Silicon carbide ڪيريئر ٽريis a چاٻيمختلف سيمڪوڊڪٽر جي پيداوار جي عملن ۾ استعمال ٿيل جزو.اسان سلکان ڪاربائڊ ڪيريئر ٺاهڻ لاءِ اسان جي پيٽرن واري ٽيڪنالاجي استعمال ڪندا آهيونتمام اعلي پاڪائي،سٺوڪوٽنگهڪجهڙائي۽ هڪ بهترين خدمت زندگي، اهڙي طرحاعلي ڪيميائي مزاحمت ۽ حرارتي استحڪام جا خاصيتون.
VET توانائي آهي جيCVD ڪوٽنگ سان ڪسٽمائيز graphite ۽ silicon carbide مصنوعات جي حقيقي ڪاريگر،فراهم ڪري سگهي ٿومختلفسيمي کنڊڪٽر ۽ فوٽووولٽڪ انڊسٽري لاء ترتيب ڏنل حصا. Oتوهان جي ٽيڪنيڪل ٽيم مٿين گهريلو تحقيقي ادارن مان اچي ٿي، وڌيڪ پيشه ور مواد حل فراهم ڪري سگهي ٿيتوهان لاءِ.
اسان مسلسل ترقي يافته عمل کي وڌيڪ ترقي يافته مواد مهيا ڪرڻ لاء،۽هڪ خاص پيٽنٽ ٿيل ٽيڪنالاجي تي ڪم ڪيو آهي، جيڪو ڪوٽنگ ۽ سبسٽريٽ جي وچ ۾ لاڳاپن کي وڌيڪ سخت ۽ لاتعلقي جو گهٽ خطرو بڻائي سگهي ٿو.
Fاسان جي شين جو کاڌو:
1. 1700 تائين تيز گرمي پد آڪسائيڊ مزاحمت℃.
2. اعلي پاڪائي ۽حرارتي هڪجهڙائي
3. بهترين corrosion مزاحمت: امل، alkali، لوڻ ۽ نامياتي reagents.
4. هاء سختي، ٺهيل مٿاڇري، ٺيڪ ذرات.
5. ڊگھي خدمت زندگي ۽ وڌيڪ پائيدار
| سي وي ڊي SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC جي بنيادي جسماني ملڪيتڪوٽنگ | |
| 性质 / ملڪيت | 典型数值 / عام قدر |
| 晶体结构 / ڪرسٽل جي جوڙجڪ | FCC β مرحلو多晶، 主要为 (111). |
| 密度 / کثافت | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / سختي | 2500 维氏硬度 (500g لوڊ) |
| 晶粒大小 / اناج جي سائيز | 2 ~ 10 ملي ميٽر |
| ههههههههههههههههههههههههههههههههههههههههههههه / ڪيميائي صفائي | 99.99995% |
| 热容 / گرمي جي گنجائش | 640 J·kg-1· ڪي-1 |
| 升华温度 / آبهوا جي درجه حرارت | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / لچڪدار طاقت | 415 MPa RT 4 پوائنٽ |
| 杨氏模量 / نوجوان جي ماڊلس | 430 Gpa 4pt موڙ، 1300 ℃ |
| 导热系数 / Thermaلچالاڪت | 300W·m-1· ڪي-1 |
| 热膨胀系数 حرارتي توسيع (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
اسان جي ڪارخاني جو دورو ڪرڻ لاء توهان کي گرمجوشي سان ڀليڪار، اچو ته وڌيڪ بحث ڪيو!
