CVD-SiCprevleka ima značilnosti enotne strukture, kompaktnega materiala, odpornosti na visoke temperature, odpornosti proti oksidaciji, visoke čistosti, odpornosti na kisline in alkalije ter organskega reagenta, s stabilnimi fizikalnimi in kemijskimi lastnostmi.

V primerjavi z grafitnimi materiali visoke čistosti začne grafit oksidirati pri 400 °C, kar bo povzročilo izgubo prahu zaradi oksidacije, kar bo povzročilo onesnaženje okolja za periferne naprave in vakuumske komore ter povečalo nečistoče v okolju visoke čistosti.

Vendar pa lahko prevleka SiC ohrani fizikalno in kemično stabilnost pri 1600 stopinjah. Široko se uporablja v sodobni industriji, zlasti v industriji polprevodnikov.

Naše podjetje nudi storitve postopka nanosa SiC prevleke s CVD metodo na površino grafita, keramike in drugih materialov, tako da posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobimo molekule SiC visoke čistosti, molekule, ki se nanesejo na površino prevlečenih materialov, tvori zaščitno plast SIC. Oblikovani SIC je trdno vezan na grafitno osnovo, kar daje grafitni osnovi posebne lastnosti, zaradi česar je površina grafita kompaktna, brez poroznosti, odporna na visoke temperature, odpornost proti koroziji in oksidaciji.

Glavne značilnosti:

1. Odpornost proti oksidaciji pri visoki temperaturi:

odpornost proti oksidaciji je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1600 C.

2. Visoka čistost: narejeno s kemičnim naparjevanjem v pogojih kloriranja pri visoki temperaturi.

3. Odpornost proti eroziji: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.

4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, sol in organski reagenti.

Glavne specifikacije prevlek CVD-SIC: