Pembawa wafer MOCVD salutan SiC grafit,Suseptor Grafituntuk SiC Epitaxy,
Karbon membekalkan suseptor, Suseptor epitaksi grafit, Suseptor Grafit, Susceptor MOCVD, Wafer Susceptors,

Salutan CVD-SiC mempunyai ciri-ciri struktur seragam, bahan padat, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, ketulenan tinggi, rintangan asid&alkali dan reagen organik, dengan sifat fizikal dan kimia yang stabil.

Berbanding dengan bahan grafit ketulenan tinggi, grafit mula teroksida pada 400C, yang akan menyebabkan kehilangan serbuk akibat pengoksidaan, mengakibatkan pencemaran alam sekitar kepada peranti persisian dan ruang vakum, dan meningkatkan kekotoran persekitaran ketulenan tinggi.

Walau bagaimanapun, salutan SiC boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimia pada 1600 darjah, Ia digunakan secara meluas dalam industri moden, terutamanya dalam industri semikonduktor.

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk diikat dengan kuat pada asas grafit, memberikan sifat istimewa asas grafit, dengan itu menjadikan permukaan grafit padat, Bebas Poros, rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan dan rintangan pengoksidaan.

Permohonan:

Ciri-ciri utama:

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1700 C.

2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:

Keupayaan Bekalan:

10000 Keping/Keping setiap Bulan
Pembungkusan & Penghantaran:
Pembungkusan: Pembungkusan Standard & Kuat
Beg poli + Kotak + Kadbod + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Masa Utama: