SiC-belegg/belagt av grafittsubstrat for halvleder，Grafittbrett, Sic grafittepitaksi-susceptorer,
Karbon leverer susceptorer, EPITAKSI OG MOCVD, epitaksi-susceptorer, Grafittbrett, Wafer Susceptorer,

CVD-SiC-belegg har egenskapene til jevn struktur, kompakt materiale, høy temperaturbestandighet, oksidasjonsmotstand, høy renhet, syre- og alkaliresistens og organisk reagens, med stabile fysiske og kjemiske egenskaper.

Sammenlignet med grafittmaterialer med høy renhet, begynner grafitt å oksidere ved 400C, noe som vil føre til tap av pulver på grunn av oksidasjon, noe som resulterer i miljøforurensning til perifere enheter og vakuumkamre, og øke urenheter i miljø med høy renhet.

Imidlertid kan SiC-belegg opprettholde fysisk og kjemisk stabilitet ved 1600 grader, det er mye brukt i moderne industri, spesielt i halvlederindustrien.

Vårt firma tilbyr SiC-beleggingsprosesstjenester ved CVD-metode på overflaten av grafitt, keramikk og andre materialer, slik at spesielle gasser som inneholder karbon og silisium reagerer ved høy temperatur for å oppnå høy renhet SiC-molekyler, molekyler avsatt på overflaten av de belagte materialene, danner SIC-beskyttelseslag. Den dannede SIC er fast bundet til grafittbasen, noe som gir grafittbasen spesielle egenskaper, og dermed gjør overflaten til grafitten kompakt, porøsitetsfri, høy temperaturbestandighet, korrosjonsbestandighet og oksidasjonsbestandighet.

Hovedtrekk:

1. Høy temperatur oksidasjonsmotstand:

oksidasjonsmotstanden er fortsatt veldig god når temperaturen er så høy som 1700 C.

2. Høy renhet: laget av kjemisk dampavsetning under høytemperatur kloreringsforhold.

3. Erosjonsbestandighet: høy hardhet, kompakt overflate, fine partikler.

4. Korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg:

Forsyningsevne:

10 000 stykker/stykker per måned
Emballasje og levering:
Pakking: Standard og sterk emballasje
Polypose + Eske + Kartong + Pall
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Ledetid: