I le kasa silicon carbide faagasologa tuputupu ae tioata tasi, felauaiga ausa faaletino o le auala autu alamanuia o loo i ai nei. Mo le auala tuputupu aʻe PVT,silikon carbide pautaei ai se aafiaga tele i le faagasologa o le tuputupu ae. Parata uma osilikon carbide pautaaafia tuusaʻo le lelei o le tuputupu ae tioata tasi ma meatotino eletise. I fa'aoga fa'apisinisi i le taimi nei, o le fa'aaogaina masanisilikon carbide pautafa'agasologa o le fa'atupuina o le fa'atupuina o le vevela maualuga.
O le auala e fa'aogaina ai le vevela maualuga e fa'aogaina e le tagata lava ia le vevela maualuga e tu'uina atu ai le vevela muamua e amata ai gaioiga fa'a-kemikolo, ona fa'aaoga ai lea o lona lava vevela fa'a'ese'ese e fa'ataga ai mea e le'i fa'againa e fa'aauau pea ona fa'amae'a le fa'a'ave'esea. Ae ui i lea, talu ai o le gaioiga faʻasolosolo a Si ma C e faʻaitiitia ai le vevela, e tatau ona faʻaopoopo isi mea faʻafefe e faʻamautu ai le tali. O le mea lea, o le toʻatele o tagata atamamai ua tuʻuina atu se faʻaleleia atili o le faʻaogaina o le tagata lava ia i luga o lenei faʻavae, faʻafeiloaʻi o se activator. O le auala e fa'asalalauina e le tagata lava ia e faigofie tele ona fa'atinoina, ma o fa'asologa fa'asologa eseese e faigofie ona pulea lelei. O le fa'aputuga tetele e fetaui ma mana'oga o pisinisi.
I le amataga o le 1999, na faʻaogaina ai e Bridgeport le faʻaogaina o le faʻaogaina o le maualuga o le vevela auala e faʻapipiʻi ai.SiC pauta, ae na faʻaaogaina le ethoxysilane ma le phenol resin e fai ma mea mata, lea e taugata. Gao Pan ma isi na faʻaaogaina le paʻu Si paʻu ma le C paʻu e fai ma mea mata e faʻapipiʻiSiC pautae ala i le maualuga o le vevela o le tali atu i se atemosifia argon. Na saunia e Ning Lina se vaega-teleSiC pautae ala i le tu'ufa'atasiga lona lua.
O le ogaumu fa'avevela fa'avevela e fa'atupuina e le Second Research Institute a China Electronics Technology Group Corporation e fa'afefiloi tutusa le pauta silicon ma le pa'u kaponi i se fua fa'atatau stoichiometric ma tu'u ai i totonu o se fa'apalapala graphite. O legraphite ipuo lo'o tu'uina i totonu o se ogaumu fa'avevela mo le fa'avevelaina, ma o le suiga o le vevela e fa'aaogaina e fa'apipi'i ma suia ai le vaega maualalo o le vevela ma le maualuga o le vevela vaega silicon carbide. Talu ai ona o le vevela o le β-SiC synthesis tali i le vaega maualalo-vevela e maualalo ifo nai lo le vevela vevela o Si, o le tuʻufaʻatasiga o le β-SiC i lalo ole vacuum maualuga e mafai ona mautinoa lelei le faʻalauteleina o le tagata lava ia. O le auala o le faʻaofiina o le argon, hydrogen ma le HCl gas i le tuʻufaʻatasiga o le α-SiC e taofia ai le pala oSiC pautai le tulaga maualuga-vevela, ma e mafai ona faʻaitiitia lelei le anotusi o le nitrogen i le α-SiC paʻu.
Na mamanuina e Shandong Tianyue se ogaumu faʻapipiʻi, e faʻaaoga ai le kasa silane e pei o mea mataʻutia ma le paʻu carbon e pei o le carbon raw material. O le aofaʻi o kesi mea mata na faʻafeiloaʻi na fetuunaʻi i se auala faʻapipiʻi lua-laasaga, ma o le faʻasologa mulimuli o le silicon carbide particle size i le va o le 50 ma le 5 000 um.
1 Puleaina mea taua o le faiga o le pa'u
1.1 A'afiaga ole lapopo'a o le pauta ile tuputupu a'e tioata
O le lapopoa o le pa'u o le silicon carbide e iai se aafiaga taua tele i le tuputupu a'e tioata tasi. O le tuputupu aʻe o le tioata tasi SiC e ala i le PVT auala e masani lava ona ausia e ala i le suia o le fua faatatau molar o le silicon ma carbon i le vaega vaega o le kesi, ma le fua faatatau molar o le silikoni ma carbon i le vaega vaega o le kesi e fesootai ma le tele o vaega o le silicon carbide pauta. . O le aofa'i o le mamafa ma le silicon-carbon ratio o le fa'atuputeleina fa'atupula'ia fa'atasi ma le fa'aitiitia o le lapopo'a. A fa'aitiitia le lapopo'a mai le 2-3 mm i le 0.06 mm, e fa'atupula'ia le fua o le silicon-carbon mai le 1.3 i le 4.0. Pe a laʻititi vaega laiti i se tulaga patino, o le Si vaega mamafa faʻatuputeleina, ma o se vaega o le ata tifaga ua faia i luga o le mata o le tioata tuputupu ae, faaosofia ai le gas-suava-malosi tuputupu ae, lea e aafia ai le polymorphism, tulaga faaletonu ma laina faaletonu. i le tioata. O le mea lea, e tatau ona pulea lelei le lapopoa o le silicon carbide pauta maualuga-mama.
E le gata i lea, pe a laʻititi laʻititi le tele o le paʻu paʻu SiC, e vave ona pala le paʻu, e mafua ai le faʻateleina o le SiC tioata tasi. I le tasi itu, i le siʻosiʻomaga maualuga-vevela o le tuputupu aʻe tioata tasi SiC, o faiga e lua o le faʻasologa ma le faʻaleagaina o loʻo faia i le taimi e tasi. Silicon carbide pauta o le a pala ma fausia carbon i le vaega kesi ma vaega mautu e pei o Si, Si2C, SiC2, e mafua ai i carbonization ogaoga o polycrystalline paʻu ma le fausia o inclusions carbon i le tioata; i le isi itu, pe a vave tele le faʻaleagaina o le paʻu, o le fausaga tioata o le tioata SiC ua tupu aʻe e faigofie ona suia, e faigata ai ona pulea le lelei o le tioata SiC matua.
1.2 Aafiaga o foliga tioata pauta ile tuputupu ae tioata
O le tuputupu aʻe o SiC tioata tasi e ala i le PVT auala o se faiga sublimation-recrystallization i le vevela maualuga. Ole foliga tioata ole SiC raw material e iai sona aafiaga taua ile tuputupu ae tioata. I le faʻagasologa o le faʻaogaina o le paʻu, o le vaega maualalo o le vevela (β-SiC) faʻatasi ai ma se fausaga kupita o le iunite cell ma le maualuga-vevela synthesis vaega (α-SiC) faʻatasi ai ma se fausaga hexagonal o le iunite cell o le a tele lava ina gaosia. . E tele ituaiga tioata tioata silicon carbide ma se vaapiapi e pulea le vevela. Mo se faʻataʻitaʻiga, 3C-SiC o le a liua i le hexagonal silicon carbide polymorph, ie 4H/6H-SiC, i le vevela i luga aʻe o le 1900°C.
I le faagasologa o le tuputupu aʻe o le tioata e tasi, pe a faʻaaogaina le paʻu β-SiC e tupu ai tioata, o le silicon-carbon molar ratio e sili atu nai lo le 5.5, ae a faʻaaogaina le paʻu α-SiC e tupu ai tioata, o le silicon-carbon molar ratio o le 1.2. A o'o i luga le vevela, e tupu se suiga vaega i totonu o le u'amea. I le taimi nei, o le fua o le molar i le vaega o le kesi e faʻateleina, lea e le faʻaogaina i le tuputupu aʻe tioata. E le gata i lea, o isi mea leaga o le kasa, e aofia ai le carbon, silicon, ma le silicon dioxide, e faigofie ona gaosia i le faagasologa o suiga o vaega. O le iai o nei mea leaga e mafua ai ona fa'atupuina e le tioata ni microtubes ma gaogao. O le mea lea, e tatau ona pulea lelei le foliga tioata pauta.
1.3 Aafiaga o le paʻu eleelea ile tuputupu aʻe tioata
O mea le mama i totonu o le paʻu SiC e aʻafia ai le faʻalavelave faʻafuaseʻi i le tuputupu aʻe tioata. O le maualuga o mea le mama, o le itiiti ifo lea o le tioata e faʻafuaseʻi ona faʻamaʻi. Mo le SiC, o faʻamaʻi uʻamea autu e aofia ai le B, Al, V, ma le Ni, lea e mafai ona faʻafeiloaʻi e ala i meafaigaluega gaosi i le taimi o le gaosiga o le paʻu silicon ma le paʻu carbon. Faatasi ai ma i latou, B ma Al o le paʻu papaʻu maualuga maualuga le taliaina o mea eleelea i SiC, e mafua ai le faʻaitiitia o le SiC resistivity. O isi mea eleelea uamea o le a faʻafeiloaʻi ai le tele o le malosi, e mafua ai le le mautonu o mea eletise o SiC tioata tasi i le maualuga o le vevela, ma e sili atu le aʻafiaga i mea eletise o le maualuga o le mama semi-insulating substrates tioata tasi, aemaise lava le resistivity. O le mea lea, e tatau ona faʻapipiʻiina le paʻu carbide silikoni maualuga i le tele e mafai ai.
1.4 A'afiaga o mea oona i totonu o le pauta i luga o le tuputupu a'e tioata
O le maualuga o mea e maua ai le nitrogen e fuafua ai le resistivity o le mea tioata tioata e tasi. E mana'omia e le au gaosi oloa tetele ona fetu'una'i le fa'aogaina o le nitrogen doping i mea fa'apipi'i e tusa ai ma le fa'atupuina o le tioata matua i le taimi o le fa'afefiloi o le pa'u. High-mama semi-insulating silicon carbide substrates tioata tasi o mea sili ona folafola mo vaega faaeletonika autu militeri. Ina ia tupu maualuga-mama semi-insulating substrates tioata tasi ma le resistivity maualuga ma sili meatotino eletise, o le anotusi o le nitrogen eleelea autu i le substrate e tatau ona pulea i se tulaga maualalo. E mana'omia le fa'atonuina o mea e maua mai ai le nitrogen i se tulaga maualuga.
2 Fa'atekonolosi fa'atonutonu autu mo le fa'aogaina o le pa'u
Ona o le ese'esega o le fa'aogaina o si'osi'omaga o le silicon carbide substrates, o le fa'aogaina o tekonolosi mo pa'u tuputupu a'e e iai fo'i faiga eseese. Mo N-ituaiga conductive tasi tioata tuputupu ae powders, maualuga le mama mama ma vaega tasi e manaomia; a'o mo pa'u fa'atupu tioata fa'atosina e tasi, e mana'omia le pulea lelei o mea oona.
2.1 Puleaina o le tele o vaega o le pauta
2.1.1 Fa'afefiloi vevela
O le fa'atumauina o isi tulaga fa'agasologa e le suia, o pa'u SiC na fa'atupuina i le vevela fa'atasi o le 1900 ℃, 2000 ℃, 2100 ℃, ma le 2200 ℃ sa fa'ata'ita'iina ma au'ili'ili. E pei ona faʻaalia i le Ata 1, e mafai ona iloa o le tele o le 250 ~ 600 μm i le 1900 ℃, ma le faʻateleina o le 600 ~ 850 μm i le 2000 ℃, ma le suiga tele o le tele o mea. A faʻaauau pea le maualuga o le vevela i le 2100 ℃, o le tele o le paʻu SiC e 850 ~ 2360 μm, ma o le faʻaopoopoga e foliga mai e agamalu. Ole tele ole SiC ile 2200 ℃ e mautu ile 2360 μm. O le fa'atuputeleina o le vevela fa'apipi'i mai le 1900 ℃ e iai sona a'afiaga lelei ile lapo'a SiC. Pe a fa'aauau pea ona fa'atupula'ia le vevela o le tu'ufa'atasia mai le 2100 ℃, e le toe suia tele le lapo'a o le fasimea. O le mea lea, pe a seti le vevela faʻapipiʻi i le 2100 ℃, e mafai ona faʻapipiʻiina se lapoʻa lapoʻa tele i le faʻaitiitia o le malosi.
2.1.2 Taimi fa'apipi'i
O isi tulaga o le faagasologa e tumau pea e le suia, ma o le taimi o le tuufaatasia e seti i le 4 itula, 8 itula, ma le 12 itula. O le su'esu'ega fa'ata'ita'iga o le pa'u SiC o lo'o fa'aalia i le Ata 2. O lo'o maua ai o le taimi fa'apipi'i e iai sona a'afiaga tele i le lapopoa o le SiC. A oʻo i le taimi faʻapipiʻi e 4 h, o le tele o le vaega e masani ona tufatufaina i le 200 μm; pe a oʻo i le taimi faʻapipiʻi o le 8 h, o le tele o mea faʻapipiʻi faʻapipiʻi faʻateleina faʻateleina, e masani ona tufatufaina atu ile 1 000 μm; a'o fa'aauau pea le fa'atuputeleina o le taimi fa'aopoopo, fa'atuputeleina atili le tele o vaega, fa'ateleina fa'asoa ile 2 000 μm.
2.1.3 A'afiaga ole lapopo'a o fasimea mata'utia
A'o faasolosolo malie le fa'aleleia atili o le filifili o mea gaosi oloa i totonu o le atunu'u, o lo'o fa'aleleia atili fo'i le mama o meafaitino. I le taimi nei, o mea faʻaoga silikoni faʻaaogaina i le tuʻufaʻatasiga e masani ona vaevaeina i le silicon granular ma powdered silicon, e pei ona faʻaalia i le Ata 3.
E ese'ese mea'ai mata'i sa fa'aogaina e fa'atino ai su'esu'ega fa'ata'ita'iga fa'ameamea. O le faʻatusatusaga o oloa gaosia o loʻo faʻaalia i le Ata 4. O suʻesuʻega o loʻo faʻaalia ai pe a faʻaogaina poloka poloka silicon raw material, o loʻo i ai le tele o elemene Si i totonu o le oloa. A maeʻa ona tuʻimomomoina le poloka silicon mo le taimi lona lua, o le elemene Si i totonu o le oloa gaosia e matua faʻaitiitia, ae o loʻo i ai pea. Ma le mea mulimuli, o le paʻu silicon e faʻaaogaina mo le tuʻufaʻatasia, ma naʻo SiC o loʻo iai i totonu o le oloa. E mafua ona i le faagasologa o le gaosiga, e manaʻomia e le silicon granular lapopoʻa le faʻaogaina muamua o le faʻaogaina o luga, ma faʻapipiʻiina le carbide silicon i luga o le fogaeleele, lea e taofia ai le paʻu Si i totonu mai le faʻapipiʻiina ma le paʻu C. O le mea lea, afai e faʻaaogaina poloka poloka e fai ma mea mata, e manaʻomia ona tuʻimomomoina ona tuʻimomomoina lea i le faʻagasologa lona lua e maua ai le paʻu carbide silicon mo le tuputupu aʻe tioata.
2.2 Pulea foliga tioata pauta
2.2.1 A'afiaga o le vevela o le tu'ufa'atasiga
O le fa'atumauina o isi tulaga fa'agasologa e le suia, o le vevela o le fa'asologa o le 1500 ℃, 1700 ℃, 1900 ℃, ma le 2100 ℃, ma o le pa'u SiC gaosia e fa'ata'ita'i ma au'ili'ili. E pei ona faʻaalia i le Ata 5, β-SiC e lanu samasama, ma le α-SiC e mama i le lanu. I le matauina o le lanu ma le morphology o le paʻu faʻapipiʻi, e mafai ona faʻamautinoa o le oloa faʻapipiʻiina o le β-SiC i le vevela o le 1500 ℃ ma le 1700 ℃. I le 1900 ℃, o le lanu e sili atu ona malamalama, ma faʻaalia vaega hexagonal, e faʻaalia ai a maeʻa le vevela i le 1900 ℃, e tupu se suiga vaega, ma o se vaega o le β-SiC ua liua i le α-SiC; pe a faʻaauau pea le maualuga o le vevela i le 2100 ℃, e maua ai o mea faʻapipiʻi e manino, ma o le α-SiC ua matua liua.
2.2.2 Aafiaga o le taimi fa'aopoopo
O isi tulaga o le faagasologa e tumau pea e le suia, ma o le taimi fa'apipi'i e seti i le 4h, 8h, ma le 12h, i le faasologa. O le paʻu SiC faʻatupuina e faʻataʻitaʻiina ma suʻesuʻeina e le diffractometer (XRD). O faʻaiʻuga o loʻo faʻaalia i le Ata 6. O le taimi faʻapipiʻi ei ai se aafiaga faʻapitoa i le oloa faʻapipiʻiina e le paʻu SiC. A oʻo i le taimi faʻapipiʻi o le 4 h ma le 8 h, o le oloa gaosia e masani lava 6H-SiC; pe a oʻo i le 12 itula le taimi faʻapipiʻi, e aliali mai le 15R-SiC i le oloa.
2.2.3 Aafiaga ole fua faatatau o mea mata
O isi faiga e tumau pea e le suia, o le aofaʻi o mea silicon-carbon e suʻesuʻeina, ma o fua faatatau e 1.00, 1.05, 1.10 ma le 1.15 i le faasologa mo suʻega faʻasologa. O fa'ai'uga o lo'o fa'aalia ile Ata 7.
Mai le fusi o le XRD, e mafai ona iloa pe a sili atu le silicon-carbon ratio nai lo le 1.05, sili atu Si faʻaalia i totonu o le oloa, ma pe a itiiti ifo le silicon-carbon ratio i le 1.05, sili atu C e aliali mai. Pe a o'o i le 1.05 le fua fa'atatau o le silicon-carbon, o le kaponi maua fua i totonu o le oloa gaosia e matua fa'aumatia, ma e leai se kalone e maua fua. O le mea lea, o le aofaʻi o fua faatatau o le silicon-carbon ratio e tatau ona 1.05 e faʻapipiʻi maualuga-mama SiC.
2.3 Puleaina o le maualalo o le nitrogen i totonu o le pauta
2.3.1 Mea fa'akomepiuta
O mea mata'ina o lo'o fa'aaogaina i lenei fa'ata'ita'iga o le pa'u kaponi mama maualuga ma le pa'u silikoni mama ma le lautele ole 20 μm. Ona o le laʻititi laʻititi laʻititi ma le tele o vaega faʻapitoa, e faigofie ona faʻafefe N2 i le ea. Pe a faʻapipiʻiina le paʻu, o le a aumaia i totonu o foliga tioata o le pauta. Mo le tuputupu aʻe o tioata N-ituaiga, o le le tutusa o le doping o le N2 i totonu o le paʻu e taʻitaʻia ai le tetee le tutusa o le tioata ma e oʻo lava i suiga i foliga tioata. Ole mea e maua ai le nitrogen ole pa'u fa'afefiloi pe a uma ona tu'uina atu ole hydrogen e matua maualalo lava. E mafua ona o le tele o mole mole o le hydrogen e laiti. Pe a faʻafefete le N2 i totonu o le paʻu carbon ma le paʻu silicon e vevela ma pala mai luga, H2 faʻasalalau atoatoa i le va i le va o paʻu ma lona laʻititi laʻititi, sui le tulaga o le N2, ma le N2 e sola ese mai le paʻu i le faagasologa o le gaogao, ausia le faʻamoemoe o le aveese o le nitrogen content.
2.3.2 Fa'agasologa o le fa'asologa
I le taimi o le tuʻufaʻatasiga o le paʻu o le carbide silicon, talu ai o le radius o carbon atoms ma nitrogen atoms e tutusa, o le nitrogen o le a suia avanoa carbon i le silicon carbide, ma faʻateleina ai le anotusi nitrogen. O lenei faiga faʻataʻitaʻiga e faʻaaogaina ai le auala e faʻafeiloaʻi ai le H2, ma le H2 e tali atu i elemene carbon ma silicon i le faʻapipiʻi faʻapipiʻi e faʻatupu ai kasa C2H2, C2H, ma SiH. E fa'atupula'ia le anotusi o le kaponi e ala i le felauaiga o le kasa, ma fa'aitiitia ai avanoa avanoa. Ua ausia le faʻamoemoega o le aveesea o le nitrogen.
2.3.3 Fa'agasologa o le fa'atonutonuina o mea e maua ai le nitrogen
Graphite crucibles ma le porosity tele e mafai ona faʻaaogaina e avea ma faʻaopoopoga C puna e faʻafefe ai Si ausa i vaega vaega o le kesi, faʻaitiitia Si i vaega vaega kesi, ma faʻapupulaina ai le C / Si. I le taimi lava e tasi, e mafai foi ona tali atu graphite crucibles ma le siosiomaga Si e maua ai le Si2C, SiC2 ma le SiC, lea e tutusa ma le siosiomaga Si e aumaia C puna mai graphite crucible i le siosiomaga tuputupu ae, faateleina le fua faatatau C, ma faateleina ai foi le carbon-silicon ratio. . O le mea lea, e mafai ona faʻateleina le fua faʻatatau o le carbon-silicon e ala i le faʻaaogaina o graphite crucibles ma le tele o le porosity, faʻaitiitia ai avanoa carbon, ma ausia le faʻamoemoe o le aveesea o le nitrogen.
3 Su'esu'ega ma le fa'atulagaina o le fa'agasologa o le fa'agasologa o le pauta tioata
3.1 Fa'avae ma le mamanu o le fa'agasologa o le tu'ufa'atasiga
E ala i le suʻesuʻega atoatoa o loʻo taʻua i luga i luga o le puleaina o le lapopoa, foliga tioata ma mea e maua ai le nitrogen o le faʻaogaina o le paʻu, o loʻo tuʻuina atu ai se faʻagasologa o le faʻaogaina. O le paʻu C ma le Si paʻu ua filifilia, ma e faʻafefiloi tutusa ma utaina i totonu o se faʻamau faʻapipiʻi e tusa ai ma le fua faʻatatau o le silicon-carbon o le 1.05. O laasaga o le faagasologa e masani ona vaevaeina i vaega e fa:
1) Faʻagasologa o le faʻaleagaina o le vevela, faʻamama i le 5 × 10-4 Pa, ona faʻafeiloaʻi lea o le hydrogen, faʻapipiʻi le potu e uiga i le 80 kPa, faʻatumauina mo le 15 min, ma toe fai fa. O lenei faiga e mafai ona aveese elemene nitrogen i luga o le paʻu kaponi ma le pauta silikoni.
2) Faʻagasologa o le denitrification maualuga, faʻamama i le 5 × 10-4 Pa, ona faʻamafanafanaina lea i le 950 ℃, ona faʻafeiloaʻi lea o le hydrogen, faia le mamafa o le potu e uiga i le 80 kPa, tausia mo le 15 min, ma toe fai fa. O lenei faiga e mafai ona aveese elemene nitrogen i luga o le paʻu kaponi ma le paʻu silicon, ma faʻaosoina le nitrogen i totonu o le vevela.
3) Faʻasologa o le faʻagasologa o le vaega maualalo o le vevela, aveese i le 5 × 10-4 Pa, ona vevela lea i le 1350 ℃, taofi mo le 12 itula, ona faʻafeiloaʻi lea o le hydrogen e fai ai le mamafa o le potu e uiga i le 80 kPa, taofi mo le 1 itula. O lenei faiga e mafai ona aveese le nitrogen volatilized i le faagasologa o le synthesis.
4) Faʻasologa o le faʻagasologa o le vevela maualuga, faʻatumu i se fua faatatau o le tafe o le kasa maualuga o le hydrogen mama ma le argon fefiloi kasa, faia le mamafa o le potu e tusa ma le 80 kPa, siitia le vevela i le 2100 ℃, taofi mo le 10 itula. O lenei faiga e faʻamaeʻa ai le suiga o le paʻu karbide silicon mai le β-SiC i le α-SiC ma faʻamaeʻa ai le tuputupu aʻe o mea tioata tioata.
Mulimuli ane, fa'atali se'i mālūlū le vevela o le potu i le vevela o le potu, fa'atumu i le mamafa o le ea, ma aveese le pauta.
3.2 Fa'agasologa ole fa'agasologa ole pauta
A maeʻa ona faʻapipiʻiina le paʻu e ala i le faʻagasologa o loʻo i luga, e tatau ona maeʻa ona faʻagasolo e aveese fua le kaponi, silicon ma isi uʻamea leaga ma siaki le tele o vaega. Muamua, o le paʻu faʻapipiʻiina e tuʻuina i totonu o se polo vili mo le tuʻimomomoina, ma o le paʻu carbide silicon nutimomoia e tuʻu i totonu o se ogaumu muffle ma faʻavevela i le 450 ° C e le okesene. O le kaponi saoloto i totonu o le paʻu e faʻamaʻiina e le vevela e faʻatupu ai le kasa carbon dioxide lea e sola ese mai le potu, ma ausia ai le aveesea o le kaponi saoloto. Mulimuli ane, e saunia se vai faʻamamaina acidic ma tuʻu i totonu o se masini faʻamama carbide silicon carbide mo le faʻamama e aveese ai le kaponi, silikoni ma le uʻamea o loʻo totoe i le taimi o le faʻasologa. A maeʻa lena, e fufulu le acid o totoe i le vai mama ma faʻagogo. O le pauta fa'amago e su'e i se lau vibrating mo le filifilia o lapopo'a mo le tuputupu a'e tioata.
Taimi meli: Au-08-2024