KAKO NAREDITI SILIKONSKE VAFELJE
A oblatje približno 1 milimeter debela rezina silicija, ki ima izjemno ravno površino zaradi tehnično zelo zahtevnih postopkov. Nadaljnja uporaba določa, kateri postopek gojenja kristalov je treba uporabiti. V procesu Czochralskega se na primer polikristalni silicij stopi in kot svinčnik tanek zarodni kristal potopi v staljeni silicij. Zarodni kristal se nato zavrti in počasi potegne navzgor. Rezultat je zelo težek kolos, monokristal. Možno je izbrati električne karakteristike monokristala z dodajanjem majhnih enot dopantov visoke čistosti. Kristale dopiramo v skladu s specifikacijami naročnika, nato pa jih poliramo in narežemo na rezine. Po različnih dodatnih proizvodnih korakih kupec prejme določene napolitanke v posebni embalaži, ki mu omogoča, da napolitanko takoj uporabi v svoji proizvodni liniji.
CZOCHRALSKI PROCES
Danes je velik del silicijevih monokristalov vzgojen po postopku Czochralski, ki vključuje taljenje polikristalnega silicija visoke čistosti v lončku s hiperčistim kremenom in dodajanje dopanta (običajno B, P, As, Sb). Tanek monokristalni zarodni kristal se potopi v staljeni silicij. Iz tega tankega kristala se nato razvije velik kristal CZ. Natančna regulacija temperature in pretoka staljenega silicija, vrtenja kristala in lončka ter hitrosti vlečenja kristala povzroči izjemno kakovosten monokristalni silicijev ingot.
METODA FLOAT ZONE
Monokristali, izdelani po metodi plavajoče cone, so idealni za uporabo v močnostnih polprevodniških komponentah, kot so IGBT. Nad indukcijsko tuljavo je nameščen cilindrični polikristalni silicijev ingot. Radiofrekvenčno elektromagnetno polje pomaga stopiti silicij iz spodnjega dela palice. Elektromagnetno polje uravnava pretok silicija skozi majhno luknjo v indukcijski tuljavi in na monokristal, ki leži spodaj (metoda plavajoče cone). Doping, običajno z B ali P, se doseže z dodajanjem plinastih snovi.
Čas objave: jun-07-2021