Preço com desconto GaN-Basedepitaxial em substratos Sic 4′′

Breve descrição:

Os transportadores de wafer usados ​​no processamento de crescimento epitaxial devem suportar altas temperaturas e limpeza química severa. Os susceptores CoorsTek Clear Carbon™ são projetados especificamente para essas exigentes aplicações de equipamentos de epitaxia. Sua construção de grafite revestida com carboneto de silício (SiC) de alta pureza oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. O revestimento fino de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, essencial para o manuseio, uma vez que os wafers imaculados entram em contato com o susceptor em muitos pontos em toda a sua área


Detalhes do produto

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Agora temos uma força de trabalho altamente eficiente para lidar com as dúvidas dos consumidores. Nosso objetivo é “100% de satisfação do consumidor por meio de nosso produto ou serviço excelente, preço de venda e serviço de equipe” e obter grande popularidade entre a clientela. Com muitas fábricas, podemos oferecer uma ampla variedade de preços com desconto GaN-Basedepitaxial em substratos Sic 4 ′ ′, damos as boas-vindas aos companheiros de pequenas empresas de todas as esferas do estilo de vida, esperamos estabelecer negócios amigáveis ​​e cooperativos, entrar em contato com você e alcançar um objetivo ganha-ganha.
Agora temos uma força de trabalho altamente eficiente para lidar com as dúvidas dos consumidores. Nosso objetivo é “100% de satisfação do consumidor por meio de nosso produto ou serviço excelente, preço de venda e serviço de equipe” e obter grande popularidade entre a clientela. Com muitas fábricas, podemos oferecer uma ampla variedade deSubstratos GaN da China e filme GaN, Estamos sinceramente ansiosos para cooperar com clientes em todo o mundo. Acreditamos que podemos satisfazê-lo com nossos produtos de alta qualidade e serviço perfeito. Também damos boas-vindas aos clientes para visitar nossa empresa e comprar nossos produtos.

Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC

Todos os nossos susceptores são feitos de grafite isostática de alta resistência. Beneficie-se da alta pureza de nossos grafites – desenvolvidos especialmente para processos desafiadores como epitaxia, crescimento de cristais, implantação iônica e gravação de plasma, bem como para a produção de chips LED.

Descrição do produto
O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.

 

Composto

Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC

As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.

Mantemos tolerâncias muito estreitas na aplicação do revestimento SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades de resistência elétrica ideais para uso em sistemas aquecidos indutivamente. Todos os componentes acabados vêm com um certificado de pureza e conformidade dimensional.

Aplicativo:

2

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidantePropriedades típicas do material base de grafite:

Densidade Aparente: 1,85g/cm3
Resistividade Elétrica: 11 μΩm
Força Flexural: 49MPa (500kgf/cm2)
Dureza Shore: 58
Cinzas: <5 ppm
Condutividade Térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

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