Metotia fou e maua ai transistors malosi: Transmorphic epitaxial tuputupu aʻe o AlN nucleation layers i luga ole SiC substrates mo transistors manifinifi gaN maualuga- malepe - ScienceDaily

O se auala fou e fa'apipi'i fa'atasi ai vaega o semiconductor e manifinifi e pei o ni nai nanometers ua i'u ai e le gata o se su'esu'ega fa'asaienisi ae fa'apea fo'i se ituaiga fou o transistor mo masini eletise maualuga. O le taunuuga, lomia i le Applied Physics Letters, ua faaosofia ai le fiafia tele.

O le taunu'uga o le taunu'uga lea o se felagolagoma'i vavalalata i le va o saienitisi i le Iunivesite o Linköping ma SweGaN, o se kamupani fa'atosina mai su'esu'ega fa'asaienisi meafaitino i LiU. E gaosia e le kamupani mea fa'aeletoroni fa'apitoa mai le gallium nitride.

Gallium nitride, GaN, o se semiconductor faʻaaogaina mo le lelei o le moli-emitting diodes. Ae ui i lea, e mafai foi ona aoga i isi talosaga, e pei o transistors, talu ai e mafai ona tatalia le maualuga o le vevela ma le malosi o loʻo i ai nei nai lo le tele o isi semiconductor. O mea taua ia mo vaega fa'aeletoroni i le lumana'i, ae le itiiti mo i latou e fa'aaogaina i ta'avale eletise.

O le ausa o le Gallium nitride e fa'ataga e fa'asa'o i luga o se fa'amea fa'asala o le silicon carbide, ma fa'atupu ai se pa'u manifinifi. O le auala e faʻatupuina ai se mea tioata tioata i luga o se mea faʻapipiʻi o le isi e taʻua o le "epitaxy." O le metotia e masani ona faʻaaogaina i totonu o le semiconductor alamanuia talu ai e maua ai le saolotoga tele i le fuafuaina o le fausaga tioata ma le vailaʻau o le nanometer ata na faia.

O le tuʻufaʻatasiga o le gallium nitride, GaN, ma le silicon carbide, SiC (o ia mea uma e mafai ona tatalia le malosi o le eletise), faʻamautinoa e fetaui lelei ia taʻaloga mo faʻaoga e manaʻomia ai malosiaga maualuga.

O le fetaui i luga o le va o mea tioata e lua, gallium nitride ma silicon carbide, e ui i lea, e le lelei. O atoms e iu ina le fetaui le tasi ma le isi, lea e tau atu i le toilalo o le transistor. O lenei mea na faʻatalanoaina e suʻesuʻega, lea na mulimuli ane taʻitaʻia ai se fofo faʻapisinisi, lea na tuʻuina ai se vaega sili atu o le alumini nitride i le va o laulau e lua.

Na iloa e le au inisinia i SweGaN e mafai e a latou transistors ona feagai ma malosiaga sili atu le maualuga nai lo le mea na latou faʻamoemoeina, ma latou te leʻi malamalama muamua pe aisea. O le tali e mafai ona maua i le atomic level - i ni nai vaega taua i totonu o vaega.

Tagata suʻesuʻe i LiU ma SweGaN, taʻitaʻia e LiU's Lars Hultman ma Jun Lu, o loʻo i ai i le Applied Physics Letters se faʻamatalaga o le faʻalavelave, ma faʻamatalaina se auala e gaosia ai le transistors ma se malosi sili atu e tetee atu ai i voltage maualuga.

Ua maua e saienitisi se mea e le masani ai le tuputupu ae o le epitaxial, lea na latou faaigoaina o le "transmorphic epitaxial growth." E mafua ai ona faasolosolo malie le a'afia i le va o laulau eseese i luga o ni vaega se lua o atoma. O lona uiga e mafai ona latou faʻatupuina le lua laulau, gallium nitride ma le alumini nitride, i luga o le silicon carbide i se auala e pulea ai i le atomic level pe faʻafefea ona fesoʻotaʻi le tasi ma le isi i le meafaitino. I totonu o le fale suʻesuʻe na latou faʻaalia ai o le meafaitino e tetee atu i le maualuga o voltage, e oʻo atu i le 1800 V. Afai e tuʻuina sea voltage i luga o se vaega faʻavae silicon masani, o aloiafi o le a amata ona felelei ma o le a faʻaumatia le transistor.

“Matou te faamalo atu ia SweGaN a o amata ona latou maketiina le mea fou. E fa'aalia ai le galulue fa'atasi lelei ma le fa'aogaina o taunu'uga o su'esu'ega i le sosaiete. Ona o le vavalalata o matou fesoʻotaʻiga ma a matou paaga muamua o loʻo galulue nei mo le kamupani, o matou suʻesuʻega e vave ona i ai se aafiaga i fafo atu o le lalolagi faʻaleaʻoaʻoga, "o le tala lea a Lars Hultman.

Mea e saunia e Linköping University. Muamua na tusia e Monica Westman Svenselius. Fa'aaliga: E mafai ona fa'asa'o mea mo le sitaili ma le umi.

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Taimi meli: Me-11-2020
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