د SiC لیپت شوي ګرافیت نیمه برخهis a کلیديهغه برخه چې د سیمیکمډکټر تولید پروسو کې کارول کیږي، په ځانګړې توګه د SiC epitaxial تجهیزاتو لپاره.موږ د نیمه سپوږمۍ برخه جوړولو لپاره زموږ پیټینټ ټیکنالوژي کارووخورا لوړ پاکوالی،ښهپوښیووالیاو یو ښه خدمت ژوند, همدارنګهلوړ کیمیاوي مقاومت او د حرارتي ثبات ملکیتونه.
VET انرژي ده دد CVD کوټینګ سره د دودیز شوي ګرافیټ او سیلیکون کاربایډ محصولاتو اصلي جوړونکی ،عرضه کولی شيمختلفد سیمیکمډکټر او فوتوولټیک صنعت لپاره دودیز شوي برخې. Oستاسو تخنیکي ټیم د لوړ کورني څیړنیزو ادارو څخه راځي، کولی شي ډیر مسلکي مادي حلونه چمتو کړيستاسو لپاره.
موږ په دوامداره توګه پرمختللي پروسې رامینځته کوو ترڅو نور پرمختللي توکي چمتو کړو ،اویو ځانګړی پیټینټ ټیکنالوژي کار کړی، کوم چې کولی شي د کوټینګ او سبسټریټ ترمنځ اړیکه ټینګه کړي او د جلا کیدو خطر لږ کړي.
Fزموږ د محصولاتو خواړه:
1. د لوړې تودوخې اکسیډریشن مقاومت تر 1700 پورې℃.
2. لوړ پاکوالی اوحرارتی یونیفورم
3. د زنګون ښه مقاومت: اسید، الکلي، مالګه او عضوي ریجنټ.
4. لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.
5. اوږد خدمت ژوند او ډیر دوامدار
| CVD SiC薄膜基本物理性能 د CVD SiC بنسټیز فزیکي ځانګړتیاوېپوښ | |
| 性质 / ملکیت | 典型数值 / عادي ارزښت |
| 晶体结构 / کرسټال جوړښت | د FCC β مرحله多晶، 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / کثافت | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / سختۍ | 2500 维氏硬度 (500g بار) |
| 晶粒大小 / د غلو اندازه | 2~10μm |
| 纯度 کیمیاوي پاکوالی | 99.99995% |
| 热容 / د تودوخې ظرفیت | 640 J·kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Sublimation د حرارت درجه | 2700℃ |
| 抗弯强度 / انعطاف منونکی ځواک | 415 MPa RT 4 ټکي |
| 杨氏模量 / د ځوان ماډل | 430 Gpa 4pt کنډک، 1300℃ |
| 导热系数 / ترماlچال چلن | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 د تودوخې پراختیا (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
زموږ د فابریکې څخه لیدو لپاره تاسو ته ښه راغلاست وایو ، راځئ چې نور بحث وکړو!
