faaletonu tafatolu
O fa'aletonu tafatolu o fa'aletonu pito sili ona mata'utia i le SiC epitaxial layers. O le tele o lipoti o tusitusiga ua faʻaalia ai o le faʻavaeina o faʻaletonu tafatolu e fesoʻotaʻi ma le foliga tioata 3C. Ae ui i lea, ona o auala eseese o le tuputupu ae, o le morphology o le tele o faaletonu tafatolu i luga o le pito i luga o le epitaxial layer e matua ese lava. E mafai ona vaevaeina i vaega nei:
(1) E iai faaletonu tafatolu ma ni vaega tetele i le pito i luga
O lenei ituaiga o fa'aletonu tafatolu o lo'o i ai se vaega spherical tele i le pito i luga, e ono mafua mai i mea pa'u i le taimi o le tuputupu ae. O se vaega tafatolu la'ititi ma se mea talatala e mafai ona va'aia i lalo mai lenei tumutumu. E mafua lenei mea i le mea moni e faapea i le faagasologa o le epitaxial, e lua vaega eseese o le 3C-SiC o loʻo faʻasolosolo faʻasolosolo i le vaega tafatolu, lea e faʻapipiʻiina ai le vaega muamua i le atinaʻe ma tuputupu aʻe i le 4H-SiC laasaga tafe. Aʻo faʻateleina le mafiafia o le epitaxial layer, o le vaega lona lua o le 3C polytype nucleates ma tuputupu aʻe i ni lua tafatolu laʻititi, ae o le laasaga o le tuputupu aʻe 4H e leʻo atoatoa le ufiufiina o le 3C polytype area, o loʻo manino ai le vaʻaiga V-foliga o le 3C-SiC. vaaia
(2) O lo'o i ai ni vaega laiti i le pito i luga ma fa'aletonu tafatolu ma le talatala
O fasimea i tumutumu o lenei ituaiga o faaletonu tafatolu e sili atu ona laiti, e pei ona faaalia i le Ata 4.2. Ma o le tele o vaega tafatolu o loʻo ufiufi e le laasaga o le 4H-SiC, o lona uiga, o le 3C-SiC atoa o loʻo faʻapipiʻiina atoa i lalo o le 4H-SiC layer. E naʻo laasaga o le tuputupu aʻe o le 4H-SiC e mafai ona vaʻaia i luga o le tafatolu faʻaletonu, ae o nei laʻasaga e sili atu le lapopoa nai lo laasaga masani o le tuputupu aʻe tioata 4H.
(3) Fa'aletonu tafatolu ma lamolemole
O lenei ituaiga o fa'aletonu tafatolu o lo'o i ai se foliga lamolemole i luga, e pei ona fa'aalia i le Ata 4.3. Mo ia faʻaletonu tafatolu, o le 3C-SiC layer e ufiufi e le laasaga o le 4H-SiC, ma o le 4H tioata tioata i luga o le fogaeleele e tupu aʻe ma sili atu ona lelei.
Epitaxial pit faaletonu
O lua epitaxial (Pits) o se tasi lea o fa'aletonu masani o le fa'aogaina o luga, ma o latou foliga masani o luga ma le fa'atulagaga o lo'o fa'aalia i le Ata 4.4. O le nofoaga o le faʻamaʻiina o faʻamaʻi (TD) mataʻutia i le maeʻa ai o le KOH etching i tua o le masini o loʻo i ai se fesoʻotaʻiga manino ma le nofoaga o le epitaxial lua aʻo leʻi saunia masini, e faʻaalia ai o le faʻavaeina o le faʻaletonu o le lua epitaxial e fesoʻotaʻi ma le faʻaogaina o filo.
fa'aletonu kāloti
O faaletonu o kāloti o se fa'aletonu masani i luga ole 4H-SiC epitaxial layers, ma o latou foliga masani o lo'o fa'aalia ile Ata 4.5. O le faaletonu o kāroti ua lipotia mai e fausia e ala i le fetaulaiga o faaletonu Franconian ma prismatic faaputuputu o loʻo i luga o le vaʻalele basal e fesoʻotaʻi e ala i laʻasaga-pei o le dislocations. Ua lipotia mai foi o le faʻavaeina o faʻaletonu o kāloti e fesoʻotaʻi ma le TSD i le meaʻai. Tsuchida H. et al. na maua ai o le tele o faaletonu o kāloti i le epitaxial layer e faʻatusatusa i le mamafa o le TSD i le substrate. Ma e ala i le faʻatusatusaina o ata o le morphology i luga aʻo leʻi tupu aʻe ma pe a maeʻa le tuputupu aʻe o le epitaxial, e mafai ona maua uma faaletonu o kāloti e fetaui ma le TSD i le mea'ai. Wu H. et al. fa'aaoga Raman fa'ata'apeina fa'ata'ita'iga fa'ata'ita'iga e su'e ai o fa'aletonu kāloti e le'i iai le 3C tioata, ae na'o le 4H-SiC polytype.
Aafiaga o faaletonu tafatolu i uiga o masini MOSFET
Ata 4.7 o se histogram o le tufatufaina fa'afuainumera o uiga e lima o se masini o lo'o i ai fa'aletonu tafatolu. O le laina togitogi lanumoana o le laina vaeluaga lea mo le fa'aleagaina o uiga o masini, ma o le laina togitogi mumu o le laina vaelua lea mo le faaletonu o masini. Mo le faaletonu o masini, o faaletonu tafatolu e iai se aafiaga tele, ma o le fua o le toilalo e sili atu nai lo le 93%. O lenei mea e mafua ona o le aafiaga o faaletonu tafatolu i le itu i tua leakage uiga o masini. E oʻo atu i le 93% o masini o loʻo i ai faʻaletonu tafatolu ua matua faʻatuputeleina le faʻasolo i tua. E le gata i lea, o faaletonu tafatolu o loʻo i ai foi se aafiaga ogaoga i uiga o le paʻu o le faitotoa, faʻatasi ai ma le faʻaleagaina o le 60%. E pei ona faʻaalia i le Laulau 4.2, mo le faʻaleagaina o le eletise ma le faʻaleagaina o uiga faʻaleagaina o le tino, o le aʻafiaga o faʻaletonu tafatolu e laʻititi, ma o le faʻaleagaina o le 26% ma le 33% i le faasologa. E tusa ai ma le mafuaʻaga o le faʻateleina o luga o le tetee, o le aʻafiaga o faʻaletonu tafatolu e vaivai, ma o le faʻaleagaina o le fua faatatau e tusa ma le 33%.
Aafiaga o faaletonu lua epitaxial ile uiga ole masini MOSFET
Ata 4.8 o se histogram o le tufatufaina fa'afuainumera o uiga e lima o se masini o lo'o i ai fa'aletonu lua epitaxial. O le laina togitogi lanumoana o le laina vaeluaga lea mo le fa'aleagaina o uiga o masini, ma o le laina togitogi mumu o le laina vaelua lea mo le faaletonu o masini. E mafai ona iloa mai i lenei mea o le numera o masini o loʻo i ai faʻaletonu lua epitaxial i le faʻataʻitaʻiga SiC MOSFET e tutusa ma le numera o masini o loʻo i ai faʻaletonu tafatolu. O le a'afiaga o fa'aletonu o le lua epitaxial i uiga o masini e ese mai le fa'aletonu tafatolu. I tulaga o le faaletonu o masini, o le fua o le faaletonu o masini o loʻo i ai faʻaletonu lua epitaxial e naʻo le 47%. Pe a faatusatusa i faaletonu tafatolu, o le aafiaga o le epitaxial pit faaletonu i uiga leakage i tua ma le faitotoa leakage uiga o le masini e matua vaivai lava, faatasi ai ma fua faatatau o le faaleagaina o le 53% ma le 38% faasologa, e pei ona faaalia i le Table 4.3. I le isi itu, o le aʻafiaga o le faʻaleagaina o le lua epitaxial i luga o uiga o le eletise, uiga faʻasolosolo o le diode o le tino ma luga o le tetee e sili atu nai lo le faʻaleagaina tafatolu, faʻatasi ai ma le faʻaleagaina o fua faatatau e oʻo atu i le 38%.
I se tulaga lautele, lua faaletonu morphological, e pei o tafatolu ma epitaxial lua, ei ai se aafiaga taua i le toilalo ma uiga faaleagaina o masini SiC MOSFET. O le i ai o faʻaletonu tafatolu e sili ona leaga, faʻatasi ai ma le maualuga o le faʻaletonu e oʻo atu i le 93%, e faʻaalia tele o se faʻaopoopoga tele o le faʻaogaina o le masini. O masini o lo'o i ai fa'aletonu o le lua epitaxial sa i ai se fa'aletonu maualalo e 47%. Ae ui i lea, o faaletonu o le lua epitaxial e sili atu lona aafiaga i le eletise o le masini, uiga fa'aosoina o le diode o le tino ma le tetee atu nai lo faaletonu tafatolu.
Taimi meli: Apr-16-2024