Epitaksjalny wspornik baryłkowy z grafitu epitaksjalnego

Epitaksjalny wspornik baryłkowy z grafitu epitaksjalnego

Epitaksjalny wspornik baryłkowy z grafitu epitaksjalnegoto specjalnie zaprojektowane urządzenie podtrzymujące i grzewcze służące do utrzymywania i podgrzewania podłoży półprzewodnikowych podczas procesów produkcyjnych, takich jak procesy osadzania lub epitaksji.

Jego struktura ma typowo cylindryczny lub lekko beczkowaty kształt, powierzchnia posiada wiele kieszeni lub platform do umieszczania wafli, może mieć konstrukcję pełną lub pustą, w zależności od metody ogrzewania.

Główne funkcje susceptora epitaksjalnego:

-Wsparcie podłoża: bezpiecznie utrzymuje wiele płytek półprzewodnikowych;
-Źródło ciepła: zapewnia wysokie temperatury wymagane do wzrostu poprzez ogrzewanie;
- Jednolitość temperatury: zapewnia równomierne nagrzewanie podłoży;
-Rotacja: zwykle obraca się podczas wzrostu, aby poprawić równomierność temperatury i dystrybucji gazu.

Zasada działania susceptora beczkowego z grafitu Epi:
- W reaktorze epitaksjalnym susceptor beczkowy nagrzewa się do wymaganej temperatury (zwykle 1000℃-1200℃ dla epitaksji krzemowej);
- Susceptor lufy obraca się, aby zapewnić równomierny rozkład temperatury i przepływ gazu;
-Gazy reakcyjne rozkładają się w wysokich temperaturach, tworząc warstwy epitaksjalne na powierzchni podłoża.

Aplikacje:
-Głównie używany do wzrostu epitaksjalnego krzemu
-Ma zastosowanie również do epitaksji innych materiałów półprzewodnikowych, takich jak GaAs, InP itp.

VET Energy wykorzystuje grafit o wysokiej czystości z powłoką CVD-SiC w celu zwiększenia stabilności chemicznej:

Zalety epitaksjalnego epigrafitowego susceptora baryłkowego VET Energy:

-Stabilność w wysokiej temperaturze;
-Dobra równomierność termiczna;
-Może przetwarzać wiele substratów jednocześnie, poprawiając wydajność produkcji;
-Chemicznie obojętny, utrzymujący środowisko wzrostu o wysokiej czystości.