Tulaga lelei ole lagolago va'a silicon carbide fa'atusatusa ile lagolago va'a quartz

O galuega autu ava'a carbide silikonlagolago ma quartz vaa lagolago e tutusa.Va'a silisi carbidelagolago e lelei le faatinoga ae maualuga tau. O lo'o fa'atupuina ai se isi so'oga fa'atasi ma le va'a quartz lagolago i masini e fa'agaioia maa ma tulaga faigata o galuega (e pei o mea faigaluega LPCVD ma masini fa'asalalau boron). I masini e gaosia ai maa ma tulaga masani o galuega, ona o sootaga tau, silicon carbide ma quartz vaʻa lagolago o loʻo ola faʻatasi ma faʻatauvaʻa vaega.

 

① Suiga sootaga i le LPCVD ma masini faʻasalalau boron

O mea faigaluega LPCVD e fa'aogaina mo le fa'ama'iina o le fa'ama'i maa ma le fa'agasologa o tapenaga o le polysilicon layer. Fa'avae galue:

I lalo ole siosiomaga maualalo, faʻatasi ma le vevela talafeagai, gaioiga faʻamaʻi ma le faʻapipiʻiina o ata tifaga e ausia e saunia ai ultra-thin tunneling oxide layer ma polysilicon film. I le tunneling oxidation ma doped polysilicon layer sauniuniga faagasologa, o le lagolago vaa ei ai se vevela galue maualuga ma o le a teuina se ata silicon i luga o le fogaeleele. O le fa'alauteleina o le vevela o le quartz e matua ese lava mai le silikoni. Pe a faʻaaogaina i le faʻagasologa o loʻo i luga, e manaʻomia le faʻapipiʻi masani ma aveese le silikoni na teuina i luga o le fogaeleele e puipuia ai le lagolago o le vaʻa quartz mai le malepelepe ona o le faʻalauteleina o le vevela ma le faʻaitiitia ona o le eseesega o le faʻalauteleina o le vevela mai le silicon. Ona o le pikiina faifaipea ma le maualalo o le malosi o le vevela, o le quartz boat holder e puupuu lona olaga ma e masani ona suia i le tunnel oxidation ma doped polysilicon layer preparation process, lea e matua faateleina ai le tau o le gaosiga o le cell battery. O le fa'aopoopoga fa'aopoopo ocarbide silikonie latalata i le silikoni. Le tuufaatasiava'a carbide silikono lo'o umia e le mana'omia le pikiina i totonu o le fa'ama'iina o le alavai ma le fa'agasologa o sauniuniga fa'avae polysilicon doped. E iai le malosi maualuga o le vevela ma le umi o le auaunaga. O se mea lelei e sui i le quartz va'a uu.

 

O meafaigaluega faʻalautele Boron e masani ona faʻaaogaina mo le faagasologa o le doping elemene boron i luga o le N-ituaiga silicon wafer substrate o le maa cell e saunia ai le P-ituaiga emitter e fausia ai se PN junction. O le ta'iala galue o le iloa lea o le fa'aogaina o vaila'au ma le fa'avaeina o ata tifaga mole mole i totonu o se siosiomaga maualuga-vevela. A maeʻa ona faia le ata tifaga, e mafai ona faʻasalalauina e ala i le vevela vevela maualuga e iloa ai le gaioiga o le doping o le luga o le silicon wafer surface. Ona o le maualuga o le vevela galue o meafaigaluega faʻalauteleina boron, o loʻo i ai i le vaʻa vaʻa quartz e maualalo le malosi o le vevela ma se olaga puʻupuʻu i totonu o meafaigaluega faʻalautele boron. Le tuufaatasiava'a carbide silikono lo'o umia e maualuga le malosi o le vevela ma o se mea lelei e sui ai le fa'amauina va'a quartz i le faagasologa o le fa'alauteleina o le boron.

② Suiga sootaga i isi masini faʻagasologa

SiC va'a lagolago o loʻo i ai le malosi o le gaosiga ma sili atu le faʻatinoga. O latou tau e masani ona maualuga atu nai lo le lagolago o vaʻa quartz. I tulaga masani o galuega o masini gaosi masini, o le eseesega i le olaga tautua i le va o lagolago vaʻa SiC ma lagolago vaʻa quartz e laʻititi. O tagata fa'atau i lalo e masani lava ona fa'atusatusa ma filifili i le va o tau ma fa'atinoga e fa'atatau i a latou lava faiga ma mana'oga. O lagolago va'a SiC ma lagolago va'a quartz ua fa'atasi ma fa'atauva. Ae ui i lea, o le tupe mama maualalo o lagolago vaʻa SiC e fai si maualuga i le taimi nei. Faatasi ai ma le paʻu o le tau o le gaosiga o lagolago vaʻa SiC, afai o le tau faʻatau atu o le vaʻa SiC e lagolagoina malosi, o le a sili atu foi le faʻatauvaʻa i lagolago vaʻa quartz.

 

Fa'aoga fua faatatau

Ole auala ole tekonolosi ole telefoni ole PERC ma le TOPCon tekonolosi. O le maketi o le PERC tekinolosi e 88%, ma le maketi o le TOPCon tekinolosi e 8.3%. O le tu'ufa'atasiga o maketi o le lua e 96.30%.

 

E pei ona faʻaalia i le ata o loʻo i lalo:

I tekinolosi PERC, e manaʻomia lagolago vaʻa mo le faʻasalalauina o le phosphorus i luma ma faʻagasologa faʻasolosolo. I tekinolosi TOPCon, e manaʻomia lagolago vaʻa mo le faʻasalalauina o le boron i luma, LPCVD, faʻasalalauina o le phosphorus i tua ma faiga faʻafefe. I le taimi nei, e masani ona faʻaaogaina lagolago vaʻa carbide silicon i le LPCVD faʻagasologa o tekonolosi TOPCon, ma o latou faʻaoga i le faagasologa o le faʻasalalauina o le boron ua faʻamaonia tele.

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Ata Fa'aogaina o va'a lagolago i le fa'agaioiina o sela

 

Faʻaaliga: A maeʻa le pito i luma ma tua o le PERC ma le TOPCon tekinolosi, o loʻo i ai pea fesoʻotaʻiga e pei o le lolomiina o le screen, sintering ma le suʻega ma le faʻavasegaina, e le aofia ai le faʻaogaina o vaʻa lagolago ma e le o lisiina i luga o le ata.


Taimi meli: Oke-15-2024
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