Монокристаллическая 8-дюймовая кремниевая пластина от VET Energy — ведущее в отрасли решение для производства полупроводников и электронных устройств. Обладая превосходной чистотой и кристаллической структурой, эти пластины идеально подходят для высокопроизводительных применений как в фотоэлектрической, так и в полупроводниковой промышленности. VET Energy гарантирует, что каждая пластина тщательно обрабатывается в соответствии с самыми высокими стандартами, обеспечивая превосходную однородность и гладкую поверхность, которые необходимы для производства передовых электронных устройств.
Эти монокристаллические 8-дюймовые кремниевые пластины совместимы с различными материалами, включая кремниевую пластину, подложку SiC, пластину SOI, подложку SiN, и особенно подходят для выращивания пластин Epi. Их превосходная теплопроводность и электрические свойства делают их надежным выбором для высокоэффективного производства. Кроме того, эти пластины предназначены для бесперебойной работы с такими материалами, как оксид галлия Ga2O3 и пластина AlN, что позволяет использовать их в широком спектре применений — от силовой электроники до радиочастотных устройств. Пластины также идеально подходят для кассетных систем для крупносерийных автоматизированных производственных сред.
Линейка продуктов VET Energy не ограничивается кремниевыми пластинами. Мы также предлагаем широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая подложку SiC, пластину SOI, подложку SiN, пластину Epi и т. д., а также новые полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как оксид галлия Ga2O3 и пластина AlN. Эти продукты могут удовлетворить потребности различных клиентов в силовой электронике, радиочастотах, датчиках и других областях.
VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин. Мы можем изготовить пластины с различным удельным сопротивлением, содержанием кислорода, толщиной и т. д. в соответствии с конкретными потребностями клиентов. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
ТТВ(ГБИР) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформация(GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Край вафли | Снятие фаски |
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
Поверхностная обработка | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
Шероховатость поверхности | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм | |||
Краевые чипы | Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм) | ||||
Отступы | Ничего не разрешено | ||||
Царапины (Si-Face) | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | ||
Трещины | Ничего не разрешено | ||||
Исключение краев | 3 мм |