ଉତ୍ପାଦ ସୂଚନା ଏବଂ ପରାମର୍ଶ ପାଇଁ ଆମ ୱେବସାଇଟ୍ କୁ ସ୍ୱାଗତ |
ଆମର ୱେବସାଇଟ୍:https://www.vet-china.com/
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅଗ୍ରଗତି ଜାରି ରଖିଥିବାରୁ ଶିଳ୍ପରେ "ମୋର୍ ଆଇନ୍" ନାମକ ଏକ ପ୍ରସିଦ୍ଧ ବିବୃତ୍ତି ପ୍ରଚାରିତ ହେଉଛି | 1965 ମସିହାରେ ଇଣ୍ଟେଲ୍ର ଅନ୍ୟତମ ପ୍ରତିଷ୍ଠାତା ଗର୍ଡନ୍ ମୋର୍ ଦ୍ It ାରା ଏହା ପ୍ରସ୍ତାବ ଦିଆଯାଇଥିଲା। ଏହାର ମୂଳ ବିଷୟବସ୍ତୁ ହେଉଛି: ଏକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ସ୍ଥାନିତ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ସଂଖ୍ୟା ପ୍ରାୟ 18 ରୁ 24 ମାସରେ ଦ୍ୱିଗୁଣିତ ହେବ | ଏହି ନିୟମ କେବଳ ଶିଳ୍ପର ବିକାଶ ଧାରାର ବିଶ୍ଳେଷଣ ଏବଂ ଭବିଷ୍ୟବାଣୀ ନୁହେଁ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାର ବିକାଶ ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରେରଣା ଶକ୍ତି - ସବୁକିଛି ଛୋଟ ଆକାର ଏବଂ ସ୍ଥିର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସହିତ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ତିଆରି କରିବା | 1950 ଦଶକରୁ ବର୍ତ୍ତମାନ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ପ୍ରାୟ 70 ବର୍ଷ, ସମୁଦାୟ BJT, MOSFET, CMOS, DMOS, ଏବଂ ହାଇବ୍ରିଡ୍ BiCMOS ଏବଂ BCD ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବିକଶିତ ହୋଇଛି |
1
ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (BJT), ସାଧାରଣତ tr ଟ୍ରାଇଏଡ୍ ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା | ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରରେ ଚାର୍ଜ ପ୍ରବାହ ମୁଖ୍ୟତ the PN ଜଙ୍କସନରେ ବାହକମାନଙ୍କର ବିସ୍ତାର ଏବଂ ଡ୍ରାଇଫ୍ ଗତି ହେତୁ ହୋଇଥାଏ | ଯେହେତୁ ଏହା ଉଭୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଏବଂ ଛିଦ୍ରର ପ୍ରବାହକୁ ଜଡିତ କରେ, ଏହାକୁ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଉପକରଣ କୁହାଯାଏ |
ଏହାର ଜନ୍ମର ଇତିହାସକୁ ଦେଖିବା | କଠିନ ଆମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍ ସହିତ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ରାଇଡସ୍ ବଦଳାଇବାର କଳ୍ପନା ହେତୁ, ଶକ୍ଲି 1945 ର ଗ୍ରୀଷ୍ମ ସମୟରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପରେ ମ basic ଳିକ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରିବାକୁ ପ୍ରସ୍ତାବ ଦେଇଥିଲେ | 1945 ର ଦ୍ୱିତୀୟାର୍ଦ୍ଧରେ ବେଲ୍ ଲ୍ୟାବସ୍ ଶକ୍ଲିଙ୍କ ନେତୃତ୍ୱରେ ଏକ ଦୃ solid ରାଜ୍ୟ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଗୋଷ୍ଠୀ ପ୍ରତିଷ୍ଠା କରିଥିଲେ | ଏହି ଗୋଷ୍ଠୀରେ କେବଳ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନୀ ନୁହଁନ୍ତି, ସର୍କିଟ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ ଏବଂ ରସାୟନ ବିଜ୍ଞାନୀ ମଧ୍ୟ ଅଛନ୍ତି, ବାର୍ଡିନ, ଜଣେ ତତ୍ତ୍ୱିକ ପଦାର୍ଥବିଜ୍ଞାନୀ ଏବଂ ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନୀ ବ୍ରାଟେନ୍। ଡିସେମ୍ବର 1947 ରେ, ଏକ ଘଟଣା ଯାହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generations ଼ି ଦ୍ a ାରା ଏକ ମାଇଲଖୁଣ୍ଟ ଭାବରେ ପରିଗଣିତ ହୋଇଥିଲା ଚମତ୍କାର ଭାବରେ ଘଟିଥିଲା - ବର୍ଡେନ ଏବଂ ବ୍ରାଟେନ ସଫଳତାର ସହ ବର୍ତ୍ତମାନର ପ୍ରଥମ ଜର୍ମାନି ପଏଣ୍ଟ-କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଉଦ୍ଭାବନ କରିଥିଲେ।
ବାର୍ଡେନ ଏବଂ ବ୍ରାଟେନଙ୍କ ପ୍ରଥମ ପଏଣ୍ଟ-କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର |
ଏହାର କିଛି ସମୟ ପରେ, ଶକ୍ଲି 1948 ରେ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଉଦ୍ଭାବନ କରିଥିଲେ। ସେ ପ୍ରସ୍ତାବ ଦେଇଛନ୍ତି ଯେ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଦୁଇଟି pn ଜଙ୍କସନ୍ ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ ହୋଇପାରିବ, ଗୋଟିଏ ଫରୱାର୍ଡ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଏବଂ ଅନ୍ୟଟି ଓଲଟା ପକ୍ଷପାତିତ ହୋଇ ଜୁନ୍ 1948 ରେ ଏକ ପେଟେଣ୍ଟ ହାସଲ କରିଥିଲେ। 1949 ମସିହାରେ ସେ ବିସ୍ତୃତ ତତ୍ତ୍ published ପ୍ରକାଶ କରିଥିଲେ। ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର କାର୍ଯ୍ୟର | ଦୁଇ ବର୍ଷରୁ ଅଧିକ ସମୟ ପରେ, ବେଲ୍ ଲ୍ୟାବ୍ର ବ scientists ଜ୍ଞାନିକ ଏବଂ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନେ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ବହୁ ଉତ୍ପାଦନ (1951 ରେ ମାଇଲଖୁଣ୍ଟ) ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରସ୍ତୁତ କରି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଏକ ନୂତନ ଯୁଗ ଖୋଲିଲେ | ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଉଦ୍ଭାବନରେ ସେମାନଙ୍କର ଅବଦାନକୁ ସ୍ୱୀକୃତି ଦେଇ ଶକ୍ଲି, ବର୍ଡେନ ଏବଂ ବ୍ରାଟେନ ମିଳିତ ଭାବରେ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନରେ 1956 ନୋବେଲ ପୁରସ୍କାର ଲାଭ କରିଥିଲେ |
NPN ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ସରଳ ଗଠନମୂଳକ ଚିତ୍ର |
ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଜଙ୍କସନ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ଗଠନ ବିଷୟରେ, ସାଧାରଣ BJT ଗୁଡିକ ହେଉଛି NPN ଏବଂ PNP | ବିସ୍ତୃତ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗଠନ ନିମ୍ନ ଚିତ୍ରରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି | ନିର୍ଗମନ ସହିତ ସଂପୃକ୍ତ ଅପରିଷ୍କାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଞ୍ଚଳ ହେଉଛି ନିର୍ଗତ ଅଞ୍ଚଳ, ଯାହାର ଉଚ୍ଚ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ଅଛି; ବେସ୍ ସହିତ ଅନୁରୂପ ଅପରିଷ୍କାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଞ୍ଚଳ ହେଉଛି ବେସ୍ ଅଞ୍ଚଳ, ଯାହାର ଅତି ପତଳା ମୋଟେଇ ଏବଂ ବହୁତ କମ୍ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ଅଛି | କଲେକ୍ଟର ସହିତ ଅନୁରୂପ ଅପରିଷ୍କାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଅଞ୍ଚଳ ହେଉଛି କଲେକ୍ଟର ଅଞ୍ଚଳ, ଯାହାର ଏକ ବଡ଼ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ବହୁତ କମ୍ ଡୋପିଂ ଏକାଗ୍ରତା ଅଛି |
BJT ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଗତି, ଉଚ୍ଚ ଟ୍ରାନ୍ସକଣ୍ଡକ୍ଟାନ୍ସ (ଇନପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ପରିବର୍ତ୍ତନ ବୃହତ ଆଉଟପୁଟ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ଅନୁରୂପ), କମ୍ ଶବ୍ଦ, ଉଚ୍ଚ ଆନାଗଲ୍ ସଠିକତା ଏବଂ ଦୃ strong କରେଣ୍ଟ ଡ୍ରାଇଭିଂ କ୍ଷମତା; ଅସୁବିଧା ହେଉଛି କମ୍ ଏକୀକରଣ (ଭୂଲମ୍ବ ଗଭୀରତା ପାର୍ଶ୍ୱ ଆକାର ସହିତ ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର |
2। MOS
ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର FET), ଅର୍ଥାତ୍ ଏକ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ଯାହା ଧାତୁ ସ୍ତରର ଫାଟକ (M- ଧାତୁ ଆଲୁମିନିୟମ୍) ଏବଂ ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ କରି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର (S) କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲର ସୁଇଚ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରେ | ବ ox ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରର ପ୍ରଭାବ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସ୍ତର (O- ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର SiO2) ମାଧ୍ୟମରେ ଉତ୍ସ | ଯେହେତୁ ଗେଟ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ, ଏବଂ ଗେଟ୍ ଏବଂ ଡ୍ରେନ୍ SiO2 ଇନସୁଲେଟିଂ ସ୍ତର ଦ୍ୱାରା ପୃଥକ ହୋଇଛି, MOSFET କୁ ଏକ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ ଗେଟ୍ ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ | 1962 ମସିହାରେ, ବେଲ୍ ଲ୍ୟାବ୍ ଆନୁଷ୍ଠାନିକ ଭାବରେ ସଫଳ ବିକାଶ ଘୋଷଣା କଲା, ଯାହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ବିକାଶ ଇତିହାସର ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ମାଇଲଖୁଣ୍ଟରେ ପରିଣତ ହେଲା ଏବଂ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ମୃତିର ଆଗମନ ପାଇଁ ସିଧାସଳଖ ବ technical ଷୟିକ ଭିତ୍ତିପ୍ରସ୍ତର ସ୍ଥାପନ କଲା |
କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ପ୍ରକାର ଅନୁଯାୟୀ MOSFET କୁ P ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଏବଂ N ଚ୍ୟାନେଲରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏମ୍ପିଲିଟ୍ୟୁଡ୍ ଅନୁଯାୟୀ, ଏହାକୁ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: ହ୍ରାସ ପ୍ରକାର - ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟ, ଡ୍ରେନ୍ ଏବଂ ଉତ୍ସ ମଧ୍ୟରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଅଛି | N (P) ଚ୍ୟାନେଲ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଉନ୍ନତି ପ୍ରକାର, ସେଠାରେ ଏକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଚ୍ୟାନେଲ୍ ଅଛି ଯେତେବେଳେ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶୂନ୍ୟରୁ କମ୍, ଏବଂ ପାୱାର୍ MOSFET ମୁଖ୍ୟତ N N ଚ୍ୟାନେଲ୍ ବର୍ଦ୍ଧିତ ପ୍ରକାର ଅଟେ |
MOS ଏବଂ triode ମଧ୍ୟରେ ମୁଖ୍ୟ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କିନ୍ତୁ ନିମ୍ନଲିଖିତ ବିନ୍ଦୁରେ ସୀମିତ ନୁହେଁ:
- ଟ୍ରାଇଡସ୍ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଉପକରଣ କାରଣ ଉଭୟ ସଂଖ୍ୟାଗରିଷ୍ଠତା ଏବଂ ସଂଖ୍ୟାଲଘୁ ବାହକ ଏକ ସମୟରେ ଚାଳନାରେ ଅଂଶଗ୍ରହଣ କରନ୍ତି; ଯେତେବେଳେ MOS କେବଳ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରରେ ଅଧିକାଂଶ ବାହକ ମାଧ୍ୟମରେ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଚଳାଇଥାଏ, ଏବଂ ଏହାକୁ ଏକ ୟୁନିପୋଲାର୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ମଧ୍ୟ କୁହାଯାଏ |
- ଟ୍ରାଇଡଗୁଡିକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ସହିତ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ | ଯେତେବେଳେ MOSFET ଗୁଡିକ କମ୍ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ସହିତ ଭୋଲଟେଜ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଉପକରଣ |
ଟ୍ରାଇଡଗୁଡିକରେ ବଡ଼ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକତା ଥିବାବେଳେ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ଗୁଡ଼ିକରେ ଛୋଟ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧକତା ଅଛି, କେବଳ ଅଳ୍ପ ଶହେ ମିଲିଅମ୍ | ସାମ୍ପ୍ରତିକ ବ electrical ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ, MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ଗୁଡିକ ସାଧାରଣତ sw ସୁଇଚ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ମୁଖ୍ୟତ because ଟ୍ରାଇଡସ୍ ତୁଳନାରେ MOS ର ଦକ୍ଷତା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ |
ଟ୍ରାଇଡଗୁଡିକର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଲାଭଦାୟକ ମୂଲ୍ୟ ଅଛି, ଏବଂ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ଗୁଡିକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ମହଙ୍ଗା |
ଆଜିକାଲି, ଅଧିକାଂଶ ପରିସ୍ଥିତିରେ ଟ୍ରାଇଡସ୍ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | କେବଳ କିଛି ନିମ୍ନ-ଶକ୍ତି କିମ୍ବା ଶକ୍ତି-ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ପରିସ୍ଥିତିରେ, ମୂଲ୍ୟର ସୁବିଧାକୁ ବିଚାର କରି ଆମେ ତ୍ରିରଙ୍ଗା ବ୍ୟବହାର କରିବୁ |
3 CMOS
ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର: CMOS ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ଲଜିକ୍ ସର୍କିଟ୍ ନିର୍ମାଣ ପାଇଁ ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ p- ପ୍ରକାର ଏବଂ n- ପ୍ରକାରର ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍ (MOSFET) ବ୍ୟବହାର କରେ | ନିମ୍ନଲିଖିତ ଚିତ୍ରଟି ଏକ ସାଧାରଣ CMOS ଇନଭର୍ଟର ଦେଖାଏ, ଯାହା "1 → 0" କିମ୍ବା "0 → 1" ରୂପାନ୍ତର ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ନିମ୍ନଲିଖିତ ଚିତ୍ର ହେଉଛି ଏକ ସାଧାରଣ CMOS କ୍ରସ୍ ବିଭାଗ | ବାମ ପାର୍ଶ୍ୱ ହେଉଛି NMS, ଏବଂ ଡାହାଣ ପାର୍ଶ୍ୱ ହେଉଛି PMOS | ଦୁଇଟି MOS ର G ପୋଲଗୁଡିକ ଏକ ସାଧାରଣ ଗେଟ୍ ଇନପୁଟ୍ ଭାବରେ ଏକତ୍ର ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ D ପୋଲଗୁଡିକ ଏକ ସାଧାରଣ ଡ୍ରେନ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ | VDD PMOS ର ଉତ୍ସ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ, ଏବଂ VSS NMOS ଉତ୍ସ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ |
1963 ମସିହାରେ, ଫେୟାରଚିଲ୍ଡ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରର ୱାନଲାସ୍ ଏବଂ ସାହ CMOS ସର୍କିଟ ଉଦ୍ଭାବନ କରିଥିଲେ | 1968 ମସିହାରେ, ଆମେରିକୀୟ ରେଡିଓ କର୍ପୋରେସନ୍ (RCA) ପ୍ରଥମ CMOS ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ ଉତ୍ପାଦ ବିକଶିତ କଲା ଏବଂ ସେହି ଦିନଠାରୁ, CMOS ସର୍କିଟ୍ ବହୁତ ବିକାଶ ହାସଲ କଲା | ଏହାର ସୁବିଧା ହେଉଛି ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଏକୀକରଣ (STI / LOCOS ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏକୀକରଣକୁ ଆହୁରି ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ); ଏହାର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଏକ ଲକ୍ ଇଫେକ୍ଟର ଅସ୍ତିତ୍ ((PN ଜଙ୍କସନ ରିଭର୍ସ ପଦ୍ଧତି MOS ଟ୍ୟୁବ୍ ମଧ୍ୟରେ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ହସ୍ତକ୍ଷେପ ସହଜରେ ଏକ ବର୍ଦ୍ଧିତ ଲୁପ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ ଏବଂ ସର୍କିଟ୍କୁ ପୋଡିପାରେ) |
4। DMOS
ଡବଲ୍-ଡିଫ୍ୟୁଜଡ୍ ମେଟାଲ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର: ସାଧାରଣ MOSFET ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଗଠନ ସହିତ ଏହାର ଉତ୍ସ, ଡ୍ରେନ୍, ଗେଟ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ମଧ୍ୟ ଅଛି, କିନ୍ତୁ ଡ୍ରେନ୍ ଏଣ୍ଡର ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅଧିକ | ଡବଲ୍ ଡିଫ୍ୟୁଜନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
ନିମ୍ନରେ ଥିବା ଚିତ୍ରଟି ଏକ ମାନକ N- ଚ୍ୟାନେଲ DMOS ର କ୍ରସ୍ ବିଭାଗକୁ ଦର୍ଶାଏ | ଏହି ପ୍ରକାର DMOS ଉପକରଣ ସାଧାରଣତ low ଲୋ-ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ ପ୍ରୟୋଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେଉଁଠାରେ MOSFET ର ଉତ୍ସ ଭୂମି ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | ଏହା ସହିତ, ଏକ P- ଚ୍ୟାନେଲ DMOS ଅଛି | ଏହି ପ୍ରକାର DMOS ଉପକରଣ ସାଧାରଣତ high ହାଇ-ସାଇଡ୍ ସୁଇଚ୍ ପ୍ରୟୋଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଯେଉଁଠାରେ MOSFET ର ଉତ୍ସ ଏକ ସକରାତ୍ମକ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ | CMOS ପରି, ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ DMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସମାନ ଚିପରେ N- ଚ୍ୟାନେଲ ଏବଂ P- ଚ୍ୟାନେଲ MOSFET ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି |
ଚ୍ୟାନେଲର ଦିଗ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି DMOS କୁ ଦୁଇ ପ୍ରକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ, ଯଥା ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡବଲ୍-ଡିଫ୍ୟୁଜଡ୍ ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର VDMOS (ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଡବଲ୍-ଡିଫ୍ୟୁଜଡ୍ MOSFET) ଏବଂ ଲାଟେରାଲ୍ ଡବଲ୍-ବିସ୍ତାରିତ ଧାତୁ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର LDMOS (ଲାଟେରାଲ୍ ଡବଲ୍) | -ବିଭାଗିତ MOSFET) |
VDMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଏକ ଭୂଲମ୍ବ ଚ୍ୟାନେଲ ସହିତ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି | ଲାଟେରାଲ୍ DMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ, ସେମାନଙ୍କର ଅଧିକ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କ୍ଷମତା ଅଛି, କିନ୍ତୁ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ତଥାପି ଅପେକ୍ଷାକୃତ ବଡ଼ |
LDMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଏକ ପାର୍ଶ୍ୱବର୍ତ୍ତୀ ଚ୍ୟାନେଲ ସହିତ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ଅସୀମିତ ଶକ୍ତି MOSFET ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ | ଭୂଲମ୍ବ DMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ, ସେମାନେ କମ୍ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଦ୍ରୁତ ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଅନୁମତି ଦିଅନ୍ତି |
ପାରମ୍ପାରିକ MOSFET ଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ, DMOS ର ଅନ୍-କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ ଏବଂ କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧକତା ଅଛି, ତେଣୁ ଏହା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ଯେପରିକି ପାୱାର୍ ସୁଇଚ୍, ପାୱାର୍ ଟୁଲ୍ସ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଯାନ ଡ୍ରାଇଭ୍ ରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
BiCMOS
ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ CMOS ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଯାହା CMOS ଏବଂ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ଏକ ସମୟରେ ସମାନ ଚିପରେ ଏକତ୍ର କରିଥାଏ | ଏହାର ମ basic ଳିକ ଧାରଣା ହେଉଛି CMOS ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ମୁଖ୍ୟ ୟୁନିଟ୍ ସର୍କିଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା, ଏବଂ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ ଉପକରଣ କିମ୍ବା ସର୍କିଟ୍ ଯୋଡିବା ଯେଉଁଠାରେ ବୃହତ କ୍ୟାପିସିଟିଭ୍ ଲୋଡ୍ ଚଲାଇବା ଆବଶ୍ୟକ | ତେଣୁ, BiCMOS ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକରେ ଉଚ୍ଚ ଏକୀକରଣ ଏବଂ CMOS ସର୍କିଟ୍ ର ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାର, ଏବଂ BJT ସର୍କିଟ୍ ର ଉଚ୍ଚ ଗତି ଏବଂ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଚାଳନା କ୍ଷମତାର ସୁବିଧା ଅଛି |
STMicroelectronics 'BiCMOS SiGe (ସିଲିକନ୍ ଜର୍ମାନିୟମ୍) ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଆରଏଫ୍, ଆନାଗଲ୍ ଏବଂ ଡିଜିଟାଲ୍ ଅଂଶଗୁଡ଼ିକୁ ଏକ ଚିପ୍ ଉପରେ ଏକତ୍ର କରିଥାଏ, ଯାହା ବାହ୍ୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟାକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବହାରକୁ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ କରିପାରିବ |
6 BCD
ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ- CMOS-DMOS, ଏହି ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ସମାନ ଚିପରେ ଦ୍ୱିପାକ୍ଷିକ, CMOS ଏବଂ DMOS ଉପକରଣ ତିଆରି କରିପାରିବ, ଯାହାକୁ BCD ପ୍ରକ୍ରିୟା କୁହାଯାଏ, ଯାହା ପ୍ରଥମେ 1986 ରେ STMicroelectronics (ST) ଦ୍ୱାରା ସଫଳତାର ସହିତ ବିକଶିତ ହୋଇଥିଲା |
ବାଇପୋଲାର୍ ଆନାଗଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, CMOS ଡିଜିଟାଲ୍ ଏବଂ ଲଜିକ୍ ସର୍କିଟ୍ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ, ଏବଂ DMOS ଶକ୍ତି ଏବଂ ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଉପକରଣ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ | ବିସିଡି ତିନୋଟିର ସୁବିଧାକୁ ଏକତ୍ର କରେ | କ୍ରମାଗତ ଉନ୍ନତି ପରେ, ବିସିଡି ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା, ଆନାଗଲ୍ ତଥ୍ୟ ହାସଲ ଏବଂ ପାୱାର୍ ଆକ୍ଟୁଏଟର୍ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଉତ୍ପାଦରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ST ର ଅଫିସିଆଲ୍ ୱେବସାଇଟ୍ ଅନୁଯାୟୀ, ବିସିଡି ପାଇଁ ପରିପକ୍ୱ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରାୟ 100nm, 90nm ପ୍ରୋଟୋଟାଇପ୍ ଡିଜାଇନ୍ରେ ଅଛି ଏବଂ 40nmBCD ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏହାର ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ଅଟେ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ସେପ୍ଟେମ୍ବର -10-2024 |