သတင်း

4 ဘီလီယံ! SK Hynix သည် Purdue Research Park တွင် semiconductor အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို ကြေညာခဲ့သည်။
admin မှ 24-07-09 ရက်နေ့တွင်
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. သည် Purdue Research Park တွင် အဆင့်မြင့် ထုပ်ပိုးမှု ထုတ်လုပ်ရေးနှင့် ဉာဏ်ရည်တုထုတ်ကုန်များအတွက် R&D စက်ရုံတည်ဆောက်ရန် ဒေါ်လာ 4 ဘီလီယံနီးပါး ရင်းနှီးမြှုပ်နှံရန် စီစဉ်နေကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ West Lafayett တွင် US တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်တွင် အဓိက ချိတ်ဆက်မှုတစ်ခု တည်ထောင်ခြင်း...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
လေဆာနည်းပညာသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို အပြောင်းအလဲလုပ်ခြင်းနည်းပညာကို အသွင်ပြောင်းစေပါသည်။
24-07-08 တွင် admin မှ
1. ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအတွက် လုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာ၏ ခြုံငုံသုံးသပ်ချက် လက်ရှိ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို စီမံဆောင်ရွက်သည့် အဆင့်များ ပါဝင်သည်- အပြင်စက်ဝိုင်းကို ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ လှီးဖြတ်ခြင်း၊ ချမ်ဖာခြင်း၊ ကြိတ်ခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း၊ သန့်ရှင်းရေး စသည်တို့ကို လှီးဖြတ်ခြင်းသည် semiconductor substrate pr...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ပင်မအပူစက်ကွင်းပစ္စည်းများ- C/C ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ
24-07-01 တွင် admin မှ
ကာဗွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစုများသည် ကာဗွန်ဖိုက်ဘာ ပေါင်းစပ်ပါဝင်သည့် အမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်ပြီး ကာဗွန်ဖိုက်ဘာအား အားဖြည့်ပစ္စည်းအဖြစ်နှင့် မက်ထရစ်ပစ္စည်းအဖြစ် ကာဗွန်ထည့်ဝင်ထားသည်။ C/C composites ၏ matrix သည် ကာဗွန်ဖြစ်သည်။ ကာဗွန်ဒြပ်စင်နှင့် လုံးလုံးနီးပါး ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်အား အထူးကောင်းမွန်သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိကနည်းပညာသုံးမျိုး
24-07-01 တွင် admin မှ
ပုံ 3 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း SiC တစ်ခုတည်းကို အရည်အသွေးမြင့် ထိရောက်မှုဖြင့် ပေးဆောင်ရန် ရည်ရွယ်ချက်သုံးချက်ရှိသည်- အရည်အဆင့် epitaxy (LPE)၊ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT) နှင့် အပူချိန်မြင့်သော ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (HTCVD)။ PVT သည် SiC အပြစ်ကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ကောင်းမွန်သော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာ အကျဉ်းမိတ်ဆက်
admin မှ 24-06-28 ရက်နေ့တွင်
1. တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ ပထမမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ နည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများသည် ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
၂၃.၅ ဘီလီယံ၊ Suzhou ၏ super unicorn သည် IPO သို့ရောက်ရှိတော့မည်ဖြစ်သည်။
admin မှ 24-06-28 ရက်နေ့တွင်
စွန့်ဦးတီထွင်မှု ၉ နှစ်ကြာပြီးနောက် Innoscience သည် စုစုပေါင်းဘဏ္ဍာငွေ ယွမ် ၆ ဘီလီယံကျော် စုဆောင်းခဲ့ပြီး ၎င်း၏တန်ဖိုးသည် အံ့အားသင့်ဖွယ် ယွမ် ၂၃.၅ ဘီလီယံအထိ ရောက်ရှိခဲ့သည်။ ရင်းနှီးမြုပ်နှံသူများစာရင်းသည် Fukun Venture Capital၊ Dongfang နိုင်ငံတော်ပိုင် Assets၊ Suzhou Zhanyi၊ Wujian...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တန်တလမ်ကာဘိုင်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ထုတ်ကုန်များသည် ပစ္စည်းများ၏ သံချေးတက်ခြင်းကို မည်ကဲ့သို့ မြှင့်တင်နိုင်သနည်း။
admin မှ 24-06-25 ရက်နေ့တွင်
Tantalum carbide coating သည် အသုံးများသော မျက်နှာပြင် သန့်စင်ရေး နည်းပညာဖြစ်ပြီး ပစ္စည်းများ၏ ချေးတက်မှုကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည် ။ Tantalum carbide coating ကို ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း၊ physica ကဲ့သို့သော အမျိုးမျိုးသော ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများဖြင့် အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်တွင် တွဲနိုင်ပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခြင်း။
admin မှ 24-06-25 ရက်နေ့တွင်
1. တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ နည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများသည် ဖန်သားပြင်ကို ချထားသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုအပေါ် ပေါက်ရောက်သော ဂရပ်ဖိုက်၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ကိန်းဂဏာန်း သရုပ်ဖော်မှု လေ့လာမှု
admin မှ 24-06-18 ရက်နေ့တွင်
SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၏ အခြေခံလုပ်ငန်းစဉ်ကို မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ကုန်ကြမ်းများကို ခွဲထုတ်ခြင်းနှင့် ပြိုကွဲခြင်း၊ အပူချိန် gradient လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်အရာဝတ္ထုများ သယ်ယူပို့ဆောင်ခြင်းနှင့် အစေ့ပုံဆောင်ခဲတွင် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်အရာဝတ္ထုများ ပြန်လည်ပုံသွင်းခြင်း ကြီးထွားလာခြင်းတို့ကို ပိုင်းခြားထားသည်။ ယင်းကိုအခြေခံ၍ ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ