VET ଏନର୍ଜିରୁ 4 ଇ ch ୍ଚ GaAs Wafer ହେଉଛି ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଆରଏଫ୍ ଏମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍, ଏଲଇଡି ଏବଂ ସ solar ର ସେଲ୍ | ଏହି ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିବାର କ୍ଷମତା ପାଇଁ ଜଣାଶୁଣା, ସେମାନଙ୍କୁ ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଉପାଦାନ କରିଥାଏ | VET ଶକ୍ତି ଏକ ସମାନ ଘନତା ଏବଂ ସର୍ବନିମ୍ନ ତ୍ରୁଟି ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ GaA ୱାଫର୍ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ, ଯାହା ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |
ଏହି 4 ଇଞ୍ଚ୍ ଗାଏସ୍ ୱାଫର୍ ବିଭିନ୍ନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ସି ୱାଫର୍, ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, SOI ୱାଫର୍, ଏବଂ ସିଏନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ବିଭିନ୍ନ ଉପକରଣ ସ୍ଥାପତ୍ୟରେ ଏକୀକରଣ ପାଇଁ ବହୁମୁଖୀ କରିଥାଏ | ଏପି ୱାଫର୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ହେଉ କିମ୍ବା ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ Ga2O3 ଏବଂ AlN Wafer ପରି ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ, ସେମାନେ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପାଇଁ ଏକ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଭିତ୍ତି ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି | ଏଥିସହ, ୱାଫର୍ଗୁଡ଼ିକ କ୍ୟାସେଟ୍-ଆଧାରିତ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ସହିତ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସୁସଙ୍ଗତ, ଉଭୟ ଅନୁସନ୍ଧାନ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପରିବେଶରେ ସୁଗମ କାର୍ଯ୍ୟକୁ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |
VET ଏନର୍ଜି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ଏକ ବିସ୍ତୃତ ପୋର୍ଟଫୋଲିଓ ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯେପରିକି ସି ୱାଫର୍, ସିସି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ସୋଇ ୱାଫର୍, ସିଏନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ଏପି ୱାଫର୍, ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ Ga2O3, ଏବଂ ଆଲଏନ୍ ୱାଫର୍ | ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ଆରଏଫ୍ ଏବଂ ଅପ୍ଟୋଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆମର ବିଭିନ୍ନ ଉତ୍ପାଦ ଲାଇନ୍ ବିଭିନ୍ନ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକର ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ପୂରଣ କରେ |
ବିଭିନ୍ନ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଡୋପିଂ ସ୍ତର, ଆଭିମୁଖ୍ୟ, ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମାପ୍ତି ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି ଆପଣଙ୍କର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବାକୁ VET ଶକ୍ତି କଷ୍ଟୋମାଇଜେବଲ୍ GaA ୱାଫର୍ ପ୍ରଦାନ କରେ | ଆମର ସଫଳତା ଦଳ ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ବ technical ଷୟିକ ସହାୟତା ଏବଂ ବିକ୍ରୟ ପରେ ସେବା ଯୋଗାଏ |
ୱାଫେରିଙ୍ଗ ବିଶେଷତା |
* n-Pm = n-type Pm-Grade, n-Ps = n-type Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating
ଆଇଟମ୍ | | 8-ଇଞ୍ଚ | | 6-ଇଞ୍ଚ | | 4-ଇଞ୍ଚ | | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
ଧନୁ (GF3YFCD) - ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ମୂଲ୍ୟ | | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
ୱାର୍ପ (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | | <2μm | ||||
ୱାଫର୍ ଏଜ୍ | | ବେଭେଲିଂ |
ସୁରଫ୍ ସମାପ୍ତ
* n-Pm = n-type Pm-Grade, n-Ps = n-type Ps-Grade, Sl = Semi-lnsulating
ଆଇଟମ୍ | | 8-ଇଞ୍ଚ | | 6-ଇଞ୍ଚ | | 4-ଇଞ୍ଚ | | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
ପୃଷ୍ଠଭୂମି ସମାପ୍ତ | ଡବଲ୍ ସାଇଡ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପୋଲାଣ୍ଡ, ସି- ଫେସ୍ CMP | | ||||
SurfaceRoughness | | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | | |||
ଏଜ୍ ଚିପ୍ସ | | କିଛି ଅନୁମତିପ୍ରାପ୍ତ ନୁହେଁ (ଲମ୍ବ ଏବଂ ମୋଟେଇ ≥0.5 ମିମି) | ||||
ସୂଚାଇଥାଏ | | କିଛି ଅନୁମତି ନାହିଁ | | ||||
ସ୍କ୍ରାଚ୍ (ସି-ଫେସ୍) | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | Qty.≤5, ସଂକଳନ | | ||
ଫାଟଗୁଡିକ | | କିଛି ଅନୁମତି ନାହିଁ | | ||||
ଧାର ବହିଷ୍କାର | | 3 ମିମି |