Novice

Kakšne so tehnične ovire za silicijev karbid?Ⅱ
avtor admin dne 24-05-22
Tehnične težave pri stabilni množični proizvodnji visokokakovostnih rezin iz silicijevega karbida s stabilnim delovanjem vključujejo: 1) ker morajo kristali rasti v visokotemperaturnem zaprtem okolju nad 2000 °C, so zahteve za nadzor temperature izjemno visoke; 2) Ker ima silicijev karbid več...
Preberi več
Kakšne so tehnične ovire za silicijev karbid?
avtor admin dne 24-05-22
Prvo generacijo polprevodniških materialov predstavljata tradicionalni silicij (Si) in germanij (Ge), ki sta osnova za izdelavo integriranih vezij. Široko se uporabljajo v nizkonapetostnih, nizkofrekvenčnih in nizkoenergetskih tranzistorjih in detektorjih. Več kot 90 % proizvodnje polprevodnikov ...
Preberi več
Kako je narejen mikro prah SiC?
avtor admin dne 24-05-13
Monokristal SiC je sestavljeni polprevodniški material skupine IV-IV, sestavljen iz dveh elementov, Si in C, v stehiometričnem razmerju 1:1. Njegova trdota je takoj za diamantom. Metoda redukcije ogljika silicijevega oksida za pripravo SiC v glavnem temelji na naslednji formuli kemijske reakcije...
Preberi več
Kako epitaksialne plasti pomagajo polprevodniškim napravam?
avtor admin dne 24-05-13
Izvor imena epitaksialne rezine Najprej popularizirajmo majhen koncept: priprava rezin vključuje dve glavni povezavi: pripravo substrata in epitaksialni postopek. Podlaga je rezina iz polprevodniškega monokristalnega materiala. Substrat lahko neposredno vstopi v proizvodnjo rezin ...
Preberi več
Uvod v tehnologijo nanašanja tankih filmov s kemičnim naparjevanjem (CVD).
avtor admin dne 24-05-06
Kemično naparjevanje (CVD) je pomembna tehnologija nanašanja tankega filma, ki se pogosto uporablja za pripravo različnih funkcionalnih filmov in tankoslojnih materialov ter se pogosto uporablja v proizvodnji polprevodnikov in na drugih področjih. 1. Načelo delovanja CVD V procesu CVD plin predhodnik (en ali več ...
Preberi več
Skrivnost "črnega zlata" za industrijo fotovoltaičnih polprevodnikov: želja in odvisnost od izostatičnega grafita
avtor admin dne 24-05-06
Izostatični grafit je zelo pomemben material v fotovoltaiki in polprevodnikih. S hitrim vzponom domačih podjetij izostatičnega grafita je bil monopol tujih podjetij na Kitajskem razbit. Z nenehnimi neodvisnimi raziskavami in razvojem ter tehnološkimi preboji ...
Preberi več
Razkritje bistvenih značilnosti grafitnih čolnov v proizvodnji polprevodniške keramike
avtor admin dne 24-04-22
Grafitni čolni, znani tudi kot grafitni čolni, igrajo ključno vlogo v zapletenih procesih proizvodnje polprevodniške keramike. Te specializirane posode služijo kot zanesljivi nosilci za polprevodniške rezine med visokotemperaturnimi obdelavami, kar zagotavlja natančno in nadzorovano obdelavo. z ...
Preberi več
Notranja zgradba cevne opreme peči je podrobno razložena
avtor admin dne 24-04-22
Kot je prikazano zgoraj, je tipična prva polovica: grelni element (grelna tuljava): nameščen okoli cevi peči, običajno izdelan iz uporovnih žic, ki se uporablja za ogrevanje notranjosti cevi peči. Kvarčna cev: jedro vroče oksidacijske peči, narejeno iz kremena visoke čistosti, ki lahko prenese visoke...
Preberi več
Učinki substrata SiC in epitaksialnih materialov na značilnosti naprave MOSFET
avtor admin dne 24-04-16
Trikotna napaka Trikotna napaka je najbolj usodna morfološka napaka v epitaksialnih slojih SiC. Veliko število literarnih poročil je pokazalo, da je nastanek trikotnih napak povezan s kristalno obliko 3C. Vendar pa je zaradi različnih mehanizmov rasti morfologija mnogih tr...
Preberi več