Silikon karbida tersinter tanpa tekanan (SSIC)dihasilkan menggunakan serbuk SiC yang sangat halus yang mengandungi bahan tambahan pensinteran. Ia diproses menggunakan kaedah membentuk tipikal untuk seramik lain dan disinter pada 2,000 hingga 2,200° C dalam suasana gas lengai. Serta versi berbutir halus, dengan saiz butiran < 5 um, versi berbutir kasar dengan saiz butiran sehingga 1.5 mm tersedia.

SSIC dibezakan oleh kekuatan tinggi yang kekal hampir malar sehingga suhu yang sangat tinggi (kira-kira 1,600° C), mengekalkan kekuatan itu dalam tempoh yang lama!

Kelebihan produk:

Rintangan pengoksidaan suhu tinggi

Rintangan kakisan yang sangat baik

Rintangan lelasan yang baik

Pekali kekonduksian haba yang tinggi
Pelinciran sendiri, ketumpatan rendah
Kekerasan yang tinggi
Reka bentuk tersuai.

Sifat teknikal: