သတင်း

တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာ အကျဉ်းမိတ်ဆက်
admin မှ 24-06-28 ရက်နေ့တွင်
1. တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ နည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများသည် ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
၂၃.၅ ဘီလီယံ၊ Suzhou ၏ super unicorn သည် IPO သို့ရောက်ရှိတော့မည်ဖြစ်သည်။
admin မှ 24-06-28 ရက်နေ့တွင်
စွန့်ဦးတီထွင်မှု ၉ နှစ်ကြာပြီးနောက် Innoscience သည် စုစုပေါင်းဘဏ္ဍာငွေ ယွမ် ၆ ဘီလီယံကျော် စုဆောင်းခဲ့ပြီး ၎င်း၏တန်ဖိုးသည် အံ့အားသင့်ဖွယ် ယွမ် ၂၃.၅ ဘီလီယံအထိ ရောက်ရှိခဲ့သည်။ ရင်းနှီးမြုပ်နှံသူများစာရင်းသည် Fukun Venture Capital၊ Dongfang နိုင်ငံတော်ပိုင် Assets၊ Suzhou Zhanyi၊ Wujian...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တန်တလမ်ကာဘိုင်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ထုတ်ကုန်များသည် ပစ္စည်းများ၏ သံချေးတက်ခြင်းကို မည်ကဲ့သို့ မြှင့်တင်နိုင်သနည်း။
admin မှ 24-06-25 ရက်နေ့တွင်
Tantalum carbide coating သည် အသုံးများသော မျက်နှာပြင် ကုသရေးနည်းပညာဖြစ်ပြီး ပစ္စည်းများ၏ ချေးတက်မှုကို သိသာထင်ရှားစွာ မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည် ။ Tantalum carbide coating ကို ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း၊ physica ကဲ့သို့သော အမျိုးမျိုးသော ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများဖြင့် အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်တွင် တွဲနိုင်ပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ GaN နှင့် ဆက်စပ် epitaxial နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခြင်း။
admin မှ 24-06-25 ရက်နေ့တွင်
1. တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ နည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများသည် ဖန်သားပြင်ကို ချထားသည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုအပေါ် ပေါက်ရောက်သော ဂရပ်ဖိုက်၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ကိန်းဂဏာန်း သရုပ်ဖော်မှု လေ့လာမှု
admin မှ 24-06-18 ရက်နေ့တွင်
SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု၏ အခြေခံလုပ်ငန်းစဉ်ကို မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများကို ခွဲထုတ်ခြင်းနှင့် ပြိုကွဲခြင်း၊ အပူချိန် gradient လုပ်ဆောင်မှုအောက်တွင် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်အရာဝတ္ထုများ သယ်ယူပို့ဆောင်ခြင်းနှင့် အစေ့ပုံဆောင်ခဲတွင် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်အရာဝတ္ထုများ ပြန်လည်ပုံသွင်းခြင်း ကြီးထွားလာခြင်းတို့ကို ပိုင်းခြားထားသည်။ ယင်းကိုအခြေခံ၍ ...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
အထူးဂရပ်ဖိုက်အမျိုးအစားများ
admin မှ 24-06-17 ရက်နေ့တွင်
အထူးဂရပ်ဖိုက်သည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ သိပ်သည်းမှုနှင့် ခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်မှု၊ အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်မှုတို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းကို အပူချိန်မြင့်မားသော အပူကုသမှုနှင့် ဖိအားမြင့်မားစွာလုပ်ဆောင်ပြီးနောက် သဘာဝ သို့မဟုတ် အတုဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားခြင်းဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ပါးလွှာသော ဖလင်အစစ်ခံကိရိယာများ- PECVD/LPCVD/ALD စက်ကိရိယာများ၏ အခြေခံမူများနှင့် အသုံးချမှုများကို လေ့လာခြင်း။
admin မှ 24-06-12 ရက်နေ့တွင်
ပါးလွှာသောဖလင် အစစ်ခံခြင်းဆိုသည်မှာ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၏ ပင်မအောက်ခံပစ္စည်းပေါ်တွင် ဖလင်အလွှာကို ဖုံးအုပ်ရန်ဖြစ်သည်။ ဤဖလင်ကို ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပိုလီဆီကွန်၊ သတ္တုကြေးနီစသည်ဖြင့် အမျိုးမျိုးသော ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ အလွှာအတွက်အသုံးပြုသည့် ပစ္စည်းကို ပါးလွှာသော ဖလင်အစစ်ခံခြင်းဟုခေါ်သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
monocrystalline silicon ကြီးထွားမှု အရည်အသွေးကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့် အရေးကြီးသောပစ္စည်းများ - အပူစက်ကွင်း
admin မှ 24-06-12 ရက်နေ့တွင်
monocrystalline silicon ၏ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအပူစက်ကွင်းတွင်လုံးဝလုပ်ဆောင်သည်။ ကောင်းသောအပူကွက်လပ်တစ်ခုသည် ပုံဆောင်ခဲများ၏အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် ပိုမိုမြင့်မားသော crystallization ထိရောက်မှုရှိသည်။ Thermal Field ၏ ဒီဇိုင်းသည် အပူချိန် gradients ၏ပြောင်းလဲမှုများကို အဓိကအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုမီးဖို၏နည်းပညာဆိုင်ရာအခက်အခဲများကားအဘယ်နည်း။
24-06-07 တွင် admin မှ
crystal growth furnace သည် silicon carbide crystal ကြီးထွားမှုအတွက် core equipment ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ရိုးရာပုံဆောင်ခဲများဖြစ်သော ဆီလီကွန်အဆင့် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု မီးဖိုနှင့် ဆင်တူသည်။ မီးဖို၏ဖွဲ့စည်းပုံသည်အလွန်ရှုပ်ထွေးသည်။ ၎င်းကို အဓိကအားဖြင့် မီးဖိုကိုယ်ထည်၊ အပူပေးစနစ်၊ ကွိုင်ဂီယာယန္တရားများဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ