O Wafer de Silício Monocristalino de 8 Polegadas da VET Energy é uma solução líder do setor para fabricação de semicondutores e dispositivos eletrônicos. Oferecendo pureza superior e estrutura cristalina, esses wafers são ideais para aplicações de alto desempenho nas indústrias fotovoltaica e de semicondutores. A VET Energy garante que cada wafer seja meticulosamente processado para atender aos mais altos padrões, proporcionando excelente uniformidade e acabamento superficial liso, que são essenciais para a produção avançada de dispositivos eletrônicos.
Esses wafers de silício monocristalinos de 8 polegadas são compatíveis com uma variedade de materiais, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e são particularmente adequados para o crescimento de Epi Wafer. Sua condutividade térmica e propriedades elétricas superiores os tornam uma escolha confiável para fabricação de alta eficiência. Além disso, esses wafers são projetados para funcionar perfeitamente com materiais como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, oferecendo uma ampla gama de aplicações, desde eletrônica de potência até dispositivos de RF. Os wafers também se adaptam perfeitamente aos sistemas Cassette para ambientes de produção automatizados de alto volume.
A linha de produtos da VET Energy não se limita às pastilhas de silício. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, Epi Wafer, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, radiofrequência, sensores e outros campos.
A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafer. Podemos personalizar wafers com diferentes resistividades, teor de oxigênio, espessura, etc. de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver vários problemas encontrados durante o processo de produção.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Urdidura (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borda de wafer | Chanfrar |
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabamento de superfície | Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
Rugosidade da Superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Fichas de borda | Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm) | ||||
Recuos | Nenhum permitido | ||||
Arranhões (Si-Face) | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | ||
Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
Exclusão de borda | 3mm |