ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ୟାଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଫ୍ଲୋ-ଇଚିଂ |

ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ଓଦା ଇଚିଂ ସଫା କରିବା କିମ୍ବା ପାଉଁଶ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବିକାଶକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କଲା | ଆଜି, ପ୍ଲାଜମା ବ୍ୟବହାର କରି ଶୁଖିଲା ଏଚିଂ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତରେ ପରିଣତ ହୋଇଛି |ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା |। ପ୍ଲାଜମା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍, କ୍ୟାସନ୍ ଏବଂ ରେଡିକାଲ୍ସକୁ ନେଇ ଗଠିତ | ପ୍ଲାଜାରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଉଥିବା ଶକ୍ତି ଏକ ନିରପେକ୍ଷ ଅବସ୍ଥାରେ ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସର ବାହ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଛଡ଼ାଇ ନେଇଥାଏ, ଯାହା ଦ୍ these ାରା ଏହି ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗୁଡିକ କ୍ୟାସନ୍ରେ ପରିଣତ ହୁଏ |

ଏଥିସହ, ଅଣୁଗୁଡ଼ିକରେ ଥିବା ଅସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ପରମାଣୁଗୁଡିକ ବ elect ଦୁତିକ ଭାବରେ ନିରପେକ୍ଷ ରେଡିକାଲ୍ ଗଠନ ପାଇଁ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ କରି ଛଡ଼ାଯାଇପାରିବ | ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ କ୍ୟାଟେସନ୍ ଏବଂ ରେଡିକାଲ୍ ବ୍ୟବହାର କରେ ଯାହା ପ୍ଲାଜମା ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯେଉଁଠାରେ କ୍ୟାଟେସନ୍ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ (ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଦିଗରେ ଇଚ୍ କରିବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ) ଏବଂ ରେଡିକାଲ୍ ଗୁଡିକ ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ (ସମସ୍ତ ଦିଗରେ ଇଚ୍ କରିବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ) | ରେଡିକାଲ୍ସର ସଂଖ୍ୟା କାଟେସନ୍ ସଂଖ୍ୟାଠାରୁ ବହୁତ ଅଧିକ | ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚିଂ ଓଦା ଇଚିଂ ପରି ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ହେବା ଉଚିତ |

ଅବଶ୍ୟ, ଏହା ଶୁଖିଲା ଇଚିଂର ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଇଚିଂ ଯାହା ଅଲ୍ଟ୍ରା-ମିନିଟାଇଜାଇଜଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ସମ୍ଭବ କରିଥାଏ | ଏହାର କାରଣ କ’ଣ? ଏହା ସହିତ, କାଟେସନ୍ ଏବଂ ରେଡିକାଲ୍ସର ଏଚିଂ ଗତି ବହୁତ ଧୀର ଅଟେ | ତେବେ ଏହି ଅଭାବକୁ ଦୃଷ୍ଟିରେ ରଖି ଆମେ କିପରି ଉତ୍ପାଦନରେ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ପଦ୍ଧତି ପ୍ରୟୋଗ କରିପାରିବା?

 

ଆସପେକ୍ଟ ଅନୁପାତ (A / R)

 

ଚିତ୍ର ଅନୁପାତର ଧାରଣା ଏବଂ ଏହା ଉପରେ ବ techn ଷୟିକ ପ୍ରଗତିର ପ୍ରଭାବ |

 

ଆସ୍ପେକ୍ଟ ଅନୁପାତ ହେଉଛି ଭୂସମାନ୍ତର ପ୍ରସ୍ଥର ଭୂଲମ୍ବ ଉଚ୍ଚତା (ଅର୍ଥାତ୍ ଉଚ୍ଚତା ମୋଟେଇ ଦ୍ divided ାରା ବିଭକ୍ତ) | ସର୍କିଟ୍ର କ୍ରିକଟିକ୍ ଡାଇମେନ୍ସନ୍ (CD) ଯେତେ ଛୋଟ, ଆସପେକ୍ଟ ଅନୁପାତ ମୂଲ୍ୟ ମଧ୍ୟ ସେତେ ବଡ | ତାହା ହେଉଛି, 10 ର ଏକ ଅନୁପାତ ଅନୁପାତ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ 10nm ର ମୋଟେଇକୁ ଅନୁମାନ କଲେ, ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଖୋଳା ଯାଇଥିବା ଛିଦ୍ରର ଉଚ୍ଚତା 100nm ହେବା ଉଚିତ | ତେଣୁ, ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ପାଇଁ ଯାହା ଅଲ୍ଟ୍ରା-ମିନିଟାଇଜେସନ୍ (2D) କିମ୍ବା ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା (3D) ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଅନୁପାତ ଅନୁପାତ ମୂଲ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ ଯେ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ କ୍ୟାଟେସନ୍ ନିମ୍ନ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରରେ ପ୍ରବେଶ କରିପାରିବ |

 

2D ଉତ୍ପାଦରେ 10nm ରୁ କମ୍ ଜଟିଳ ପରିମାଣ ସହିତ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ମିନିଟ୍ରାଇଜେସନ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ହାସଲ କରିବାକୁ, ଡାଇନାମିକ୍ ରାଣ୍ଡମ ଆକ୍ସେସ୍ ମେମୋରୀ (DRAM) ର କ୍ୟାପେସିଟର ଆକ୍ସପେକ୍ଟ ଅନୁପାତ ମୂଲ୍ୟ 100 ରୁ ଅଧିକ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ କରାଯିବା ଉଚିତ | ସେହିପରି, 3D NAND ଫ୍ଲାସ ମେମୋରୀ ମଧ୍ୟ ଉଚ୍ଚ ଦିଗ ଅନୁପାତ ମୂଲ୍ୟ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | 256 ସ୍ତର କିମ୍ବା ଅଧିକ ସେଲ୍ ଷ୍ଟାକିଂ ସ୍ତରଗୁଡିକ ଷ୍ଟକ୍ କରିବାକୁ | ଯଦିଓ ଅନ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ସର୍ତ୍ତ ପୂରଣ ହୁଏ, ଯଦି ଆବଶ୍ୟକ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକ ଉତ୍ପାଦନ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ |ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା |ମାନକ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ନୁହେଁ | ଏହି କାରଣରୁ ଇଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଦିନକୁ ଦିନ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହେବାରେ ଲାଗିଛି |

 

ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂର ସମୀକ୍ଷା

 

ଚିତ୍ର 2। ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପ୍ରକାର ଅନୁଯାୟୀ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା |

 

ଯେତେବେଳେ ଏକ ଖୋଲା ପାଇପ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ପାଇପ୍ ବ୍ୟାସ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ହୁଏ, ତରଳ ପଦାର୍ଥ ପ୍ରବେଶ କରିବା ସହଜ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ତଥାକଥିତ କ୍ୟାପିଲାରୀ ଘଟଣା | ଯଦିଓ, ଯଦି ଏକ ଛିଦ୍ର (ବନ୍ଦ ଶେଷ) ଉନ୍ମୋଚିତ ଅଞ୍ଚଳରେ ଖୋଳିବାକୁ ପଡିବ, ତରଳର ଇନପୁଟ୍ ବହୁତ କଷ୍ଟକର ହୋଇଯାଏ | ତେଣୁ, 1970 ଦଶକର ମଧ୍ୟଭାଗରେ ସର୍କିଟ୍ର ଜଟିଳ ଆକାର 3um ରୁ 5um ଥିଲା, ଶୁଖିଲା |ଇଚିଂଧୀରେ ଧୀରେ ଓଦା ଇଚିଂକୁ ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଭାବରେ ବଦଳାଇଲା | ତାହା ହେଉଛି, ଯଦିଓ ଆୟନାଇଜଡ୍ ହୋଇଛି, ଗଭୀର ଛିଦ୍ର ଭିତରକୁ ପ୍ରବେଶ କରିବା ସହଜ ଅଟେ କାରଣ ଗୋଟିଏ ଅଣୁର ପରିମାଣ ଏକ ଜ organic ବ ପଲିମର ସଲ୍ୟୁସନ୍ ଅଣୁଠାରୁ ଛୋଟ |

ପ୍ଲାଜ୍ମା ଇଚିଂ ସମୟରେ, ଇଚିଂ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଚାମ୍ବରର ଭିତର ଅଂଶକୁ ସମ୍ପୃକ୍ତ ସ୍ତର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ଦେବା ପୂର୍ବରୁ ଏକ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ ସଜାଡିବା ଉଚିତ | କଠିନ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରଗୁଡିକ ଇଚ୍ କରିବାବେଳେ, ଶକ୍ତିଶାଳୀ କାର୍ବନ ଫ୍ଲୋରାଇଡ୍ ଆଧାରିତ ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଉଚିତ | ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଦୁର୍ବଳ ସିଲିକନ୍ କିମ୍ବା ଧାତୁ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାଇଁ କ୍ଲୋରାଇନ୍ ଆଧାରିତ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଉଚିତ |

ତେବେ, ଗେଟ୍ ସ୍ତର ଏବଂ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ (SiO2) ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର କିପରି ଖୋଳାଯିବ?

ପ୍ରଥମେ, ଗେଟ୍ ସ୍ତର ପାଇଁ, ପଲିସିଲିକନ୍ ଇଚିଂ ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି ସହିତ କ୍ଲୋରାଇନ୍-ଆଧାରିତ ପ୍ଲାଜମା (ସିଲିକନ୍ + କ୍ଲୋରାଇନ୍) ବ୍ୟବହାର କରି ସିଲିକନ୍ ଅପସାରଣ କରାଯିବା ଉଚିତ | ତଳ ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ପାଇଁ, ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରକୁ ଦୁଇଟି ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଏକ କାର୍ବନ ଫ୍ଲୋରାଇଡ୍-ଆଧାରିତ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ (ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ + କାର୍ବନ ଟେଟ୍ରାଫ୍ଲୋରାଇଡ୍) ବ୍ୟବହାର କରି ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଚୟନ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ସହିତ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବା ଉଚିତ |

 

3। ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE କିମ୍ବା ଫିଜିକୋକେମିକାଲ୍ ଇଚିଂ) ପ୍ରକ୍ରିୟା |

 

ଚିତ୍ର ।।

 

ପ୍ଲାଜାମାରେ ଉଭୟ ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଫ୍ରି ରେଡିକାଲ୍ ଏବଂ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ କାଟେସନ୍ ଥାଏ, ତେବେ ଏହା ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଏଚିଂ କିପରି କରେ?

ପ୍ଲାଜମା ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ମୁଖ୍ୟତ re ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE, Reactive Ion Etching) କିମ୍ବା ଏହି ପଦ୍ଧତି ଉପରେ ଆଧାରିତ ପ୍ରୟୋଗ ଦ୍ୱାରା କରାଯାଇଥାଏ | RIE ପଦ୍ଧତିର ମୂଳ ହେଉଛି ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ କାଟେସନ୍ ସହିତ ଏଚିଂ କ୍ଷେତ୍ର ଉପରେ ଆକ୍ରମଣ କରି ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଟାର୍ଗେଟ୍ ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତିକୁ ଦୁର୍ବଳ କରିବା | ଦୁର୍ବଳ ଅଞ୍ଚଳ ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲ୍ ଦ୍ୱାରା ଶୋଷିତ ହୁଏ, ଯାହା କଣିକା ସହିତ ମିଶି ସ୍ତର ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଗ୍ୟାସରେ ପରିଣତ ହୁଏ (ଏକ ଅସ୍ଥିର ଯ ound ଗିକ) ଏବଂ ମୁକ୍ତ ହୁଏ |

ଯଦିଓ ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ସର ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅଛି, ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ ଯାହା ତଳ ପୃଷ୍ଠକୁ ତିଆରି କରେ (ଯାହାର ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତି କାଟେସନର ଆକ୍ରମଣ ଦ୍ୱାରା ଦୁର୍ବଳ ହୋଇଯାଏ) ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲ୍ ଦ୍ୱାରା ଅଧିକ ସହଜରେ ଧରାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଦୃ strong ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତି ସହିତ ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥ ଅପେକ୍ଷା ନୂତନ ଯ ounds ଗିକରେ ପରିଣତ ହୁଏ | ତେଣୁ, ତଳକୁ ଖସିବା ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତରେ ପରିଣତ ହୁଏ | ଧରାଯାଇଥିବା କଣିକାଗୁଡ଼ିକ ମୁକ୍ତ ରେଡିକାଲ୍ ସହିତ ଗ୍ୟାସରେ ପରିଣତ ହୁଏ, ଯାହା ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନର କାର୍ଯ୍ୟ ଅଧୀନରେ ଭୂପୃଷ୍ଠରୁ ନିର୍ଗତ ହୁଏ |

 

ଏହି ସମୟରେ, ଶାରୀରିକ କାର୍ଯ୍ୟ ଦ୍ obtained ାରା ପ୍ରାପ୍ତ କ୍ୟାଟେସନ୍ ଏବଂ ରାସାୟନିକ କାର୍ଯ୍ୟ ଦ୍ obtained ାରା ପ୍ରାପ୍ତ ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ଗୁଡିକ ଶାରୀରିକ ଏବଂ ରାସାୟନିକ ଇଚିଂ ପାଇଁ ମିଳିତ ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଇଚିଂ ହାର (ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସମୟ ମଧ୍ୟରେ ଇଚ୍ ଡିଗ୍ରୀ) 10 ଗୁଣ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ | କେବଳ କାଟେନିକ୍ ଏଚିଂ କିମ୍ବା ମାଗଣା ରେଡିକାଲ୍ ଏଚିଂ ମାମଲା ସହିତ ତୁଳନା କରାଯାଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି କେବଳ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ତଳମୁଣ୍ଡିଆ ଇଚିଂର ଇଚିଂ ହାରକୁ ବ increase ାଇପାରେ ନାହିଁ, ବରଂ ଇଚିଂ ପରେ ପଲିମର ଅବଶିଷ୍ଟ ସମସ୍ୟାର ମଧ୍ୟ ସମାଧାନ କରିପାରିବ | ଏହି ପଦ୍ଧତିକୁ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE) କୁହାଯାଏ | RIE ଏଚିଂର ସଫଳତାର ଚାବି ହେଉଛି ଫିଲ୍ମ ଇଚିଂ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ ଖୋଜିବା | ଟିପନ୍ତୁ: ପ୍ଲାଜ୍ମା ଏଚିଂ ହେଉଛି RIE ଏଚିଂ, ଏବଂ ଦୁଇଟିକୁ ସମାନ ଧାରଣା ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଇପାରେ |

 

4। ଇଚ୍ ହାର ଏବଂ କୋର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୂଚକାଙ୍କ |

 

ଚିତ୍ର 4 କୋଚ୍ ଇଚ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୂଚକାଙ୍କ ଇଚ୍ ହାର ସହିତ ଜଡିତ |

 

ଇଚ୍ ହାର ଚଳଚ୍ଚିତ୍ରର ଗଭୀରତାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯାହା ଏକ ମିନିଟରେ ପହଞ୍ଚିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ | ତେବେ ଏହାର ଅର୍ଥ କ’ଣ ଯେ ଗୋଟିଏ ୱାଫର୍ ଉପରେ ଇଚ୍ ହାର ଅଂଶରୁ ଅଂଶ ମଧ୍ୟରେ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ?

ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି, ୱାଚର ଗଭୀରତା ଅଂଶରୁ ଅଂଶ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ | ଏହି କାରଣରୁ, ଶେଷ ପଏଣ୍ଟ (EOP) ସେଟ୍ କରିବା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଜରୁରୀ ଅଟେ ଯେଉଁଠାରେ ହାରାହାରି ଇଚ୍ ହାର ଏବଂ ଇଚ୍ ଗଭୀରତାକୁ ବିଚାର କରି ଇଚିଂ ବନ୍ଦ ହେବା ଉଚିତ | ଯଦିଓ EOP ସେଟ୍ ହୋଇଛି, ତଥାପି ଏମିତି କିଛି କ୍ଷେତ୍ର ଅଛି ଯେଉଁଠାରେ ମୂଳ ଯୋଜନା ଅପେକ୍ଷା ଇଚ୍ ଗଭୀରତା ଗଭୀର (ଅତ୍ୟଧିକ-ଇଚ୍) କିମ୍ବା ଅସ୍ଥାୟୀ (ଅଣ୍ଡର-ଇଚ୍) | ଅବଶ୍ୟ, ଅଣ୍ଡର-ଇଚିଂ ଇଚିଂ ସମୟରେ ଅତ୍ୟଧିକ ଇଚିଂ ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ କ୍ଷତି ଘଟାଏ | କାରଣ ଅଣ୍ଡର-ଇଚିଂ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଅଣ୍ଡର-ଇଚ୍ ହୋଇଥିବା ଅଂଶ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବାଧା ସୃଷ୍ଟି କରିବ ଯେପରିକି ଆୟନ ପ୍ରତିରୋପଣ |

ଏହି ସମୟରେ, ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି (ଇଚ୍ ହାର ଦ୍ meas ାରା ମାପ କରାଯାଏ) ହେଉଛି ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଏକ ପ୍ରମୁଖ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା | ମାସ୍କ ସ୍ତରର ଇଚ୍ ହାର (ଫୋଟୋରେସିଷ୍ଟ ଫିଲ୍ମ, ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମ, ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମ ଇତ୍ୟାଦି) ଏବଂ ଟାର୍ଗେଟ୍ ଲେୟାରର ତୁଳନା ତୁଳନାରେ ମାପ ମାନକ ନିର୍ମିତ | ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଯେ ସିଲେକ୍ଟିଭିଟି ଯେତେ ଅଧିକ, ଟାର୍ଗେଟ୍ ଲେୟାର୍ ଶୀଘ୍ର ଏଚ୍ ହୋଇଯାଏ | କ୍ଷୁଦ୍ରକରଣର ସ୍ତର ଯେତେ ଉଚ୍ଚ, ସୂକ୍ଷ୍ମ s ାଞ୍ଚାଗୁଡ଼ିକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ଉପସ୍ଥାପିତ ହୋଇପାରିବ ତାହା ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଚୟନକର୍ତ୍ତା ଆବଶ୍ୟକତା ଅଧିକ | ଯେହେତୁ ଇଚିଂ ଦିଗଟି ସିଧା, କାଟେନିକ୍ ଏଚିଂର ଚୟନକର୍ତ୍ତା କମ୍ ଥିବାବେଳେ ରେଡିକାଲ୍ ଏଚିଂର ଚୟନକର୍ତ୍ତା ଅଧିକ, ଯାହା RIE ର ଚୟନରେ ଉନ୍ନତି ଆଣେ |

 

5

 

ଚିତ୍ର 5

 

ପ୍ରଥମେ, ୱେଫର୍ ଏକ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସରେ ରଖାଯାଇଥାଏ ଯେଉଁଥିରେ ତାପମାତ୍ରା 800 ରୁ 1000 between ମଧ୍ୟରେ ରହିଥାଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଏକ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ (SiO2) ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଉଚ୍ଚ ଇନସୁଲେସନ୍ ଗୁଣ ସହିତ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ଶୁଖିଲା ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ | ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ, ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD) / ଭ physical ତିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PVD) ଦ୍ ox ାରା ଅକ୍ସାଇଡ୍ ଫିଲ୍ମରେ ଏକ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର କିମ୍ବା ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ତର ଗଠନ ପାଇଁ ଜମା ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରବେଶ କରାଗଲା | ଯଦି ଏକ ସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ଗଠନ ହୁଏ, ଆବଶ୍ୟକ ହେଲେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ବ increase ାଇବା ପାଇଁ ଏକ ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା କରାଯାଇପାରେ | ଅପରିଷ୍କାର ବିସ୍ତାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ଏକାଧିକ ଅପରିଷ୍କାରତା ବାରମ୍ବାର ଯୋଗ କରାଯାଏ |

ଏହି ସମୟରେ, ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଏବଂ ପଲିସିଲିକନ୍ ସ୍ତର ମିଶିବା ଉଚିତ୍ | ପ୍ରଥମେ, ଜଣେ ଫଟୋଗ୍ରାଫର ବ୍ୟବହାର କରାଯାଏ | ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ, ଫଟୋଗ୍ରାଫିଷ୍ଟ ଫିଲ୍ମରେ ଏକ ମାସ୍କ ରଖାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଫଟୋଗ୍ରାଫିଷ୍ଟ ଫିଲ୍ମରେ ଇଚ୍ଛିତ ପ୍ୟାଟର୍ (ଖାଲି ଆଖିରେ ଅଦୃଶ୍ୟ) ଛାପିବା ପାଇଁ ବୁଡ଼ ପକାଇବା ଦ୍ୱାରା ଓଦା ଏକ୍ସପୋଜର କରାଯାଇଥାଏ | ଯେତେବେଳେ ବିକାଶ ଦ୍ the ାରା ପ୍ୟାଟର୍ ବାହ୍ୟରେଖା ପ୍ରକାଶ ହୁଏ, ଫଟୋସେନସିଟିଭ୍ ଅଞ୍ଚଳରେ ଥିବା ଫୋଟୋରେଷ୍ଟ୍ ଅପସାରଣ କରାଯାଏ | ତାପରେ, ଫୋଟୋଲିଥୋଗ୍ରାଫି ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ process ାରା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୃତ ୱେଫର୍ ଶୁଖିଲା ଇଞ୍ଚ ପାଇଁ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହୁଏ |

ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ମୁଖ୍ୟତ re ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆୟନ ଏଚିଂ (RIE) ଦ୍ୱାରା କରାଯାଇଥାଏ, ଯେଉଁଥିରେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ବଦଳାଇ ଇଚିଂ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହୋଇଥାଏ | ଉଭୟ ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ଏବଂ ଓଦା ଇଞ୍ଚିଙ୍ଗ୍ ଲକ୍ଷ୍ୟର ଅନୁପାତ (A / R ମୂଲ୍ୟ) ବୃଦ୍ଧି କରିବାକୁ ଲକ୍ଷ୍ୟ ରଖିଛି | ଏଥିସହ, ଗର୍ତ୍ତର ତଳ ଭାଗରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ପଲିମରକୁ ବାହାର କରିବା ପାଇଁ ନିୟମିତ ସଫା କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ବିଷୟ ହେଉଛି ସମସ୍ତ ଭେରିଏବଲ୍ (ଯେପରିକି ସାମଗ୍ରୀ, ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍, ସମୟ, ଫର୍ମ ଏବଂ କ୍ରମ) ଜ organ ବିକ ଭାବରେ ସଜାଡିବା ଉଚିତ୍ ଯେ ସଫେଇ ସମାଧାନ କିମ୍ବା ପ୍ଲାଜମା ଉତ୍ସ ଗ୍ୟାସ୍ ଖାଲ ତଳୁ ପ୍ରବାହିତ ହୋଇପାରିବ | ଏକ ଭେରିଏବଲ୍ ରେ ସାମାନ୍ୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଅନ୍ୟ ଭେରିଏବଲ୍ସର ପୁନ al ଗଣନା ଆବଶ୍ୟକ କରେ, ଏବଂ ଏହି ପୁନ al ଗଣନା ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରତ୍ୟେକ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ପୂରଣ ନହେବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହୁଏ | ସମ୍ପ୍ରତି, ମୋନାଟୋମିକ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ଯେପରିକି ପରମାଣୁ ସ୍ତର ଜମା (ALD) ସ୍ତରଗୁଡିକ ପତଳା ଏବଂ କଠିନ ହୋଇଛି | ତେଣୁ, ଇଚିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଚାପର ବ୍ୟବହାର ଆଡକୁ ଗତି କରୁଛି | ସୂକ୍ଷ୍ମ s ାଞ୍ଚା ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ପାଇଁ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗୁରୁତ୍ dim ପୂର୍ଣ୍ଣ ଡାଇମେନ୍ସନ୍ (ସିଡି) କୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଏବଂ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ସମସ୍ୟାଗୁଡିକ, ବିଶେଷତ under ଅଣ୍ଡର-ଏଚିଂ ଏବଂ ଅବଶିଷ୍ଟ ଅପସାରଣ ସହିତ ଜଡିତ ସମସ୍ୟାଗୁଡିକ ଏଡାଇବାକୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଲକ୍ଷ୍ୟ ରଖିଛି | ଇଚିଂ ଉପରେ ଉପରୋକ୍ତ ଦୁଇଟି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ପାଠକମାନଙ୍କୁ ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ, ଉପରୋକ୍ତ ଲକ୍ଷ୍ୟ ହାସଲ କରିବାରେ ବାଧା ଏବଂ ଏହିପରି ବାଧାବିଘ୍ନକୁ ଦୂର କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ପ୍ରଦର୍ଶନ ସୂଚକାଙ୍କ ସହିତ ପାଠକମାନଙ୍କୁ ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ଲକ୍ଷ୍ୟ ରଖିଛି |