1. Semikonduktor generasi ketiga
Teknologi semikonduktor generasi pertama dibangunkan berasaskan bahan semikonduktor seperti Si dan Ge. Ia adalah asas material untuk pembangunan transistor dan teknologi litar bersepadu. Bahan semikonduktor generasi pertama meletakkan asas bagi industri elektronik pada abad ke-20 dan merupakan bahan asas untuk teknologi litar bersepadu.
Bahan semikonduktor generasi kedua terutamanya termasuk gallium arsenide, indium phosphide, gallium phosphide, indium arsenide, aluminium arsenide dan sebatian ternernya. Bahan semikonduktor generasi kedua adalah asas industri maklumat optoelektronik. Atas dasar ini, industri berkaitan seperti pencahayaan, paparan, laser, dan fotovoltaik telah dibangunkan. Ia digunakan secara meluas dalam teknologi maklumat kontemporari dan industri paparan optoelektronik.
Bahan perwakilan bahan semikonduktor generasi ketiga termasuk galium nitrida dan silikon karbida. Disebabkan oleh jurang jalurnya yang lebar, halaju hanyutan tepu elektron yang tinggi, kekonduksian terma yang tinggi dan kekuatan medan pecahan yang tinggi, ia adalah bahan yang sesuai untuk menyediakan peranti elektronik berketumpatan kuasa tinggi, frekuensi tinggi dan kehilangan rendah. Antaranya, peranti kuasa silikon karbida mempunyai kelebihan ketumpatan tenaga yang tinggi, penggunaan tenaga yang rendah dan saiz yang kecil, dan mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam kenderaan tenaga baharu, fotovoltaik, pengangkutan rel, data besar dan bidang lain. Peranti RF Gallium nitride mempunyai kelebihan frekuensi tinggi, kuasa tinggi, lebar jalur lebar, penggunaan kuasa rendah dan saiz kecil, dan mempunyai prospek aplikasi yang luas dalam komunikasi 5G, Internet of Things, radar ketenteraan dan bidang lain. Di samping itu, peranti kuasa berasaskan galium nitrida telah digunakan secara meluas dalam medan voltan rendah. Di samping itu, dalam beberapa tahun kebelakangan ini, bahan galium oksida yang baru muncul dijangka membentuk pelengkap teknikal dengan teknologi SiC dan GaN sedia ada, dan mempunyai prospek aplikasi yang berpotensi dalam medan frekuensi rendah dan voltan tinggi.
Berbanding dengan bahan semikonduktor generasi kedua, bahan semikonduktor generasi ketiga mempunyai lebar celah jalur yang lebih luas (lebar celah jalur bagi Si, bahan tipikal bagi bahan semikonduktor generasi pertama, adalah kira-kira 1.1eV, lebar celah jalur bagi GaAs, satu tipikal bahan bahan semikonduktor generasi kedua, adalah kira-kira 1.42eV, dan lebar celah jalur bagi GaN, bahan tipikal bahan semikonduktor generasi ketiga, adalah melebihi 2.3eV), rintangan sinaran yang lebih kuat, rintangan lebih kuat terhadap kerosakan medan elektrik dan rintangan suhu yang lebih tinggi. Bahan semikonduktor generasi ketiga dengan lebar celah jalur yang lebih luas amat sesuai untuk pengeluaran peranti elektronik yang tahan sinaran, frekuensi tinggi, berkuasa tinggi dan berketumpatan tinggi. Aplikasi mereka dalam peranti frekuensi radio gelombang mikro, LED, laser, peranti kuasa dan bidang lain telah menarik banyak perhatian, dan mereka telah menunjukkan prospek pembangunan yang luas dalam komunikasi mudah alih, grid pintar, transit kereta api, kenderaan tenaga baharu, elektronik pengguna, dan ultraungu dan biru -peranti lampu hijau [1].
Sumber imej: CASA, Institut Penyelidikan Sekuriti Zheshang
Rajah 1 skala masa dan ramalan peranti kuasa GaN
II Struktur dan ciri bahan GaN
GaN ialah semikonduktor celah jalur langsung. Lebar celah jalur struktur wurtzite pada suhu bilik ialah kira-kira 3.26eV. Bahan GaN mempunyai tiga struktur kristal utama iaitu struktur wurtzite, struktur sphalerite dan struktur garam batu. Antaranya, struktur wurtzite adalah struktur kristal yang paling stabil. Rajah 2 ialah gambar rajah struktur wurtzite heksagon GaN. Struktur wurtzite bahan GaN tergolong dalam struktur heksagon padat rapat. Setiap sel unit mempunyai 12 atom, termasuk 6 atom N dan 6 atom Ga. Setiap atom Ga (N) membentuk ikatan dengan 4 atom N (Ga) terdekat dan disusun mengikut urutan AABAB… sepanjang arah [0001] [2].
Rajah 2 Struktur Wurtzite gambarajah sel hablur GaN
III Substrat yang biasa digunakan untuk epitaksi GaN
Nampaknya epitaksi homogen pada substrat GaN adalah pilihan terbaik untuk epitaksi GaN. Walau bagaimanapun, disebabkan tenaga ikatan besar GaN, apabila suhu mencapai takat lebur 2500 ℃, tekanan penguraian yang sepadan adalah kira-kira 4.5GPa. Apabila tekanan penguraian lebih rendah daripada tekanan ini, GaN tidak cair tetapi terurai secara langsung. Ini menjadikan teknologi penyediaan substrat matang seperti kaedah Czochralski tidak sesuai untuk penyediaan substrat kristal tunggal GaN, menjadikan substrat GaN sukar untuk dihasilkan secara besar-besaran dan mahal. Oleh itu, substrat yang biasa digunakan dalam pertumbuhan epitaxial GaN adalah terutamanya Si, SiC, nilam, dll. [3].
Carta 3 GaN dan parameter bahan substrat yang biasa digunakan
GaN epitaxy pada nilam
Sapphire mempunyai sifat kimia yang stabil, murah, dan mempunyai kematangan yang tinggi dalam industri pengeluaran berskala besar. Oleh itu, ia telah menjadi salah satu bahan substrat yang terawal dan paling banyak digunakan dalam kejuruteraan peranti semikonduktor. Sebagai salah satu substrat yang biasa digunakan untuk epitaksi GaN, masalah utama yang perlu diselesaikan untuk substrat nilam ialah:
✔ Disebabkan ketidakpadanan kekisi besar antara nilam (Al2O3) dan GaN (kira-kira 15%), ketumpatan kecacatan pada antara muka antara lapisan epitaxial dan substrat adalah sangat tinggi. Untuk mengurangkan kesan buruknya, substrat mesti tertakluk kepada prarawatan yang kompleks sebelum proses epitaksi bermula. Sebelum menanam epitaksi GaN pada substrat nilam, permukaan substrat mesti terlebih dahulu dibersihkan dengan ketat untuk membuang bahan cemar, sisa kerosakan penggilap, dsb., dan untuk menghasilkan langkah dan struktur permukaan langkah. Kemudian, permukaan substrat dinitrida untuk mengubah sifat pembasahan lapisan epitaxial. Akhir sekali, lapisan penimbal AlN nipis (biasanya 10-100nm tebal) perlu didepositkan pada permukaan substrat dan disepuhlindapkan pada suhu rendah untuk menyediakan pertumbuhan epitaxial akhir. Walaupun begitu, ketumpatan kehelan dalam filem epitaxial GaN yang ditanam pada substrat nilam masih lebih tinggi daripada filem homoepitaxial (kira-kira 1010cm-2, berbanding dengan ketumpatan terkehel pada dasarnya dalam filem homoepitaxial silikon atau filem homoepitaxial galium arsenide, atau antara 102 dan 104cm- 2). Ketumpatan kecacatan yang lebih tinggi mengurangkan mobiliti pembawa, dengan itu memendekkan hayat pembawa minoriti dan mengurangkan kekonduksian terma, yang kesemuanya akan mengurangkan prestasi peranti [4];
✔ Pekali pengembangan terma nilam adalah lebih besar daripada GaN, jadi tegasan mampatan dwipaksi akan dijana dalam lapisan epitaxial semasa proses penyejukan daripada suhu pemendapan ke suhu bilik. Untuk filem epitaxial yang lebih tebal, tegasan ini boleh menyebabkan filem itu retak atau bahkan substrat;
✔ Berbanding dengan substrat lain, kekonduksian terma substrat nilam adalah lebih rendah (kira-kira 0.25W*cm-1*K-1 pada 100℃), dan prestasi pelesapan haba adalah lemah;
✔ Oleh kerana kekonduksian yang lemah, substrat nilam tidak kondusif untuk penyepaduan dan penggunaannya dengan peranti semikonduktor lain.
Walaupun ketumpatan kecacatan lapisan epitaxial GaN yang ditanam pada substrat nilam adalah tinggi, ia nampaknya tidak mengurangkan dengan ketara prestasi optoelektronik LED biru-hijau berasaskan GaN, jadi substrat nilam masih digunakan sebagai substrat untuk LED berasaskan GaN.
Dengan pembangunan lebih banyak aplikasi baharu peranti GaN seperti laser atau peranti kuasa berketumpatan tinggi yang lain, kecacatan yang wujud pada substrat nilam semakin menjadi batasan pada aplikasinya. Di samping itu, dengan pembangunan teknologi pertumbuhan substrat SiC, pengurangan kos dan kematangan teknologi epitaxial GaN pada substrat Si, lebih banyak penyelidikan mengenai pertumbuhan lapisan epitaxial GaN pada substrat nilam secara beransur-ansur menunjukkan trend penyejukan.
Epitaksi GaN pada SiC
Berbanding dengan nilam, substrat SiC (4H- dan 6H-kristal) mempunyai ketidakpadanan kekisi yang lebih kecil dengan lapisan epitaxial GaN (3.1%, bersamaan dengan filem epitaxial berorientasikan [0001]), kekonduksian terma yang lebih tinggi (kira-kira 3.8W*cm-1*K -1), dsb. Selain itu, kekonduksian substrat SiC juga membolehkan sentuhan elektrik dibuat pada belakang substrat, yang membantu memudahkan struktur peranti. Kewujudan kelebihan ini telah menarik lebih ramai penyelidik untuk mengusahakan epitaksi GaN pada substrat silikon karbida.
Walau bagaimanapun, bekerja secara langsung pada substrat SiC untuk mengelakkan epilayer GaN yang semakin meningkat juga menghadapi beberapa siri kelemahan, termasuk yang berikut:
✔ Kekasaran permukaan substrat SiC jauh lebih tinggi daripada substrat nilam (kekasaran nilam 0.1nm RMS, kekasaran SiC 1nm RMS), substrat SiC mempunyai kekerasan yang tinggi dan prestasi pemprosesan yang lemah, dan kekasaran dan sisa kerosakan penggilapan ini juga merupakan salah satu daripada punca kecacatan pada epilayer GaN.
✔ Ketumpatan kehelan skru substrat SiC adalah tinggi (ketumpatan kehelan 103-104cm-2), kehelan skru mungkin merebak ke epilayer GaN dan mengurangkan prestasi peranti;
✔ Susunan atom pada permukaan substrat mendorong pembentukan sesar susun (BSF) dalam epilayer GaN. Untuk GaN epitaxial pada substrat SiC, terdapat berbilang susunan susunan atom yang mungkin pada substrat, mengakibatkan susunan susunan atom awal yang tidak konsisten bagi lapisan GaN epitaxial di atasnya, yang terdedah kepada kerosakan susunan. Kerosakan tindanan (SF) memperkenalkan medan elektrik terbina dalam di sepanjang paksi c, yang membawa kepada masalah seperti kebocoran peranti pemisah pembawa dalam satah;
✔ Pekali pengembangan haba substrat SiC adalah lebih kecil daripada AlN dan GaN, yang menyebabkan pengumpulan tegasan haba antara lapisan epitaxial dan substrat semasa proses penyejukan. Waltereit dan Brand meramalkan berdasarkan hasil penyelidikan mereka bahawa masalah ini boleh dikurangkan atau diselesaikan dengan mengembangkan lapisan epitaxial GaN pada lapisan nukleasi AlN yang nipis dan tegang secara koheren;
✔ Masalah kebolehbasahan lemah atom Ga. Apabila mengembangkan lapisan epitaxial GaN secara langsung pada permukaan SiC, disebabkan oleh kebolehbasahan yang lemah antara kedua-dua atom, GaN terdedah kepada pertumbuhan pulau 3D pada permukaan substrat. Memperkenalkan lapisan penimbal ialah penyelesaian yang paling biasa digunakan untuk meningkatkan kualiti bahan epitaksi dalam epitaksi GaN. Memperkenalkan lapisan penimbal AlN atau AlxGa1-xN boleh meningkatkan kebolehbasahan permukaan SiC dengan berkesan dan menjadikan lapisan epitaxial GaN berkembang dalam dua dimensi. Selain itu, ia juga boleh mengawal tekanan dan menghalang kecacatan substrat daripada meluas ke epitaksi GaN;
✔ Teknologi penyediaan substrat SiC tidak matang, kos substrat adalah tinggi, dan terdapat sedikit pembekal dan sedikit bekalan.
Penyelidikan Torres et al. menunjukkan bahawa mengetsa substrat SiC dengan H2 pada suhu tinggi (1600°C) sebelum epitaksi boleh menghasilkan struktur langkah yang lebih teratur pada permukaan substrat, dengan itu memperoleh filem epitaxial AlN yang berkualiti tinggi berbanding apabila ia secara langsung. ditanam pada permukaan substrat asal. Penyelidikan Xie dan pasukannya juga menunjukkan bahawa prarawatan awal substrat silikon karbida boleh meningkatkan morfologi permukaan dan kualiti kristal lapisan epitaxial GaN dengan ketara. Smith et al. mendapati bahawa kehelan benang yang berasal daripada substrat/lapisan penampan dan antara muka lapisan penampan/lapisan epitaxial adalah berkaitan dengan kerataan substrat [5].
Rajah 4 morfologi TEM sampel lapisan epitaxial GaN yang ditanam pada substrat 6H-SiC (0001) di bawah keadaan rawatan permukaan yang berbeza (a) pembersihan kimia; (b) pembersihan kimia + rawatan plasma hidrogen; (c) pembersihan kimia + rawatan plasma hidrogen + rawatan haba hidrogen 1300℃ selama 30min
GaN epitaksi pada Si
Berbanding dengan silikon karbida, nilam dan substrat lain, proses penyediaan substrat silikon adalah matang, dan ia boleh menyediakan substrat bersaiz besar yang matang dengan prestasi kos tinggi secara stabil. Pada masa yang sama, kekonduksian haba dan kekonduksian elektrik adalah baik, dan proses peranti elektronik Si matang. Kemungkinan untuk menyepadukan peranti GaN optoelektronik dengan sempurna dengan peranti elektronik Si pada masa hadapan juga menjadikan pertumbuhan epitaksi GaN pada silikon sangat menarik.
Walau bagaimanapun, disebabkan perbezaan besar dalam pemalar kekisi antara substrat Si dan bahan GaN, epitaksi heterogen GaN pada substrat Si ialah epitaksi tidak sepadan besar yang tipikal, dan ia juga perlu menghadapi beberapa masalah:
✔ Masalah tenaga antara muka permukaan. Apabila GaN tumbuh pada substrat Si, permukaan substrat Si akan terlebih dahulu dinitridakan untuk membentuk lapisan silikon nitrida amorf yang tidak kondusif untuk penukleasian dan pertumbuhan GaN berketumpatan tinggi. Di samping itu, permukaan Si akan mula-mula menghubungi Ga, yang akan menghakis permukaan substrat Si. Pada suhu tinggi, penguraian permukaan Si akan meresap ke dalam lapisan epitaxial GaN untuk membentuk tompok silikon hitam.
✔ Ketakpadanan berterusan kekisi antara GaN dan Si adalah besar (~17%), yang akan membawa kepada pembentukan kehelan benang berketumpatan tinggi dan mengurangkan kualiti lapisan epitaxial dengan ketara;
✔ Berbanding dengan Si, GaN mempunyai pekali pengembangan terma yang lebih besar (pekali pengembangan terma GaN ialah kira-kira 5.6×10-6K-1, pekali pengembangan terma Si ialah kira-kira 2.6×10-6K-1), dan retakan mungkin terhasil dalam GaN. lapisan epitaxial semasa penyejukan suhu epitaxial ke suhu bilik;
✔ Si bertindak balas dengan NH3 pada suhu tinggi untuk membentuk polihabluran SiNx. AlN tidak boleh membentuk nukleus berorientasikan keutamaan pada polihabluran SiNx, yang membawa kepada orientasi yang tidak teratur pada lapisan GaN yang tumbuh kemudiannya dan bilangan kecacatan yang tinggi, mengakibatkan kualiti kristal lapisan epitaxial GaN yang lemah, dan juga kesukaran untuk membentuk satu-habluran. Lapisan epitaxial GaN [6].
Bagi menyelesaikan masalah ketidakpadanan kekisi besar, penyelidik telah cuba memperkenalkan bahan seperti AlAs, GaAs, AlN, GaN, ZnO, dan SiC sebagai lapisan penampan pada substrat Si. Untuk mengelakkan pembentukan polihabluran SiNx dan mengurangkan kesan buruknya terhadap kualiti kristal bahan GaN/AlN/Si (111), TMAl biasanya perlu diperkenalkan untuk tempoh masa tertentu sebelum pertumbuhan epitaxial lapisan penimbal AlN untuk mengelakkan NH3 daripada bertindak balas dengan permukaan Si terdedah untuk membentuk SiNx. Selain itu, teknologi epitaxial seperti teknologi substrat bercorak boleh digunakan untuk meningkatkan kualiti lapisan epitaxial. Perkembangan teknologi ini membantu menghalang pembentukan SiNx pada antara muka epitaxial, menggalakkan pertumbuhan dua dimensi lapisan epitaxial GaN, dan meningkatkan kualiti pertumbuhan lapisan epitaxial. Di samping itu, lapisan penimbal AlN diperkenalkan untuk mengimbangi tegasan tegangan yang disebabkan oleh perbezaan dalam pekali pengembangan haba untuk mengelakkan keretakan pada lapisan epitaxial GaN pada substrat silikon. Penyelidikan Krost menunjukkan bahawa terdapat korelasi positif antara ketebalan lapisan penimbal AlN dan pengurangan terikan. Apabila ketebalan lapisan penampan mencapai 12nm, lapisan epitaxial lebih tebal daripada 6μm boleh ditanam pada substrat silikon melalui skema pertumbuhan yang sesuai tanpa retak lapisan epitaxial.
Selepas usaha jangka panjang oleh penyelidik, kualiti lapisan epitaxial GaN yang ditanam pada substrat silikon telah dipertingkatkan dengan ketara, dan peranti seperti transistor kesan medan, pengesan ultraviolet halangan Schottky, LED biru-hijau dan laser ultraungu telah mencapai kemajuan yang ketara.
Ringkasnya, memandangkan substrat epitaxial GaN yang biasa digunakan adalah semua epitaksi heterogen, mereka semua menghadapi masalah biasa seperti ketidakpadanan kekisi dan perbezaan besar dalam pekali pengembangan terma kepada tahap yang berbeza-beza. Substrat GaN epitaxial homogen dihadkan oleh kematangan teknologi, dan substrat belum lagi dihasilkan secara besar-besaran. Kos pengeluaran adalah tinggi, saiz substrat adalah kecil, dan kualiti substrat tidak sesuai. Pembangunan substrat epitaxial GaN baharu dan peningkatan kualiti epitaxial masih merupakan salah satu faktor penting yang menyekat pembangunan selanjutnya industri epitaxial GaN.
IV. Kaedah biasa untuk epitaksi GaN
MOCVD (pemendapan wap kimia)
Nampaknya epitaksi homogen pada substrat GaN adalah pilihan terbaik untuk epitaksi GaN. Walau bagaimanapun, oleh kerana prekursor pemendapan wap kimia ialah trimetilgallium dan ammonia, dan gas pembawa adalah hidrogen, suhu pertumbuhan MOCVD biasa adalah kira-kira 1000-1100 ℃, dan kadar pertumbuhan MOCVD adalah kira-kira beberapa mikron sejam. Ia boleh menghasilkan antara muka yang curam pada tahap atom, yang sangat sesuai untuk pertumbuhan heterojunctions, telaga kuantum, superlattices dan struktur lain. Kadar pertumbuhannya yang cepat, keseragaman yang baik, dan kesesuaian untuk pertumbuhan kawasan besar dan berbilang bahagian sering digunakan dalam pengeluaran perindustrian.
MBE (epitaksi rasuk molekul)
Dalam epitaksi rasuk molekul, Ga menggunakan sumber unsur, dan nitrogen aktif diperoleh daripada nitrogen melalui plasma RF. Berbanding dengan kaedah MOCVD, suhu pertumbuhan MBE adalah kira-kira 350-400 ℃ lebih rendah. Suhu pertumbuhan yang lebih rendah boleh mengelakkan pencemaran tertentu yang mungkin disebabkan oleh persekitaran suhu tinggi. Sistem MBE beroperasi di bawah vakum ultra tinggi, yang membolehkannya menyepadukan lebih banyak kaedah pengesanan in-situ. Pada masa yang sama, kadar pertumbuhan dan kapasiti pengeluarannya tidak dapat dibandingkan dengan MOCVD, dan ia lebih banyak digunakan dalam penyelidikan saintifik [7].
Rajah 5 (a) Skema Eiko-MBE (b) Skema ruang tindak balas utama MBE
Kaedah HVPE (epitaksi fasa wap hidrida)
Prekursor kaedah epitaksi fasa wap hidrida ialah GaCl3 dan NH3. Detchprohm et al. menggunakan kaedah ini untuk mengembangkan lapisan epitaxial GaN ratusan mikron tebal pada permukaan substrat nilam. Dalam eksperimen mereka, lapisan ZnO telah ditanam di antara substrat nilam dan lapisan epitaxial sebagai lapisan penampan, dan lapisan epitaxial telah dikupas dari permukaan substrat. Berbanding dengan MOCVD dan MBE, ciri utama kaedah HVPE ialah kadar pertumbuhannya yang tinggi, yang sesuai untuk pengeluaran lapisan tebal dan bahan pukal. Walau bagaimanapun, apabila ketebalan lapisan epitaxial melebihi 20μm, lapisan epitaxial yang dihasilkan oleh kaedah ini terdedah kepada keretakan.
Akira USUI memperkenalkan teknologi substrat bercorak berdasarkan kaedah ini. Mereka mula-mula menumbuhkan lapisan epitaxial GaN setebal 1-1.5μm nipis pada substrat nilam menggunakan kaedah MOCVD. Lapisan epitaxial terdiri daripada lapisan penimbal GaN setebal 20nm yang ditanam di bawah keadaan suhu rendah dan lapisan GaN yang ditanam di bawah keadaan suhu tinggi. Kemudian, pada 430 ℃, lapisan SiO2 disalut pada permukaan lapisan epitaxial, dan jalur tingkap dibuat pada filem SiO2 oleh fotolitografi. Jarak jalur adalah 7μm dan lebar topeng adalah antara 1μm hingga 4μm. Selepas penambahbaikan ini, mereka memperoleh lapisan epitaxial GaN pada substrat nilam berdiameter 2 inci yang bebas retak dan licin seperti cermin walaupun ketebalan meningkat kepada puluhan atau bahkan ratusan mikron. Ketumpatan kecacatan telah dikurangkan daripada 109-1010cm-2 kaedah HVPE tradisional kepada kira-kira 6×107cm-2. Mereka juga menunjukkan dalam eksperimen bahawa apabila kadar pertumbuhan melebihi 75μm/j, permukaan sampel akan menjadi kasar[8].
Rajah 6 Skema Substrat Grafik
V. Ringkasan dan Tinjauan
Bahan GaN mula muncul pada 2014 apabila LED cahaya biru memenangi Hadiah Nobel dalam Fizik pada tahun itu, dan memasuki bidang aplikasi pengecasan pantas orang ramai dalam bidang elektronik pengguna. Malah, aplikasi dalam penguat kuasa dan peranti RF yang digunakan dalam stesen pangkalan 5G yang kebanyakan orang tidak dapat lihat juga telah muncul secara senyap-senyap. Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, penemuan peranti kuasa gred automotif berasaskan GaN dijangka membuka titik pertumbuhan baharu untuk pasaran aplikasi bahan GaN.
Permintaan pasaran yang besar pastinya akan menggalakkan pembangunan industri dan teknologi berkaitan GaN. Dengan kematangan dan peningkatan rantaian industri berkaitan GaN, masalah yang dihadapi oleh teknologi epitaxial GaN semasa akhirnya akan diperbaiki atau diatasi. Pada masa hadapan, orang ramai pasti akan membangunkan lebih banyak teknologi epitaxial baharu dan pilihan substrat yang lebih baik. Pada masa itu, orang ramai akan dapat memilih teknologi dan substrat penyelidikan luaran yang paling sesuai untuk senario aplikasi yang berbeza mengikut ciri-ciri senario aplikasi, dan menghasilkan produk tersuai yang paling kompetitif.
Masa siaran: Jun-28-2024