Suscetpor, prevlečen s SiC, je ključna komponenta, ki se uporablja v različnih procesih izdelave polprevodnikov. Uporabljamo našo patentirano tehnologijo za izdelavo suscetporja, prevlečenega s SiC, z izjemno visoko čistostjo, dobro enakomernostjo premaza in odlično življenjsko dobo ter visoko kemično odpornostjo in termično stabilnostjo.
Lastnosti naših izdelkov:
1. Visokotemperaturna oksidacijska odpornost do 1700 ℃.
2. Visoka čistost in toplotna enotnost
3. Odlična odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, sol in organski reagenti.
4. Visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
5. Daljša življenjska doba in bolj trpežna
KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovne fizikalne lastnosti CVD SiCpremazovanje | |
性质 / Lastnina | 典型数值 / Tipična vrednost |
晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶,主要为(111) 取向 |
密度 / Gostota | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Trdota | 2500 维氏硬度(500g obremenitev) |
晶粒大小 / Velikost zrna | 2~10 μm |
纯度 / Kemijska čistost | 99,99995 % |
热容 / Toplotna zmogljivost | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Upogibna trdnost | 415 MPa RT 4-točkovno |
杨氏模量 / Youngov modul | 430 Gpa 4-točkovni upogib, 1300 ℃ |
导热系数 / TermalPrevodnost | 300 W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Toplotna ekspanzija (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Lepo vas vabimo, da obiščete našo tovarno, pogovorimo se naprej!