Новости

Как изготавливается микропорошок SiC?
от администратора 24.05.13
Монокристалл SiC представляет собой составной полупроводниковый материал групп IV-IV, состоящий из двух элементов, Si и C, в стехиометрическом соотношении 1:1. Его твердость уступает только алмазу. Метод восстановления углеродом оксида кремния для получения SiC в основном основан на следующей формуле химической реакции...
Читать далее
Как эпитаксиальные слои помогают полупроводниковым устройствам?
от администратора 24.05.13
Происхождение названия «эпитаксиальная пластина» Для начала давайте популяризируем небольшую концепцию: подготовка пластин включает в себя два основных звена: подготовку подложки и эпитаксиальный процесс. Подложка представляет собой пластину из полупроводникового монокристаллического материала. Подложка может поступать непосредственно на производство пластин...
Читать далее
Введение в технологию химического осаждения из паровой фазы (CVD)
от администратора 24 мая 2006 г.
Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) — это важная технология осаждения тонких пленок, часто используемая для изготовления различных функциональных пленок и тонкослойных материалов, а также широко используемая в производстве полупроводников и других областях. 1. Принцип работы CVD. В процессе CVD используется прекурсор газа (один или...
Читать далее
Секрет «черного золота» фотоэлектрической полупроводниковой промышленности: желание и зависимость от изостатического графита
от администратора 24 мая 2006 г.
Изостатический графит — очень важный материал в фотогальванике и полупроводниках. С быстрым ростом отечественных компаний изостатического графита монополия иностранных компаний в Китае была нарушена. Благодаря непрерывным независимым исследованиям и разработкам, а также технологическим прорывам, ...
Читать далее
Раскрытие основных характеристик графитовых лодочек в производстве полупроводниковой керамики
от администратора 24.04.22
Графитовые лодочки, также известные как графитовые лодочки, играют решающую роль в сложных процессах производства полупроводниковой керамики. Эти специализированные емкости служат надежными носителями полупроводниковых пластин во время высокотемпературной обработки, обеспечивая точную и контролируемую обработку. С ...
Читать далее
Подробно объяснено внутреннее устройство трубчатого оборудования печи.
от администратора 24.04.22
Как показано выше, это типичная первая половина: ▪ Нагревательный элемент (нагревательная спираль): расположен вокруг печной трубы, обычно изготовлен из резистивной проволоки и используется для нагрева внутренней части печи. ▪ Кварцевая трубка: Сердечник печи горячего окисления, изготовленный из кварца высокой чистоты, способного выдерживать...
Читать далее
Влияние подложки SiC и эпитаксиальных материалов на характеристики MOSFET-устройства
от администратора 24.04.16
Треугольный дефект Треугольные дефекты являются наиболее опасными морфологическими дефектами эпитаксиальных слоев SiC. В большом количестве литературных данных показано, что образование треугольных дефектов связано с кристаллической формой 3С. Однако из-за разных механизмов роста морфология многих...
Читать далее
Выращивание монокристалла карбида кремния SiC
от администратора 24.04.16
С момента своего открытия карбид кремния привлек широкое внимание. Карбид кремния состоит из половины атомов Si и половины атомов C, которые соединены ковалентными связями через электронные пары, разделяющие гибридные sp3-орбитали. В основной структурной единице его монокристалла четыре атома Si представляют собой...
Читать далее
Исключительные свойства графитовых стержней VET
от администратора 24.04.08
Графит, форма углерода, является замечательным материалом, известным своими уникальными свойствами и широким спектром применения. В частности, графитовые стержни получили широкое признание благодаря своим исключительным качествам и универсальности. Обладая превосходной теплопроводностью, электропроводностью...
Читать далее