Polycrystalline Silicon Ingot فرنس لاءِ چين جي اعليٰ معيار جي ڪسٽمائيز گرافائٽ هيٽر لاءِ گھٽ قيمت

Polycrystalline Silicon Ingot furnace Featured Image

مختصر وضاحت:

صفائي <5ppm
‣ سٺي ڊوپنگ يونيفارم
‣ اعلي کثافت ۽ adhesion
‣ سٺو مخالف corrosive ۽ ڪاربان مزاحمت

‣ پيشه ورانه ڪسٽمائيزيشن
‣ مختصر ليڊ ٽائيم
‣ مستحڪم فراهمي
‣ معيار ڪنٽرول ۽ مسلسل بهتري

Sapphire تي GaN جي Epitaxy(RGB/Mi/Micro LED)؛Si Substrate تي GaN جو Epitaxy(UVC)؛Si Substrate تي GaN جو Epitaxy(اليڪٽرانڪ ڊيوائس)؛سي تي سي جي Epitaxy(Integrated circuit)؛SiC جي Epitaxy SiC Substrate تي(Substrate)؛InP تي InP جي Epitaxy

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائونلوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

اسان اسان جي حل ۽ خدمت کي وڌائڻ ۽ مڪمل ڪرڻ جاري رکون ٿا. At the same time, we operation actively to do research and enhancement for Lowest Price for China High Quality Customized Graphite Heater For Polycrystalline Silicon Ingot Furnace, Our enterprise quick grew in size and popularity because of its absolute dedication to top quality manufacturing, large price of. مصنوعات ۽ شاندار گراهڪ فراهم ڪندڙ.
اسان اسان جي حل ۽ خدمت کي وڌائڻ ۽ مڪمل ڪرڻ جاري رکون ٿا. ساڳئي وقت، اسان کي فعال طور تي ڪم ڪرڻ لاء تحقيق ۽ واڌاري لاءچين Graphite گرمائش فرنس, گريفائيٽ حرارتي ميدان، صرف سٺي معيار جي پيداوار کي پورو ڪرڻ لاءِ گراهڪ جي گهرج کي پورو ڪرڻ لاءِ ، اسان جي سڀني شين ۽ حلن جي ترسيل کان اڳ سختي سان معائنو ڪيو ويو آهي. اسان هميشه گراهڪن جي پاسي تي سوال جي باري ۾ سوچيو، ڇو ته توهان کٽيو، اسان کٽيو!

2022 اعلي معيار MOCVD Susceptor چين ۾ آن لائن خريد ڪريو

ظاهري کثافت:	1.85 g/cm3
برقي مزاحمتي صلاحيت:	11 ميٽر
لچڪدار قوت:	49 MPa (500kgf/cm2)
ساحل جي سختي:	58
آش:	<5 پي پي ايم
حرارتي چالکائي:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

هڪ ويفر سلڪون جو هڪ ٽڪرو آهي جيڪو تقريباً 1 ملي ميٽر ٿلهو هوندو آهي جنهن جي هڪ انتهائي لوڻ واري مٿاڇري هوندي آهي جنهن جي طريقيڪار جي مهرباني جيڪا ٽيڪنالاجي طور تمام گهڻي گهرج هوندي آهي. بعد ۾ استعمال اهو طئي ڪري ٿو ته ڪرسٽل جي وڌندڙ طريقيڪار کي ملازمت ڪرڻ گهرجي. Czochralski جي عمل ۾، مثال طور، پولي ڪرسٽل سلڪون ڳريو ويندو آهي ۽ هڪ پينسل-ٿلهي ٻج جي ڪرسٽل کي پگھليل سلکان ۾ ٻوڙيو ويندو آهي. ٻج جي ڪرسٽل کي پوءِ گھمايو ويندو آهي ۽ آهستي آهستي مٿي کڄي ويندو آهي. هڪ تمام ڳرو ڪولوسس، هڪ monocrystal، نتيجو. اهو ممڪن آهي ته monocrystal جي برقي خاصيتن کي چونڊڻ لاء اعلي-پاڪ ڊوپينٽس جي ننڍن يونٽن کي شامل ڪندي. ڪرسٽل گراهڪ جي وضاحتن جي مطابق ڊاپ ڪيا ويا آهن ۽ پوء پالش ۽ سلائسن ۾ ڪٽي ويندا آهن. مختلف اضافي پيداواري مرحلن کان پوءِ، گراهڪ کي خاص پيڪنگنگ ۾ ان جي مخصوص ويفر ملي ٿي، جيڪا صارف کي اجازت ڏئي ٿي ته فوري طور تي ان جي پيداوار واري لائن ۾ ويفر استعمال ڪري.

اليڪٽرڪ ڊوائيسز ۾ استعمال لاءِ تيار ٿيڻ کان اڳ هڪ ويفر کي ڪيترن ئي مرحلن مان گذرڻو پوندو آهي. هڪ اهم عمل سلڪون ايپيٽيڪسي آهي، جنهن ۾ ويفرز گريفائٽ سسپيٽرز تي ڪيا ويندا آهن. susceptors جي ملڪيت ۽ معيار کي wafer جي epitaxial پرت جي معيار تي هڪ اهم اثر آهي.

پتلي فلم جمع ڪرڻ جي مرحلن لاءِ جيئن ته epitaxy يا MOCVD، VET سپلائي ڪري ٿو الٽرا پيور گرافائٽ جو سامان سبسٽريٽس يا ”ويفرز“ کي سپورٽ ڪرڻ لاءِ. عمل جي بنيادي حصي تي، هي سامان، ايپيٽڪسي susceptors يا MOCVD لاء سيٽلائيٽ پليٽ فارم، پهريون ڀيرو ذخيرو ماحول جي تابع آهن:

تيز گرمي پد.
هاء ويڪيوم.
جارحتي گيس جي اڳڪٿين جو استعمال.
صفر آلودگي، ڇلڻ جي غير موجودگي.
صفائي جي عملن دوران مضبوط تيزاب جي مزاحمت