ଏହି In ଇଞ୍ଚ N ପ୍ରକାର SiC ୱାଫର୍ ଚରମ ଅବସ୍ଥାରେ ବର୍ଦ୍ଧିତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ହୋଇଛି, ଯାହାକି ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପସନ୍ଦ ଅଟେ | ଏହି ୱେଫର୍ ସହିତ ଜଡିତ ମୁଖ୍ୟ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକରେ ସି ୱାଫର୍, ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, SOI ୱାଫର୍, ଏବଂ ସିଏନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ | ଏହି ସାମଗ୍ରୀଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ସର୍ବୋଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଯାହା ଉଭୟ ଶକ୍ତି-ଦକ୍ଷ ଏବଂ ସ୍ଥାୟୀ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ |
ଇପି ୱାଫର୍, ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ Ga2O3, କ୍ୟାସେଟ୍, କିମ୍ବା ଆଲଏନ୍ ୱାଫର୍ ସହିତ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା କମ୍ପାନୀଗୁଡିକ ପାଇଁ, VET ଏନର୍ଜିର 6 ଇଞ୍ଚ୍ ଏନ ଟାଇପ୍ ସିସି ୱାଫର୍ ଅଭିନବ ଉତ୍ପାଦ ବିକାଶ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ଭିତ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରେ | ଏହା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ହେଉ କିମ୍ବା ଆରଏଫ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଅତ୍ୟାଧୁନିକ, ଏହି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ସୀମାକୁ ଠେଲି ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
ୱାଫେରିଙ୍ଗ ବିଶେଷତା |
* n-Pm = n-type Pm-Grade, n-Ps = n-type Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating
ଆଇଟମ୍ | | 8-ଇଞ୍ଚ | | 6-ଇଞ୍ଚ | | 4-ଇଞ୍ଚ | | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
ଧନୁ (GF3YFCD) - ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ମୂଲ୍ୟ | | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ୱାର୍ପ (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | | <2μm | ||||
ୱାଫର୍ ଏଜ୍ | | ବେଭେଲିଂ |
ସୁରଫ୍ ସମାପ୍ତ
* n-Pm = n-type Pm-Grade, n-Ps = n-type Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating
ଆଇଟମ୍ | | 8-ଇଞ୍ଚ | | 6-ଇଞ୍ଚ | | 4-ଇଞ୍ଚ | | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସମାପ୍ତ | ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପୋଲାଣ୍ଡ, ସି- ଫେସ୍ CMP | | ||||
SurfaceRoughness | | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | | |||
ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | | କିଛି ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ନୁହେଁ (ଲମ୍ବ ଏବଂ ମୋଟେଇ ≥0.5 ମିମି) | ||||
ସୂଚାଇଥାଏ | | କିଛି ଅନୁମତି ନାହିଁ | | ||||
ସ୍କ୍ରାଚ୍ (ସି-ଫେସ୍) | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | ||
ଫାଟଗୁଡିକ | | କିଛି ଅନୁମତି ନାହିଁ | | ||||
ଧାର ବହିଷ୍କାର | | 3 ମିମି |