Sintret silisiumkarbid Sic krystall / wafer båt

Kort beskrivelse:

Vår sintrede silisiumkarbid (SiC) Crystal/Wafer-båt er konstruert for presisjon i halvlederproduksjon. Med eksepsjonell termisk stabilitet, kjemisk motstand og mekanisk styrke, sikrer denne båten sikker og effektiv transport av krystaller og wafere gjennom høytemperaturprosesser.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Den sintredeSilisiumkarbid (SiC)Krystall/Wafer båter designet for de strenge kravene til halvleder- og mikroelektronikkindustrien. Det gir en sikker plattform for håndtering av silisiumkrystaller og wafere under høytemperaturbehandling, og sikrer at deres integritet og renhet opprettholdes hele veien.

Nøkkelfunksjoner

  1. Enestående termisk stabilitet: Kan tåle temperaturer opp til 1600°C, ideell for prosesser som krever presis termisk kontroll.
  2. Overlegen kjemisk motstand: Motstandsdyktig mot de fleste etsende kjemikalier og gasser, gir holdbarhet i tøffe prosessmiljøer.
  3. Robust mekanisk styrke: Opprettholder strukturell integritet under høy belastning, og reduserer sannsynligheten for deformasjon eller brudd.
  4. Minimal termisk ekspansjon: Designet for å minimere risikoen for termisk sjokk og sprekker, og gir pålitelig ytelse ved langvarig bruk.
  5. Presisjonsproduksjon: Laget med høy presisjon for å møte spesifikke prosesskrav og imøtekomme ulike krystall- og waferstørrelser.

Søknader

• Halvlederwaferbehandling

• LED-produksjon

• Produksjon av solcelleceller

• Systemer for kjemisk dampavsetning (CVD).

• Forskning og utvikling innen materialvitenskap

烧结碳化硅物理特性

Fysiske egenskaper tilSinteressertSikonCarbide

性质 / Eiendom

典型数值 / Typisk verdi

化学成分 / KjemiskKomposisjon

SiC>95 %, Si<5 %

体积密度 / Bulkdensitet

>3,07 g/cm³

显气孔率/ Tilsynelatende porøsitet

Tilsynelatende porøsitet

<0,1 %

常温抗弯强度/ Bruddmodul ved 20 ℃

270 MPa

高温抗弯强度/ Bruddmodul ved 1200 ℃

290MPa

硬度/ Hardhet ved 20℃

2400 kg/mm²

断裂韧性/ Bruddfasthet på 20 %

3.3MPa · m1/2

导热系数/ Termisk ledningsevne ved 1200 ℃

45w/m .K

热膨胀系数/ Termisk ekspansjon ved 20-1200 ℃

4.51 × 10-6/℃

最高工作温度/ Maks.arbeidstemperatur

1400 ℃

热震稳定性/ Termisk støtmotstand ved 1200 ℃

God

Hvorfor velge vår sintrede silisiumkarbid (SiC) krystall-/wafer-båt?

Å velge vår SiC Crystal/Wafer-båt betyr å velge pålitelighet, effektivitet og lang levetid. Hver båt gjennomgår strenge kvalitetskontrolltiltak for å sikre at den oppfyller de høyeste standardene i bransjen. Dette produktet forbedrer ikke bare sikkerheten og produktiviteten til produksjonsprosessen din, men garanterer også den konsistente kvaliteten på silisiumkrystallene og wafere. Med vår SiC Crystal/Wafer-båt kan du stole på en løsning som støtter din operasjonelle fortreffelighet.

微信图片_20240812105939
微信图片_20240812105941

  • Tidligere:
  • Neste:

  • WhatsApp nettprat!