Линейка продуктов VET Energy не ограничивается кремниевыми пластинами. Мы также предлагаем широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая подложку SiC, пластину SOI, подложку SiN, пластину Epi и т. д., а также новые полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как оксид галлия Ga2O3 и пластина AlN. Эти продукты могут удовлетворить потребности различных клиентов в силовой электронике, радиочастотах, датчиках и других областях.
Области применения:
•Интегральные схемы:В качестве основного материала для изготовления интегральных схем кремниевые пластины P-типа широко используются в различных логических схемах, запоминающих устройствах и т. д.
•Силовые устройства:Кремниевые пластины P-типа можно использовать для изготовления силовых устройств, таких как силовые транзисторы и диоды.
•Датчики:Кремниевые пластины P-типа можно использовать для изготовления различных типов датчиков, таких как датчики давления, датчики температуры и т. д.
•Солнечные батареи:Кремниевые пластины P-типа являются важным компонентом солнечных элементов.
VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин и может изготавливать пластины с различным удельным сопротивлением, разным содержанием кислорода, разной толщиной и другими характеристиками в соответствии с конкретными потребностями клиентов. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в производственном процессе.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
ТТВ(ГБИР) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформация(GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Край вафли | Снятие фаски |
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
Поверхностная обработка | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
Шероховатость поверхности | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм | |||
Краевые чипы | Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм) | ||||
Отступы | Ничего не разрешено | ||||
Царапины (Si-Face) | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | ||
Трещины | Ничего не разрешено | ||||
Исключение краев | 3 мм |