-
4 миллиарда! SK Hynix объявляет об инвестициях в передовую упаковку для полупроводников в исследовательском парке Purdue
Вест-Лафайет, Индиана – SK hynix Inc. объявила о планах инвестировать почти 4 миллиарда долларов в строительство передового производства упаковки и научно-исследовательского центра для продуктов искусственного интеллекта в исследовательском парке Purdue. Создание ключевого звена в цепочке поставок полупроводников США в Уэст-Лафайетте...Читать далее -
Лазерные технологии меняют технологию обработки подложек из карбида кремния
1. Обзор технологии обработки подложек из карбида кремния. Текущие этапы обработки подложек из карбида кремния включают в себя: шлифовку внешнего круга, нарезку, снятие фасок, шлифование, полировку, очистку и т. д. Нарезка является важным этапом в производстве полупроводниковых подложек.Читать далее -
Основные тепловые полевые материалы: композитные материалы C/C.
Углеродно-углеродные композиты — это разновидность композитов из углеродного волокна, в которых углеродное волокно используется в качестве армирующего материала, а осажденный углерод — в качестве матричного материала. Матрица C/C-композитов – углерод. Поскольку он почти полностью состоит из элементарного углерода, он обладает превосходной устойчивостью к высоким температурам.Читать далее -
Три основных метода выращивания кристаллов SiC
Как показано на рис. 3, существует три доминирующих метода, направленных на получение монокристалла SiC высокого качества и эффективности: жидкофазная эпитаксия (LPE), физический перенос паров (PVT) и высокотемпературное химическое осаждение из паровой фазы (HTCVD). PVT — это хорошо зарекомендовавший себя процесс производства SiC...Читать далее -
Краткое описание полупроводникового GaN третьего поколения и связанной с ним эпитаксиальной технологии
1. Полупроводники третьего поколения. Полупроводниковая технология первого поколения была разработана на основе полупроводниковых материалов, таких как Si и Ge. Это материальная основа для развития транзисторов и технологии интегральных схем. Полупроводниковые материалы первого поколения заложили...Читать далее -
23,5 миллиарда, суперединорог Сучжоу собирается на IPO
За 9 лет предпринимательской деятельности Innoscience привлекла более 6 миллиардов юаней общего финансирования, а ее оценка достигла ошеломляющих 23,5 миллиардов юаней. Список инвесторов насчитывает десятки компаний: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Читать далее -
Как изделия с покрытием из карбида тантала повышают коррозионную стойкость материалов?
Покрытие карбидом тантала — это широко используемая технология обработки поверхности, которая может значительно улучшить коррозионную стойкость материалов. Покрытие из карбида тантала можно прикрепить к поверхности подложки с помощью различных методов подготовки, таких как химическое осаждение из паровой фазы, физика...Читать далее -
Знакомство с полупроводниковым GaN третьего поколения и связанной с ним эпитаксиальной технологией.
1. Полупроводники третьего поколения. Полупроводниковая технология первого поколения была разработана на основе полупроводниковых материалов, таких как Si и Ge. Это материальная основа для развития транзисторов и технологии интегральных схем. Полупроводниковые материалы первого поколения заложили основу...Читать далее -
Численное моделирование влияния пористого графита на рост кристаллов карбида кремния
Основной процесс роста кристаллов SiC делится на сублимацию и разложение сырья при высокой температуре, транспортировку веществ газовой фазы под действием температурного градиента и рекристаллизационный рост веществ газовой фазы на затравочном кристалле. Исходя из этого,...Читать далее