Wafer Silikon Jenis P 6 Inci

Penerangan ringkas:

Wafer silikon jenis P VET Energy 6-inci ialah bahan asas semikonduktor berkualiti tinggi, digunakan secara meluas dalam pembuatan pelbagai peranti elektronik. VET Energy menggunakan proses pertumbuhan CZ termaju untuk memastikan wafer mempunyai kualiti kristal yang sangat baik, ketumpatan kecacatan yang rendah dan keseragaman yang tinggi.

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Barisan produk VET Energy tidak terhad kepada wafer silikon. Kami juga menyediakan pelbagai jenis bahan substrat semikonduktor, termasuk Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, dll., serta bahan semikonduktor celah jalur lebar baharu seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN. Produk ini boleh memenuhi keperluan aplikasi pelanggan yang berbeza dalam elektronik kuasa, frekuensi radio, penderia dan bidang lain.

Medan permohonan:
•Litar bersepadu:Sebagai bahan asas untuk pembuatan litar bersepadu, wafer silikon jenis P digunakan secara meluas dalam pelbagai litar logik, kenangan, dsb.
•Peranti kuasa:Wafer silikon jenis P boleh digunakan untuk membuat peranti kuasa seperti transistor kuasa dan diod.
•Penderia:Wafer silikon jenis P boleh digunakan untuk membuat pelbagai jenis penderia, seperti penderia tekanan, penderia suhu, dsb.
•Sel suria:Wafer silikon jenis-P adalah komponen penting sel suria.

VET Energy menyediakan pelanggan dengan penyelesaian wafer tersuai, dan boleh menyesuaikan wafer dengan kerintangan berbeza, kandungan oksigen berbeza, ketebalan berbeza dan spesifikasi lain mengikut keperluan khusus pelanggan. Selain itu, kami juga menyediakan sokongan teknikal profesional dan perkhidmatan selepas jualan untuk membantu pelanggan menyelesaikan pelbagai masalah yang dihadapi dalam proses pengeluaran.

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=n-jenis Pm-Gred,n-Ps=n-jenis Ps-Gred,Sl=Separa penebat

item	8-inci	6-inci			4-inci
item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Tepi Wafer	Beveling

KEMASAN PERMUKAAN

*n-Pm=n-jenis Pm-Gred,n-Ps=n-jenis Ps-Gred,Sl=Separa penebat

item	8-inci	6-inci			4-inci
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Kemasan Permukaan	Penggilap Optik sisi dua, Si- Muka CMP
Kekasaran Permukaan	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Muka Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Kerepek Tepi	Tiada Dibenarkan (panjang dan lebar≥0.5mm)
Inden	Tiada Dibenarkan
Calar (Si-Muka)	Kuantiti.≤5,Kumulatif Panjang≤0.5×diameter wafer	Kuantiti.≤5,Kumulatif Panjang≤0.5×diameter wafer			Kuantiti.≤5,Kumulatif Panjang≤0.5×diameter wafer
retak	Tiada Dibenarkan
Pengecualian Edge	3mm