recrystallized silicon carbide جا خاصيتون
Recrystallized silicon carbide (R-SiC) هڪ اعلي ڪارڪردگي مواد آهي سختي سان صرف هيرن کان پوء، جيڪو 2000 ℃ کان وڌيڪ گرمي پد تي ٺهيل آهي. اهو سي سي جي ڪيترن ئي بهترين ملڪيتن کي برقرار رکي ٿو، جهڙوڪ تيز گرمي پد جي طاقت، مضبوط سنکنرن جي مزاحمت، بهترين آڪسائيڊشن مزاحمت، سٺو حرارتي جھٽڪو مزاحمت وغيره.
● بهترين مشيني ملڪيت. Recrystallized silicon carbide ڪاربان فائبر جي ڀيٽ ۾ وڌيڪ طاقت ۽ سختي آهي، اعلي اثر مزاحمت، انتهائي گرمي پد جي ماحول ۾ سٺي ڪارڪردگي ادا ڪري سگهي ٿو، مختلف حالتن ۾ بهتر توازن ڪارڪردگي ادا ڪري سگهي ٿو. ان کان علاوه، ان ۾ پڻ سٺي لچڪدار آهي ۽ آسانيء سان خراب نه آهي ڇڪڻ ۽ موڙيندڙ، جيڪو ان جي ڪارڪردگي کي بهتر بڻائي ٿو.
● هاء corrosion مزاحمت. Recrystallized silicon carbide ميڊيا جي هڪ قسم جي اعلي corrosion مزاحمت آهي، corrosive ميڊيا جي هڪ قسم جي خاتمي کي روڪي سگهي ٿو، هڪ ڊگهي وقت تائين ان جي مشيني مال برقرار رکي سگهي ٿو، هڪ مضبوط adhesion آهي، ته جيئن ان کي هڪ ڊگهي خدمت زندگي آهي. ان کان علاوه، اهو پڻ سٺو حرارتي استحڪام آهي، درجه حرارت جي تبديلين جي هڪ خاص حد کي ترتيب ڏئي سگهي ٿو، ان جي ايپليڪيشن اثر کي بهتر بڻائي ٿو.
● sintering سڪي نه ٿو. ڇاڪاڻ ته sintering جو عمل سڪي نه ٿو، ڪو به بقايا دٻاء پيداوار جي خرابي يا ڀڃڻ جو سبب نه ٿيندو، ۽ پيچيده شڪلين ۽ اعلي سڌائي سان حصا تيار ڪري سگهجن ٿيون.
| 重结晶碳化硅物理特性 Recrystallized Silicon Carbide جي جسماني ملڪيت | |
| 性质 / ملڪيت | 典型数值 / عام قدر |
| 使用温度/ ڪم جي درجه حرارت (°C) | 1600 ° سي (آڪسيجن سان)، 1700 ° سي (ماحول کي گهٽائڻ) |
| سي سي含量/ سي سي مواد | > 99.96٪ |
| 自由سي 含量/ مفت سي مواد | < 0.1٪ |
| 体积密度/وڏي کثافت | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ ظاهري پورسيٽي | < 16٪ |
| 抗压强度/ ڪمپريشن طاقت | > 600ايم پي اي |
| 常温抗弯强度/ٿڌي موڙيندڙ طاقت | 80-90 ايم پي اي (20 ° سي) |
| 高温抗弯强度گرم موڙيندڙ طاقت | 90-100 ايم پي اي (1400 ° سي) |
| 热膨胀系数/ حرارتي توسيع @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/حرارتي چالکائي @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ لچڪدار ماڊيولس | 240 جي پي اي |
| 抗热震性/ حرارتي جھٽڪو مزاحمت | تمام سٺو |
VET توانائي آهي جيCVD ڪوٽنگ سان ڪسٽمائيز گرافائٽ ۽ سلکان ڪاربائيڊ شين جو حقيقي ٺاهيندڙ،فراهم ڪري سگهي ٿومختلفسيمي ڪنڊڪٽر ۽ فوٽووولٽڪ انڊسٽري لاء ترتيب ڏنل حصا. Oتوهان جي ٽيڪنيڪل ٽيم مٿين گهريلو تحقيقي ادارن مان اچي ٿي، وڌيڪ پيشه ور مواد حل مهيا ڪري سگهي ٿيتوهان لاءِ.
اسان مسلسل ترقي يافته عمل کي وڌيڪ ترقي يافته مواد مهيا ڪرڻ لاء،۽هڪ خاص پيٽنٽ ٿيل ٽيڪنالاجي تي ڪم ڪيو آهي، جيڪا ڪوٽنگ ۽ ذيلي ذخيري جي وچ ۾ لاڳاپن کي وڌيڪ سخت ۽ لاتعلقي جو گهٽ خطرو بڻائي سگهي ٿي.
| سي وي ڊي SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC جي بنيادي جسماني ملڪيتڪوٽنگ | |
| 性质 / ملڪيت | 典型数值 / عام قدر |
| 晶体结构 / ڪرسٽل جي جوڙجڪ | FCC β مرحلو多晶، 主要为 (111). |
| 密度 / کثافت | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / سختي | 2500 维氏硬度 (500g لوڊ) |
| 晶粒大小 / اناج جي سائيز | 2 ~ 10 ملي ميٽر |
| ههههههههههههههههههههههههههههههههههههههههههههه / ڪيميائي صفائي | 99.99995% |
| 热容 / گرمي جي گنجائش | 640 J·kg-1· ڪي-1 |
| 升华温度 / آبهوا جي درجه حرارت | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / لچڪدار طاقت | 415 MPa RT 4 پوائنٽ |
| 杨氏模量 / نوجوان جي ماڊلس | 430 Gpa 4pt موڙ، 1300 ℃ |
| 导热系数 / Thermaلچالاڪت | 300W·m-1· ڪي-1 |
| 热膨胀系数 / حرارتي توسيع (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
اسان جي ڪارخاني جو دورو ڪرڻ لاء توهان کي گرمجوشي سان ڀليڪار، اچو ته وڌيڪ بحث ڪيو!
