Китайский производитель SiC с графитовым покрытием MOCVD Epitaxy Susceptor

Китайский производитель, графитовый MOCVD-суцептор с покрытием из карбида кремния Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Чистота < 5 частей на миллион
‣ Хорошая однородность допинга
‣ Высокая плотность и адгезия
‣ Хорошая антикоррозийная и углеродостойкость.

‣ Профессиональная настройка
‣ Короткие сроки выполнения
‣ Стабильные поставки
‣ Контроль качества и постоянное улучшение

Эпитаксия GaN на сапфире(RGB/Мини/Микро-светодиод);
Эпитаксия GaN на подложке Si(УФ);
Эпитаксия GaN на подложке Si(электронное устройство);
Эпитаксия Si на Si-подложке(Интегральная схема);
Эпитаксия SiC на подложке SiC(Субстрат);
Эпитаксия InP на InP

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Детали продукта

Теги продукта

Высококачественный токоприемник MOCVD. Купить онлайн в Китае.

Пластине необходимо пройти несколько этапов, прежде чем она будет готова к использованию в электронных устройствах. Одним из важных процессов является эпитаксия кремния, при которой пластины переносятся на графитовые токоприемники. Свойства и качество токоприемников оказывают решающее влияние на качество эпитаксиального слоя пластины.

Для этапов осаждения тонких пленок, таких как эпитаксия или MOCVD, VET поставляет оборудование из сверхчистого графита, используемое для поддержки подложек или «пластин». В основе процесса это оборудование, эпитаксия или сателлитные платформы для MOCVD, сначала подвергается воздействию среды осаждения:

Высокая температура.
Высокий вакуум.
Использование агрессивных газообразных прекурсоров.
Нулевая загрязненность, отсутствие шелушения.
Устойчивость к сильным кислотам во время операций по очистке

VET Energy — настоящий производитель индивидуальных изделий из графита и карбида кремния с покрытием для полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности. Наша техническая команда из ведущих отечественных исследовательских институтов может предоставить вам более профессиональные решения в области материалов.

Мы постоянно разрабатываем передовые процессы для создания более совершенных материалов и разработали эксклюзивную запатентованную технологию, которая может сделать связь между покрытием и подложкой более прочной и менее склонной к отслоению.

Особенности нашей продукции:

1. Устойчивость к высокотемпературному окислению до 1700 ℃.
2. Высокая чистота и термическая однородность.
3. Отличная коррозионная стойкость: кислоты, щелочи, соли и органические реагенты.
4. Высокая твердость, компактная поверхность, мелкие частицы.
5. Более длительный срок службы и долговечность.

ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основные физические свойства CVD SiCпокрытие
性质 / Свойство	典型数值 / Типичное значение
晶体结构 / Кристаллическая структура	FCC β-фаза多晶,主要为（111）取向
密度 / Плотность	3,21 г/см³
硬度 / Твердость	2500 维氏硬度 (загрузка 500 г)
晶粒大小 / Размер зерна	2~10 мкм
纯度 / Химическая чистота	99,99995%
热容 / Теплоемкость	640 Дж·кг^-1·К^-1
升华温度 / Температура сублимации	2700℃
抗弯强度 / Прочность на изгиб	415 МПа РТ 4-точечный
杨氏模量 / Модуль Юнга	Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃
导热系数 / ТермалПроводимость	300 Вт·м^-1·К^-1
热膨胀系数 / Тепловое расширение (КТР)	4,5×10^-6K^-1