Silisiumkarbidplatebrett er en nøkkelkomponent som brukes i ulike halvlederproduksjonsprosesser. Vi bruker vår patenterte teknologi for å lage silisiumkarbidplatebrettet med ekstremt høy renhet, god beleggsenhet og utmerket levetid, samt høy kjemisk motstandsdyktighet og termiske stabilitetsegenskaper.
VET Energy er den virkelige produsenten av tilpassede grafitt- og silisiumkarbidprodukter med forskjellige belegg som SiC, Tac, pyrolytisk karbon, glassaktig karbon, etc., kan levere forskjellige tilpassede deler til halvleder- og fotovoltaisk industri. Vårt tekniske team kommer fra topp innenlandske forskningsinstitusjoner, kan tilby mer profesjonelle materialløsninger for deg.
Vi utvikler kontinuerlig avanserte prosesser for å gi mer avanserte materialer, og har utarbeidet en eksklusiv patentert teknologi, som kan gjøre bindingen mellom belegget og underlaget tettere og mindre utsatt for løsrivelse.
Egenskaper til våre produkter:
1. Høy temperatur oksidasjonsmotstand opp til 1700 ℃.
2. Høy renhet og termisk jevnhet
3. Utmerket korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
4. Høy hardhet, kompakt overflate, fine partikler.
5. Lengre levetid og mer holdbar
CVD SiC薄膜基本物理性能 Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiCbelegg | |
性质 / Eiendom | 典型数值 / Typisk verdi |
晶体结构 / Krystallstruktur | FCC β-fase多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Tetthet | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Hardhet | 2500 维氏硬度(500g belastning) |
晶粒大小 / Kornstørrelse | 2~10μm |
纯度 / Kjemisk renhet | 99,99995 % |
热容 / Varmekapasitet | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Sublimeringstemperatur | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Bøyestyrke | 415 MPa RT 4-punkts |
杨氏模量 / Youngs modul | 430 Gpa 4pt bøy, 1300 ℃ |
导热系数 / ThermalKonduktivitet | 300 W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Termisk ekspansjon (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Hjertelig velkommen til å besøke fabrikken vår, la oss diskutere videre!