නිෂ්පාදනය විස්තරය
අපගේ සමාගම මිනිරන්, පිඟන් මැටි සහ වෙනත් ද්‍රව්‍යවල මතුපිට CVD ක්‍රමයට SiC ආලේපන ක්‍රියාවලි සේවා සපයයි, එවිට කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායු ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු, ආලේපිත ද්‍රව්‍යවල මතුපිට තැන්පත් කර ඇති අණු ලබා ගැනීම සඳහා ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්‍රතික්‍රියා කරයි. SIC ආරක්ෂිත ස්ථරය සෑදීම.
ප්රධාන ලක්ෂණ:
1. ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය:
උෂ්ණත්වය සෙල්සියස් අංශක 1600 තරම් ඉහළ මට්ටමක පවතින විට ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය තවමත් ඉතා යහපත් වේ.
2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය : අධික උෂ්ණත්ව ක්ලෝරීන තත්ත්වය යටතේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීම මගින් සාදනු ලැබේ.
3. ඛාදනය ප්රතිරෝධය: ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.
4. විඛාදන ප්රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්රතික්රියාකාරක.
CVD-SIC ආලේපනයේ ප්රධාන පිරිවිතර
| SiC-CVD ගුණාංග | ||
| ස්ඵටික ව්යුහය | FCC β අදියර | |
| ඝනත්වය | g/cm ³ | 3.21 |
| දැඩි බව | විකර්ස් දෘඪතාව | 2500 |
| ධාන්ය ප්රමාණය | μm | 2~10 |
| රසායනික සංශුද්ධතාවය | % | 99.99995 |
| තාප ධාරිතාව | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation උෂ්ණත්වය | ℃ | 2700 |
| Felexural ශක්තිය | MPa (RT 4-ලක්ෂ්‍යය) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt වංගුව, 1300℃) | 430 |
| තාප ප්‍රසාරණය (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| තාප සන්නායකතාව | (W/mK) | 300 |
-
Fuel Cell Pemfc Stack Metal Powered Hydrogen Fu...
-
අතේ ගෙන යා හැකි හයිඩ්රජන් ඉන්ධන සෛල 200w Pemfc stack Fu...
-
මිනි/අතේ ගෙන යා හැකි ඉලෙක්ට්රොනික උණුකරන උදුන මා සඳහා...
-
කාර්ය සාධනය පරීක්ෂා කිරීමට භාවිතා කරන විශේෂ සවිකිරීම්...
-
ඉහළ කාර්යක්ෂමතාවයක් උසස් තත්ත්වයේ 200w 15v ලෝහ ඉන්ධන ...
-
දෙවන අර්ධ කොටස් -SiC epitaxial උපකරණ කොටස්