Pemendapan Wap Kimia (CVD) ialah teknologi pemendapan filem nipis yang penting, sering digunakan untuk menyediakan pelbagai filem berfungsi dan bahan lapisan nipis, dan digunakan secara meluas dalam pembuatan semikonduktor dan bidang lain.
1. Prinsip kerja CVD
Dalam proses CVD, prekursor gas (satu atau lebih sebatian prekursor gas) disentuh dengan permukaan substrat dan dipanaskan pada suhu tertentu untuk menyebabkan tindak balas kimia dan mendapan pada permukaan substrat untuk membentuk filem atau salutan yang dikehendaki. lapisan. Hasil tindak balas kimia ini adalah pepejal, biasanya sebatian bahan yang dikehendaki. Jika kita ingin melekatkan silikon pada permukaan, kita boleh menggunakan trichlorosilane (SiHCl3) sebagai gas prekursor: SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl Silikon akan mengikat mana-mana permukaan terdedah (dalam dan luar), manakala gas klorin dan asid hidroklorik akan dilepaskan dari bilik.
2. Klasifikasi CVD
CVD Terma: Dengan memanaskan gas prekursor untuk mengurai dan mendepositkannya pada permukaan substrat. Plasma Enhanced CVD (PECVD): Plasma ditambah pada CVD terma untuk meningkatkan kadar tindak balas dan mengawal proses pemendapan. Metal Organic CVD (MOCVD): Menggunakan sebatian organik logam sebagai gas prekursor, filem nipis logam dan semikonduktor boleh disediakan, dan sering digunakan dalam pembuatan peranti seperti LED.
3. Permohonan
(1) Pembuatan semikonduktor
Filem silisid: digunakan untuk menyediakan lapisan penebat, substrat, lapisan pengasingan, dsb. Filem nitrida: digunakan untuk menyediakan silikon nitrida, aluminium nitrida, dsb., digunakan dalam LED, peranti kuasa, dsb. Filem logam: digunakan untuk menyediakan lapisan konduktif, berlogam lapisan, dsb.
(2) Teknologi paparan
Filem ITO: Filem oksida konduktif lutsinar, biasanya digunakan dalam paparan panel rata dan skrin sentuh. Filem tembaga: digunakan untuk menyediakan lapisan pembungkusan, garis konduktif, dll., untuk meningkatkan prestasi peranti paparan.
(3) Bidang lain
Salutan optik: termasuk salutan anti-reflektif, penapis optik, dsb. Salutan anti-karat: digunakan dalam bahagian automotif, peranti aeroangkasa, dsb.
4. Ciri-ciri proses CVD
Gunakan persekitaran suhu tinggi untuk menggalakkan kelajuan tindak balas. Biasanya dilakukan dalam persekitaran vakum. Bahan cemar pada permukaan bahagian mesti dibuang sebelum mengecat. Proses ini mungkin mempunyai had pada substrat yang boleh disalut, iaitu had suhu atau had kereaktifan. Salutan CVD akan meliputi semua kawasan bahagian, termasuk benang, lubang buta dan permukaan dalaman. Boleh mengehadkan keupayaan untuk menutup kawasan sasaran tertentu. Ketebalan filem dihadkan oleh keadaan proses dan bahan. Lekatan unggul.
5. Kelebihan teknologi CVD
Keseragaman: Mampu mencapai pemendapan seragam ke atas substrat kawasan yang besar.
Kebolehkawalan: Kadar pemendapan dan sifat filem boleh dilaraskan dengan mengawal kadar aliran dan suhu gas prekursor.
Kepelbagaian: Sesuai untuk pemendapan pelbagai bahan, seperti logam, semikonduktor, oksida, dll.
Masa siaran: Mei-06-2024