ସ olar ର ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ଦୁନିଆର ସବୁଠାରୁ ପ୍ରତିଜ୍ଞାକାରୀ ନୂତନ ଶକ୍ତି ଶିଳ୍ପରେ ପରିଣତ ହୋଇଛି | ପଲିସିଲିକନ୍ ଏବଂ ଆମୋରଫସ୍ ସିଲିକନ୍ ସ ar ର କୋଷଗୁଡ଼ିକ ତୁଳନାରେ, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍, ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ସାମଗ୍ରୀ ଭାବରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ରୂପାନ୍ତର ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବ୍ୟବସାୟିକ ସୁବିଧା ରହିଛି ଏବଂ ଏହା ସ ar ର ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନର ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତରେ ପରିଣତ ହୋଇଛି | ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବା ପାଇଁ Czochralski (CZ) ହେଉଛି ଏକ ମୁଖ୍ୟ ପଦ୍ଧତି | କୋଜୋକ୍ରାଲସ୍କି ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ରଚନାରେ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଗ୍ୟାସ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଥର୍ମାଲ୍ ଫିଲ୍ଡ ସିଷ୍ଟମ୍ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକାଲ୍ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ର ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ଥର୍ମାଲ୍ ଫିଲ୍ଡ ସିଷ୍ଟମ୍ ହେଉଛି ଅନ୍ୟତମ, ଏବଂ ଥର୍ମାଲ୍ ଫିଲ୍ଡର ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ବଣ୍ଟନ ଦ୍ୱାରା ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଗୁଣ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବିତ ହୁଏ |
ଥର୍ମାଲ୍ ଫିଲ୍ଡ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ମୁଖ୍ୟତ carbon ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ସାମଗ୍ରୀ (ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ) କୁ ନେଇ ଗଠିତ, ଯାହାକି ସେମାନଙ୍କର କାର୍ଯ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ ସହାୟକ ଅଂଶ, କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଅଂଶ, ଗରମ ଉପାଦାନ, ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଅଂଶ, ତାପଜ ଇନସୁଲେସନ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଇତ୍ୟାଦିରେ ବିଭକ୍ତ | ଚିତ୍ର 1 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି ଯେହେତୁ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ର ଆକାର ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି, ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆକାର ଆବଶ୍ୟକତା ମଧ୍ୟ ବୃଦ୍ଧି ପାଉଛି | ଏହାର ଡାଇମେନ୍ସନାଲ୍ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଯୋଗୁଁ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ପାଇଁ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ କାର୍ବନ୍ / କାର୍ବନ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରଥମ ପସନ୍ଦ ହୋଇଯାଏ |
ସିଜୋକ୍ରାଲସିଆନ୍ ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥର ତରଳିବା ଦ୍ୱାରା ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ ଏବଂ ତରଳାଯାଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ସ୍ପ୍ଲାସ୍ ଉତ୍ପନ୍ନ ହେବ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ସିଲିକାଇଜେସନ୍ କ୍ଷୟ ହେବ, ଏବଂ କାର୍ବନ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଏବଂ ସେବା ଜୀବନ | ଗୁରୁତର ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ | ତେଣୁ, ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ସିଲିକାଇଜେସନ୍ କ୍ଷୟକୁ କିପରି ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ସେବା ଜୀବନରେ ଉନ୍ନତି ଆସିବ, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ନିର୍ମାତା ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / କାର୍ବନ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍ପାଦକଙ୍କ ସାଧାରଣ ଚିନ୍ତାର ବିଷୟ ପାଲଟିଛି |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ |ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଥର୍ମାଲ୍ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ପୋଷାକ ପ୍ରତିରୋଧ କାରଣରୁ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆବରଣର ସୁରକ୍ଷା ପାଇଁ ପ୍ରଥମ ପସନ୍ଦ ହୋଇଛି |
ଏହି କାଗଜରେ, ମୋନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ବ୍ୟବହୃତ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରଣାଳୀ, ସୁବିଧା ଏବଂ ଅସୁବିଧା ଉପସ୍ଥାପିତ ହୋଇଛି | ଏହି ଆଧାରରେ, ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣର ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଅଗ୍ରଗତି କାର୍ବନ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ ସମୀକ୍ଷା କରାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସାମଗ୍ରୀର ଭୂପୃଷ୍ଠ ଆବରଣର ସୁରକ୍ଷା ପାଇଁ ପରାମର୍ଶ ଏବଂ ବିକାଶ ନିର୍ଦ୍ଦେଶାବଳୀ | ଆଗକୁ ରଖାଯାଏ |
1 ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଆବରଣ |
1.1 ଏମ୍ବେଡିଂ ପଦ୍ଧତି |
ସି / ସି-ସିକ୍ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ମ୍ୟାଟେରିଆଲ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଆବରଣ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାକୁ ଏମ୍ବେଡିଂ ପଦ୍ଧତି ପ୍ରାୟତ। ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହି ପଦ୍ଧତି ପ୍ରଥମେ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ପଦାର୍ଥକୁ ଗୁଡ଼ାଇବା ପାଇଁ ମିଶ୍ରିତ ପାଉଡର ବ୍ୟବହାର କରେ, ଏବଂ ତାପରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା କରେ | ମିଶ୍ରିତ ପାଉଡର ଏବଂ ନମୁନା ପୃଷ୍ଠରେ ଆବରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଜଟିଳ ପଦାର୍ଥ-ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକର ଏକ କ୍ରମ | ଏହାର ସୁବିଧା ହେଉଛି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସରଳ, କେବଳ ଗୋଟିଏ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଘନ, ଫାଟମୁକ୍ତ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ କମ୍ପୋଜିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିପାରିବ; ପ୍ରିଫର୍ମରୁ ଅନ୍ତିମ ଉତ୍ପାଦକୁ ଛୋଟ ଆକାର ପରିବର୍ତ୍ତନ; ଯେକ any ଣସି ଫାଇବର ସଶକ୍ତ ଗଠନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ; ଆବରଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ରଚନା ଗ୍ରେଡିଏଣ୍ଟ୍ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇପାରେ, ଯାହା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ଭଲ ଭାବରେ ମିଳିତ | ତଥାପି, ଏହାର ମଧ୍ୟ ଅସୁବିଧା ଅଛି, ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା, ଯାହା ଫାଇବରକୁ ନଷ୍ଟ କରିପାରେ ଏବଂ କାର୍ବନ / କାର୍ବନ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ହ୍ରାସ ହୁଏ | ଆବରଣର ସମାନତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା କଷ୍ଟକର, ମାଧ୍ୟାକର୍ଷଣ ପରି କାରଣଗୁଡିକ, ଯାହା ଆବରଣକୁ ଅସମାନ କରିଥାଏ |
1.2 ସ୍ଲୁରି ଆବରଣ ପଦ୍ଧତି |
ସ୍ଲୁରି ଆବରଣ ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ଆବରଣ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ବାଇଣ୍ଡରକୁ ଏକ ମିଶ୍ରଣରେ ମିଶ୍ରଣ କରିବା, ମାଟ୍ରିକ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ସମାନ ଭାବରେ ବ୍ରଶ୍ କରିବା, ଏକ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ବାତାବରଣରେ ଶୁଖିବା ପରେ, ଆବୃତ ନମୁନାକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଛାପାଯାଇଥାଏ ଏବଂ ଆବଶ୍ୟକ ଆବରଣ ମିଳିପାରିବ | ଏହାର ସୁବିଧା ହେଉଛି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସରଳ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ସହଜ, ଏବଂ ଆବରଣର ଘନତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ସହଜ ଅଟେ; ଏହାର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଆବରଣ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ଖରାପ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତି ଅଛି, ଏବଂ ଆବରଣର ତାପଜ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଖରାପ ଏବଂ ଆବରଣର ସମାନତା କମ୍ ଅଟେ |
1.3 ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପଦ୍ଧତି |
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା(CVR) ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପଦ୍ଧତି ଯାହା ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରାରେ କଠିନ ସିଲିକନ୍ ପଦାର୍ଥକୁ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପରେ ବାଷ୍ପୀଭୂତ କରେ, ଏବଂ ତା’ପରେ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ ମାଟ୍ରିକ୍ସର ଭିତର ଏବଂ ପୃଷ୍ଠରେ ବିସ୍ତାର ହୁଏ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସରେ କାର୍ବନ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରେ | ଏହାର ସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ଚୁଲିରେ ସମାନ ବାତାବରଣ, ସ୍ଥିର ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ହାର ଏବଂ ଆବୃତ ପଦାର୍ଥର ଜମା ଘନତାକୁ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ | ପ୍ରକ୍ରିୟା ସରଳ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ସହଜ, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ ଚାପ, ଜମା ସମୟ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପାରାମିଟର ପରିବର୍ତ୍ତନ କରି ଆବରଣର ଘନତାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରାଯାଇପାରିବ | ଏହାର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି, ନମୁନା ଚୁଲିରେ ଥିବା ସ୍ଥିତି ଦ୍ୱାରା ବହୁ ପ୍ରଭାବିତ ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଚୁଲିରେ ଥିବା ସିଲିକନ୍ ବାଷ୍ପ ଚାପ ତତ୍ତ୍ୱଗତ ସମାନତା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିପାରିବ ନାହିଁ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଅସମାନ ଆବରଣର ଘନତା |
1.4 ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣ ପଦ୍ଧତି |
ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା (CVD) ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯେଉଁଥିରେ ହାଇଡ୍ରୋକାର୍ବନ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ଉତ୍ସ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା N2 / Ar କୁ ବାହକ ଗ୍ୟାସ୍ ଭାବରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ରିଆକ୍ଟରରେ ମିଶ୍ରିତ ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରବର୍ତ୍ତାଇବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ହାଇଡ୍ରୋକାର୍ବନ୍ଗୁଡିକ କ୍ଷୟ, ସିନ୍ଥାଇଜ୍, ବିସ୍ତାର, ଆଡସର୍ବେଡ୍ ଏବଂ ସମାଧାନ କରାଯାଏ | ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ / ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠରେ କଠିନ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ଗଠନ ପାଇଁ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ତାପମାତ୍ରା ଏବଂ ଚାପ | ଏହାର ସୁବିଧା ହେଉଛି ଆବରଣର ଘନତା ଏବଂ ଶୁଦ୍ଧତା ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ; ଏହା କାମ ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ଉପଯୁକ୍ତ |-ଅଧିକ ଜଟିଳ ଆକୃତି ସହିତ ଖଣ୍ଡ; ଉତ୍ପାଦର ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନା ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ମର୍ଫୋଲୋଜି ଜମା ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରି ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ହୋଇପାରିବ | ଏହାର ଅସୁବିଧା ହେଉଛି ଜମା ହାର ବହୁତ କମ୍, ପ୍ରକ୍ରିୟା ଜଟିଳ, ଉତ୍ପାଦନ ମୂଲ୍ୟ ଅଧିକ, ଏବଂ ଆବରଣର ତ୍ରୁଟି ଥାଇପାରେ, ଯେପରିକି ଖାଲ, ଜାଲ୍ ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ତ୍ରୁଟି |
ସଂକ୍ଷେପରେ, ଏମ୍ବେଡିଂ ପଦ୍ଧତି ଏହାର ବ techn ଷୟିକ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟରେ ସୀମିତ, ଯାହା ଲାବୋରେଟୋରୀ ଏବଂ ଛୋଟ ଆକାରର ସାମଗ୍ରୀର ବିକାଶ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ; ଏହାର ଖରାପ ସ୍ଥିରତା ହେତୁ ଆବରଣ ପଦ୍ଧତି ବହୁ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ନୁହେଁ | CVR ପଦ୍ଧତି ବୃହତ ଆକାରର ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନକୁ ପୂରଣ କରିପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଏହାର ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ପାଇଁ ଅଧିକ ଆବଶ୍ୟକତା ଅଛି | ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ CVD ପଦ୍ଧତି ଏକ ଆଦର୍ଶ ପଦ୍ଧତି |SIC ଆବରଣ |, କିନ୍ତୁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ନିୟନ୍ତ୍ରଣରେ ଅସୁବିଧା ହେତୁ ଏହାର ମୂଲ୍ୟ CVR ପଦ୍ଧତିଠାରୁ ଅଧିକ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଫେବୃଆରୀ -22-2024 |