SiC ଆକ୍ସଲ୍ ସ୍ଲିଭ୍ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ବର୍ଣ୍ଣନା:

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ପ୍ରତିରୋଧକ-କ୍ଷୟ, ଉଚ୍ଚ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ମହାକାଶଯାନ, ଯନ୍ତ୍ରପାତି, ଧାତବ ବିଦ୍ୟା, ମୁଦ୍ରଣ ଏବଂ ରଙ୍ଗ, ଖାଦ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ, ଫାର୍ମାସ୍ୟୁଟିକାଲ୍, ଅଟୋ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିରେ ସିଲ୍ ଚେହେରା, ବିୟରିଂ ଏବଂ ଟ୍ୟୁବ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ଭଲ ସ୍ୱ-ତେଲ | ଉପରେ ଯେତେବେଳେ ସିକ୍ ଚେହେରାଗୁଡିକ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଚେହେରା ସହିତ ମିଳିତ ହୁଏ, ଘର୍ଷଣ ସବୁଠାରୁ ଛୋଟ ଏବଂ ସେଗୁଡିକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସିଲ୍ ରେ ତିଆରି କରାଯାଇପାରେ ଯାହା ସର୍ବୋଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକତାରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାକୁ ସମର୍ଥ |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ:

ନିମ୍ନ ଘନତା |

- ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା (ଆଲୁମିନିୟମ୍ ନିକଟରେ)

- ଭଲ ଥର୍ମାଲ୍ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |

- ତରଳ ଏବଂ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରୁଫ୍ |

- ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳତା (ବାୟୁରେ 1450 at ଏବଂ ନିରପେକ୍ଷ ବାତାବରଣରେ 1800 at ରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ)

-ଏହା କ୍ଷୟ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ ନାହିଁ ଏବଂ ତରଳ ଆଲୁମିନିୟମ କିମ୍ବା ତରଳାଯାଇଥିବା ଜିଙ୍କ ସହିତ ଓଦା ହୁଏ ନାହିଁ |

- ଉଚ୍ଚ କଠିନତା |

- ନିମ୍ନ ଘର୍ଷଣ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ |

-ବ୍ରାସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ |

ମ basic ଳିକ ଏବଂ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଏସିଡ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କରେ |

- ପଲିସିବଲ୍ |

- ଉଚ୍ଚ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି |

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପ୍ରୟୋଗ:

-ମେକାନିକାଲ୍ ସିଲ୍, ବିୟରିଂ, ଥ୍ରଷ୍ଟ ବିୟରିଂ ଇତ୍ୟାଦି |

- ଗଣ୍ଠିକୁ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରିବା |

-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଆବରଣ |

-ପ୍ୟାଡ୍ ପମ୍ପ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ |

-କେମିକାଲ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ |

ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିଆଲ୍ ଲେଜର ସିଷ୍ଟମ୍ ପାଇଁ ଦର୍ପଣ |

- କ୍ରମାଗତ-ପ୍ରବାହ ରିଆକ୍ଟର, ଉତ୍ତାପ ବିନିମୟକାରୀ ଇତ୍ୟାଦି |

ବ .ଶିଷ୍ଟ୍ୟ

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଦୁଇଟି ଉପାୟରେ ଗଠିତ:

1) ପ୍ରେସରଲେସ୍ ସିଣ୍ଟେଡ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |

ଚାପହୀନ ସିଣ୍ଟେଡ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସାମଗ୍ରୀ ସଜାଡ଼ିବା ପରେ, 200X ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ ଅନ୍ତର୍ଗତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଫେଜ୍ ଚିତ୍ର ଦର୍ଶାଏ ଯେ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ବଣ୍ଟନ ଏବଂ ଆକାର ସମାନ, ଏବଂ ସର୍ବ ବୃହତ ସ୍ଫଟିକ୍ 10μm ରୁ ଅଧିକ ନୁହେଁ |

2) ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟ୍ରନ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |

ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରେ ସିଣ୍ଟ୍ରନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପଦାର୍ଥର ସମତଳ ଏବଂ ଚିକ୍କଣ ବିଭାଗ, ସ୍ଫଟିକ୍ ଚିକିତ୍ସା କରେ |
200X ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପ୍ ଅଧୀନରେ ବଣ୍ଟନ ଏବଂ ଆକାର ସମାନ, ଏବଂ ମାଗଣା ସିଲିକନ୍ ବିଷୟବସ୍ତୁ 12% ରୁ ଅଧିକ ନୁହେଁ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ \|
ସୂଚକାଙ୍କ	ୟୁନିଟ୍	ମୂଲ୍ୟ
ସାମଗ୍ରୀର ନାମ \|		ଚାପହୀନ ସିଣ୍ଟର୍ଡ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ \|	ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସିଣ୍ଟର୍ଡ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ \|
ରଚନା		SSiC	RBSiC
ବଲ୍କ ଘନତା \|	g / cm3	3.15 ± 0.03	3
ନମନୀୟ ଶକ୍ତି	MPa (kpsi)	380 (55)	338 (49)
ସଙ୍କୋଚନ ଶକ୍ତି \|	MPa (kpsi)	3970 (560)	1120 (158)
କଠିନତା \|	ନପ୍	2800	2700
ଟେନିସିଟି ଭାଙ୍ଗିବା \|	MPa m1 / 2 \|	4	4.5
ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି \|	W / mk	120	95
ଥର୍ମାଲ୍ ବିସ୍ତାରର ଗୁଣବତ୍ତା \|	10-6 / ° C	4	5
ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଉତ୍ତାପ \|	ଜୁଲେ / g 0k	0.67	0.8
ବାୟୁରେ ସର୍ବାଧିକ ତାପମାତ୍ରା \|	℃	1500	1200
ଇଲେଷ୍ଟିକ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ \|	Gpa	410	360