Správy

Ako sa vyrába mikro prášok SiC?
od admina dňa 24-05-13
Monokryštál SiC je zložený polovodičový materiál skupiny IV-IV zložený z dvoch prvkov, Si a C, v stechiometrickom pomere 1:1. Jeho tvrdosť je na druhom mieste za diamantom. Metóda redukcie uhlíka oxidom kremičitým na prípravu SiC je založená hlavne na nasledujúcom vzorci chemickej reakcie...
Prečítajte si viac
Ako epitaxné vrstvy pomáhajú polovodičovým zariadeniam?
od admina dňa 24-05-13
Pôvod názvu epitaxná oblátka Najprv spopularizujme malý pojem: príprava plátku zahŕňa dve hlavné súvislosti: prípravu substrátu a epitaxný proces. Substrát je doštička vyrobená z polovodičového monokryštálového materiálu. Substrát môže vstúpiť priamo do výroby oblátok...
Prečítajte si viac
Úvod do technológie nanášania tenkých vrstiev chemickou parou (CVD).
od admina dňa 24-05-06
Chemická depozícia z plynnej fázy (CVD) je dôležitá technológia nanášania tenkých vrstiev, ktorá sa často používa na prípravu rôznych funkčných filmov a tenkovrstvových materiálov a je široko používaná vo výrobe polovodičov a iných oblastiach. 1. Pracovný princíp CVD V procese CVD sa používa prekurzor plynu (jeden alebo...
Prečítajte si viac
Tajomstvo „čierneho zlata“ za fotovoltaickým polovodičovým priemyslom: túžba a závislosť od izostatického grafitu
od admina dňa 24-05-06
Izostatický grafit je veľmi dôležitý materiál vo fotovoltaike a polovodičoch. S rýchlym nárastom domácich spoločností zaoberajúcich sa izostatickým grafitom bol monopol zahraničných spoločností v Číne prelomený. Vďaka nepretržitému nezávislému výskumu a vývoju a technologickým objavom, ...
Prečítajte si viac
Odhalenie základných charakteristík grafitových člnov pri výrobe polovodičovej keramiky
od admina dňa 24-04-22
Grafitové člny, tiež známe ako grafitové člny, hrajú kľúčovú úlohu v zložitých procesoch výroby polovodičovej keramiky. Tieto špecializované nádoby slúžia ako spoľahlivé nosiče pre polovodičové doštičky počas vysokoteplotného spracovania, čím zabezpečujú presné a kontrolované spracovanie. S...
Prečítajte si viac
Podrobne je vysvetlená vnútorná štruktúra zariadenia rúry pece
od admina dňa 24-04-22
Ako je uvedené vyššie, je typická Prvá polovica: ▪ Vyhrievací prvok (vykurovacia špirála): umiestnený okolo rúry pece, zvyčajne vyrobený z odporových drôtov, používaný na ohrev vnútra rúry pece. ▪ Kremenná trubica: Jadro horúcej oxidačnej pece vyrobené z vysoko čistého kremeňa, ktorý odolá...
Prečítajte si viac
Účinky substrátu SiC a epitaxných materiálov na charakteristiky zariadenia MOSFET
od admina dňa 24-04-16
Trojuholníkový defekt Trojuholníkový defekt je najfatálnejšími morfologickými defektmi v SiC epitaxných vrstvách. Veľký počet správ v literatúre ukázal, že tvorba trojuholníkových defektov súvisí s kryštalickou formou 3C. V dôsledku rôznych rastových mechanizmov však morfológia mnohých...
Prečítajte si viac
Rast monokryštálu karbidu kremíka SiC
od admina dňa 24-04-16
Od svojho objavu priťahuje karbid kremíka širokú pozornosť. Karbid kremíka sa skladá z polovice atómov Si a polovice atómov C, ktoré sú spojené kovalentnými väzbami prostredníctvom elektrónových párov zdieľajúcich hybridné orbitály sp3. V základnej štruktúrnej jednotke jeho monokryštálu sú štyri atómy Si...
Prečítajte si viac
VET Výnimočné vlastnosti grafitových tyčí
od admina dňa 24-04-08
Grafit, forma uhlíka, je pozoruhodný materiál známy svojimi jedinečnými vlastnosťami a širokou škálou aplikácií. Najmä grafitové prúty si získali významné uznanie pre svoje výnimočné kvality a všestrannosť. Vďaka svojej vynikajúcej tepelnej vodivosti, elektrickej vodivosti...
Prečítajte si viac