Atacado OEM/ODM GaN-Basedepitaxial em substratos Sic 4′′

Breve descrição:

Os transportadores de wafer usados ​​no processamento de crescimento epitaxial devem suportar altas temperaturas e limpeza química severa. Os susceptores CoorsTek Clear Carbon™ são projetados especificamente para essas exigentes aplicações de equipamentos de epitaxia. Sua construção de grafite revestida com carboneto de silício (SiC) de alta pureza oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. O revestimento fino de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, essencial para o manuseio, uma vez que os wafers imaculados entram em contato com o susceptor em muitos pontos em toda a sua área


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Na verdade, é uma boa maneira de impulsionar nossos produtos, soluções e reparos. Nossa missão deve ser produzir produtos e soluções imaginativos para clientes usando uma experiência de trabalho fantástica para atacado OEM / ODM GaN-Basedepitaxial em substratos Sic 4 ′ ′, nos concentramos na construção de marca própria e em combinação com inúmeras expressões experientes e equipamentos de primeira classe . Nossos produtos você vale a pena ter.
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Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC

Todos os nossos susceptores são feitos de grafite isostática de alta resistência. Beneficie-se da alta pureza de nossos grafites – desenvolvidos especialmente para processos desafiadores como epitaxia, crescimento de cristais, implantação iônica e gravação de plasma, bem como para a produção de chips LED.

Descrição do produto
O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

 

Composto

Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC

As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Mantemos tolerâncias muito estreitas na aplicação do revestimento SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades de resistência elétrica ideais para uso em sistemas aquecidos indutivamente. Todos os componentes acabados vêm com um certificado de pureza e conformidade dimensional.

Aplicativo:

2

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidantePropriedades típicas do material base de grafite:

Densidade Aparente: 1,85g/cm3
Resistividade Elétrica: 11 μΩm
Força Flexural: 49MPa (500kgf/cm2)
Dureza Shore: 58
Cinzas: <5 ppm
Condutividade Térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

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