Agora temos uma força de trabalho altamente eficiente para lidar com as dúvidas dos consumidores. Nosso objetivo é “100% de satisfação do consumidor por meio de nosso produto ou serviço excelente, preço de venda e serviço de equipe” e obter grande popularidade entre a clientela. Com muitas fábricas, podemos oferecer uma ampla variedade de preços com desconto GaN-Basedepitaxial em substratos Sic 4 ′ ′, damos as boas-vindas aos companheiros de pequenas empresas de todas as esferas do estilo de vida, esperamos estabelecer negócios amigáveis e cooperativos, entrar em contato com você e alcançar um objetivo ganha-ganha.
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Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento SiC
Todos os nossos susceptores são feitos de grafite isostática de alta resistência. Beneficie-se da alta pureza de nossos grafites – desenvolvidos especialmente para processos desafiadores como epitaxia, crescimento de cristais, implantação iônica e gravação de plasma, bem como para a produção de chips LED.
Descrição do produto
O revestimento SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
CVD SiC ou CVI SiC é aplicado ao grafite de peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças muito grandes.
Composto
As vantagens especiais de nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também possuem alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.
Mantemos tolerâncias muito estreitas na aplicação do revestimento SiC, utilizando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades ideais de resistência elétrica para uso em sistemas aquecidos indutivamente. Todos os componentes acabados vêm com um certificado de pureza e conformidade dimensional.
Aplicativo:
Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência ao choque físico
· Excelente resistência química
· Pureza Super Alta
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável sob atmosfera oxidantePropriedades típicas do material base de grafite:
Densidade Aparente: | 1,85g/cm3 |
Resistividade Elétrica: | 11 μΩm |
Força Flexural: | 49MPa (500kgf/cm2) |
Dureza Shore: | 58 |
Cinzas: | <5 ppm |
Condutividade Térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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