faʻaaogaina i le maualalo-voltage, maualalo-televave, ma le maualalo-mana transistors ma detectors. E sili atu i le 90% o oloa semiconductor o loʻo Faia i mea faʻapipiʻi faʻavae;
O le fa'asologa lona lua o mea semiconductor o lo'o fa'atusalia e le gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP) ma le gallium phosphide (GaP). Pe a faʻatusatusa i masini faʻapipiʻi faʻapipiʻi, o loʻo i ai le maualuga-telefoni ma le televave o mea optoelectronic ma o loʻo faʻaaogaina lautele i fanua o optoelectronics ma microelectronics. ;
O le lona tolu o augatupulaga o mea semiconductor o loʻo faʻatusalia e mea faʻapitoa e pei o le silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO), taimane (C), ma le alumini nitride (AlN).
Silicon carbideo se mea fa'avae taua mo le atina'eina o le gaosiga o le semiconductor lona tolu-tupulaga. Silicon carbide eletise masini e mafai ona fetaui lelei ma le maualuga maualuga, faʻaititia ma le mama manaʻoga o faiga faʻaeletoroni eletise ma a latou mea sili ona lelei maualuga-voltage teteʻe, maualuga vevela tetee, maualalo gau ma isi meatotino.
Ona o le maualuga o mea faʻaletino: vaʻavaʻa maualuga (e tutusa ma le maualuga o le eletise eletise ma le maualuga o le malosi), maualuga le eletise eletise, ma le maualuga o le vevela, e faʻamoemoe e avea ma mea e sili ona faʻaaogaina mo le faia o meataalo semiconductor i le lumanaʻi. . Aemaise lava i le fanua o taavale fou malosi, gaosiga o le eletise photovoltaic, felauaiga nofoaafi, grids atamai ma isi fanua, e manino lelei.
O le faagasologa o le gaosiga o le SiC ua vaevaeina i ni laasaga tetele se tolu: SiC tasi tioata tuputupu aʻe, epitaxial layer tuputupu aʻe ma masini gaosiga, lea e fetaui ma sootaga autu e fa o le filifili alamanuia:mea'ai, epitaxy, masini ma modules.
O le auala autu o le gaosiga o substrates muamua faʻaaogaina le faʻaogaina o le ausa faʻaletino e faʻafefe ai le paʻu i totonu o se siosiomaga vevela vevela, ma faʻatupuina tioata carbide silicon i luga o le tioata fatu e ala i le puleaina o se fanua vevela. O le fa'aaogaina o se fa'amea fa'ama'i silicon carbide e fai ma mea fa'apipi'i, o lo'o fa'aogaina le fa'aputuina o ausa vaila'au e teu ai se vaega o le tioata e tasi i luga o le fa'ama'i e fai ai se ma'i epitaxial. Faatasi ai ma i latou, o le faʻatupuina o le silicon carbide epitaxial layer i luga o le conductive silicon carbide substrate e mafai ona faia i masini eletise, lea e masani ona faʻaaogaina i taavale eletise, photovoltaics ma isi fanua; fa'atupuina se gallium nitride epitaxial layer i luga o se semi-insulatingmea fa'apipi'i carbide silikonie mafai ona toe faia i masini leitio, faʻaaogaina i fesoʻotaʻiga 5G ma isi faʻalapotopotoga.
Mo le taimi nei, o le silicon carbide substrates o loʻo i ai le maualuga o pa puipui faʻapitoa i le filifili alamanuia silicon carbide, ma silicon carbide substrates e sili ona faigata ona gaosia.
O le gaosiga o fagu o le SiC e leʻi maeʻa ona foia, ma o le tulaga lelei o poutu tioata mata e le mautu ma o loʻo i ai se faʻafitauli o le gaosiga, lea e oʻo atu ai i le tau maualuga o masini SiC. E na'o le averesi o le 3 aso mo mea silicon e tupu a'e ma avea ma se tioata tioata, ae e mana'omia le vaiaso mo se fa'amea tioata silicon carbide. E mafai ona tupu le 200cm le umi o le tootoo tioata silicon carbide, ae na'o le 2cm le umi e mafai ona tupu ai se tootoo tioata silicon carbide. E le gata i lea, o le SiC lava ia o se mea malō ma ma'ale'ale, ma o fasi apa e fai i ai e faigofie ona ta'e mata pe'a fa'aogaina le tipiina fa'ainisinia masani, e afaina ai fua o oloa ma le fa'amaoni. SiC substrates e matua ese lava mai mea masani silicon ingots, ma o mea uma mai meafaigaluega, faagasologa, gaioiga i le tipiina e manaʻomia ona atiaʻe e faʻaogaina ai le kasa silikoni.
Ole filifili ole alamanuia silicon carbide e masani ona vaevaeina i ni sootaga tetele se fa: substrate, epitaxy, masini ma talosaga. O mea faʻapipiʻi o le faʻavae lea o le filifili alamanuia, o mea epitaxial o le ki lea i le gaosiga o masini, o masini o le totonugalemu lea o le filifili o alamanuia, ma o talosaga o le malosi lea mo le atinaʻeina o pisinisi. O le alamanuia i luga e faʻaaogaina mea mataʻutia e fai ai mea faʻapipiʻi e ala i auala faʻafefeteina o le tino ma isi metotia, ona faʻaaogaina lea o metotia faʻafefe o vailaʻau ma isi auala e tupu ai mea epitaxial. O lo'o fa'aogaina e le alamanuia ogatotonu mea i luga e fai ai masini fa'asalalau, masini eletise ma isi masini, lea e fa'aaoga mulimuli i feso'ota'iga 5G i lalo. , taavale eletise, nofoaafi felauaiga, ma isi. Faatasi ai ma i latou, substrate ma le epitaxy account mo le 60% o le tau o le alamanuia filifili ma o le taua autu o le filifili alamanuia.
SiC substrate: SiC tioata e masani ona gaosia e faʻaaoga ai le auala Lely. O oloa fa'ava-o-malo o lo'o fesuia'i mai le 4 inisi i le 6 inisi, ma ua fa'atupuina le 8-inisi oloa fa'aulu. O mea'ai i totonu ole fale e tele lava ile 4 inisi. Talu ai e mafai ona faʻaleleia ma suia laina faʻapipiʻi 6-inisi o loʻo i ai nei e gaosia ai masini SiC, o le maualuga o le maketi o le 6-inisi SiC substrates o le a tausia mo se taimi umi.
O le fa'agasologa o le substrate silicon carbide e lavelave ma faigata ona gaosia. Silicon carbide substrate o se semiconductor faʻapipiʻi mea tioata tasi e aofia ai elemene e lua: carbon ma silicon. I le taimi nei, e masani ona faʻaaogaina e le alamanuia le paʻu kaponi mama maualuga ma le paʻu silikoni maualuga e fai ma mea mata e faʻapipiʻi ai le paʻu carbide silicon. I lalo o se fanua vevela faʻapitoa, o le faʻaogaina o le ausa faʻaletino matua (Metotia PVT) e faʻaaogaina e faʻatupu ai le carbide silikoni o lapopoa eseese i totonu o se ogaumu tuputupu aʻe tioata. O le ingot tioata ua iu lava ina fa'agaioia, tipi, fa'aele'ele, fa'aiila, fa'amama ma isi faiga e tele e maua mai ai se su'ega carbide silicon.
Taimi meli: Me-22-2024