ਖ਼ਬਰਾਂ

ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਲਈ ਤਕਨੀਕੀ ਰੁਕਾਵਟਾਂ ਕੀ ਹਨ?Ⅱ
24-05-22 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਸਥਿਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਸਥਿਰਤਾ ਨਾਲ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਤਕਨੀਕੀ ਮੁਸ਼ਕਲਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ: 1) ਕਿਉਂਕਿ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ 2000 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਸੀਲਬੰਦ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਵਧਣ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਤਾਪਮਾਨ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ; 2) ਕਿਉਂਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਵਧੇਰੇ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਲਈ ਤਕਨੀਕੀ ਰੁਕਾਵਟਾਂ ਕੀ ਹਨ?
24-05-22 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਨੂੰ ਪਰੰਪਰਾਗਤ ਸਿਲੀਕੋਨ (Si) ਅਤੇ ਜਰਨੀਅਮ (Ge) ਦੁਆਰਾ ਦਰਸਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਆਧਾਰ ਹਨ। ਉਹ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ, ਘੱਟ-ਵਾਰਵਾਰਤਾ, ਅਤੇ ਘੱਟ-ਪਾਵਰ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਅਤੇ ਡਿਟੈਕਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦ ਦੇ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
SiC ਮਾਈਕ੍ਰੋ ਪਾਊਡਰ ਕਿਵੇਂ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ?
24-05-13 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
SiC ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੱਕ ਸਮੂਹ IV-IV ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ ਜੋ ਦੋ ਤੱਤਾਂ, Si ਅਤੇ C, 1:1 ਦੇ ਸਟੋਈਚਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਅਨੁਪਾਤ ਵਿੱਚ ਬਣੀ ਹੋਈ ਹੈ। ਇਸ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ ਹੀਰੇ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਦੂਜੇ ਨੰਬਰ 'ਤੇ ਹੈ। SiC ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸਾਈਡ ਵਿਧੀ ਦੀ ਕਾਰਬਨ ਕਮੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਫਾਰਮੂਲੇ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤਾਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਯੰਤਰਾਂ ਦੀ ਕਿਵੇਂ ਮਦਦ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ?
24-05-13 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵੇਫਰ ਨਾਮ ਦੀ ਉਤਪਤੀ ਪਹਿਲਾਂ, ਆਓ ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਜਿਹੀ ਧਾਰਨਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਸਿੱਧ ਕਰੀਏ: ਵੇਫਰ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਵਿੱਚ ਦੋ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਲਿੰਕ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ: ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ। ਸਬਸਟਰੇਟ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਬਣਿਆ ਇੱਕ ਵੇਫਰ ਹੈ। ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਿੱਧੇ ਵੇਫਰ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ (ਸੀਵੀਡੀ) ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਜਮ੍ਹਾ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ
24-05-06 ਨੂੰ ਪ੍ਰਸ਼ਾਸਕ ਦੁਆਰਾ
ਕੈਮੀਕਲ ਵੈਪਰ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ (ਸੀਵੀਡੀ) ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਹੈ, ਜੋ ਅਕਸਰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਫਿਲਮਾਂ ਅਤੇ ਪਤਲੀ-ਪਰਤ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਅਤੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। 1. ਸੀਵੀਡੀ ਦੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਸਿਧਾਂਤ ਸੀਵੀਡੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ, ਇੱਕ ਗੈਸ ਪੂਰਵਗਾਮੀ (ਇੱਕ ਜਾਂ ਮੋ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਦਯੋਗ ਦੇ ਪਿੱਛੇ "ਕਾਲਾ ਸੋਨਾ" ਦਾ ਰਾਜ਼: ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ 'ਤੇ ਇੱਛਾ ਅਤੇ ਨਿਰਭਰਤਾ
24-05-06 ਨੂੰ ਪ੍ਰਸ਼ਾਸਕ ਦੁਆਰਾ
ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਫੋਟੋਵੋਲਟੈਕਸ ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਘਰੇਲੂ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ ਕੰਪਨੀਆਂ ਦੇ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਣ ਨਾਲ, ਚੀਨ ਵਿੱਚ ਵਿਦੇਸ਼ੀ ਕੰਪਨੀਆਂ ਦਾ ਏਕਾਧਿਕਾਰ ਟੁੱਟ ਗਿਆ ਹੈ। ਨਿਰੰਤਰ ਸੁਤੰਤਰ ਖੋਜ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਤਕਨੀਕੀ ਸਫਲਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਿਸ਼ਤੀਆਂ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਪਰਦਾਫਾਸ਼ ਕਰਨਾ
24-04-22 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਿਸ਼ਤੀਆਂ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਨੂੰ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਿਸ਼ਤੀਆਂ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵਸਰਾਵਿਕ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀਆਂ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ। ਇਹ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਜਹਾਜ਼ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਇਲਾਜ ਦੌਰਾਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵੇਫਰਾਂ ਲਈ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਕੈਰੀਅਰ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਸਹੀ ਅਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਨਾਲ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਭੱਠੀ ਟਿਊਬ ਉਪਕਰਨ ਦੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਬਣਤਰ ਨੂੰ ਵਿਸਥਾਰ ਵਿੱਚ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਹੈ
24-04-22 ਨੂੰ ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ
ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਪਰ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਇੱਕ ਆਮ ਹੈ ਪਹਿਲਾ ਅੱਧ: ਹੀਟਿੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟ (ਹੀਟਿੰਗ ਕੋਇਲ): ਭੱਠੀ ਟਿਊਬ ਦੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਸਥਿਤ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕ ਤਾਰਾਂ ਨਾਲ ਬਣੀ, ਜੋ ਕਿ ਭੱਠੀ ਟਿਊਬ ਦੇ ਅੰਦਰ ਨੂੰ ਗਰਮ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਕੁਆਰਟਜ਼ ਟਿਊਬ: ਇੱਕ ਗਰਮ ਆਕਸੀਡੇਸ਼ਨ ਭੱਠੀ ਦਾ ਕੋਰ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਕੁਆਰਟਜ਼ ਤੋਂ ਬਣਿਆ ਹੈ ਜੋ ਉੱਚ ਪੱਧਰ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
MOSFET ਡਿਵਾਈਸ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 'ਤੇ SiC ਸਬਸਟਰੇਟ ਅਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ
24-04-16 ਨੂੰ ਪ੍ਰਸ਼ਾਸਕ ਦੁਆਰਾ
ਤਿਕੋਣੀ ਨੁਕਸ ਤਿਕੋਣੀ ਨੁਕਸ SiC epitaxial ਲੇਅਰਾਂ ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਘਾਤਕ ਰੂਪ ਵਿਗਿਆਨਿਕ ਨੁਕਸ ਹਨ। ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਸਾਹਿਤ ਦੀਆਂ ਰਿਪੋਰਟਾਂ ਨੇ ਦਿਖਾਇਆ ਹੈ ਕਿ ਤਿਕੋਣੀ ਨੁਕਸ ਦਾ ਗਠਨ 3C ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਰੂਪ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਕਾਸ ਵਿਧੀਆਂ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਟ੍ਰਾਂ ਦੀ ਰੂਪ ਵਿਗਿਆਨ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ