Typiske egenskaper for basisgrafittmateriale:
Tilsynelatende tetthet: | 1,85 g/cm3 |
Elektrisk resistivitet: | 11 μΩm |
Bøyestyrke: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Shore hardhet: | 58 |
Aske: | <5 ppm |
Termisk ledningsevne: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
Vi leverer ulike susceptorer og grafittkomponenter til alle nåværende epitaksereaktorer. Våre produkter inkluderer fatsusceptorer for LPE-enheter, pannekake-susceptorer for LPE-, CSD- og Gemini-enheter, og enkeltwafer-susceptorer for applicerte og ASM-enheter.
Ved å kombinere sterke partnerskap med ledende OEM-er, materialekspertise og produksjonskunnskap, tilbyr vet det optimale designet for din applikasjon.
VET Energy er deekte produsent av tilpassede grafitt- og silisiumkarbidprodukter med CVD-belegg,kan leverediversetilpassede deler for halvleder- og solcelleindustrien. Oditt tekniske team kommer fra topp innenlandske forskningsinstitusjoner, kan tilby mer profesjonelle materialløsningerfor deg.
Features av våre produkter:
1. Høy temperatur oksidasjonsmotstand opp til 1700℃.
2. Høy renhet ogtermisk ensartethet
3. Utmerket korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
4. Høy hardhet, kompakt overflate, fine partikler.
5. Lengre levetid og mer holdbar
CVD SiC薄膜基本物理性能 Grunnleggende fysiske egenskaper til CVD SiCbelegg | |
性质 / Eiendom | 典型数值 / Typisk verdi |
晶体结构 / Krystallstruktur | FCC β-fase多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Tetthet | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Hardhet | 2500 维氏硬度(500g belastning) |
晶粒大小 / Kornstørrelse | 2~10μm |
纯度 / Kjemisk renhet | 99,99995 % |
热容 / Varmekapasitet | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Sublimeringstemperatur | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Bøyestyrke | 415 MPa RT 4-punkts |
杨氏模量 / Youngs modul | 430 Gpa 4pt bøy, 1300 ℃ |
导热系数 / ThermalKonduktivitet | 300 W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Termisk ekspansjon (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Hjertelig velkommen til å besøke fabrikken vår, la oss diskutere videre!